The invention discloses a BZO glass and a preparation method, a QLED device and a preparation method. The method comprises steps: step A, making BZO glass; step B, etching the BZO film in the BZO glass with acid solution; step C, cutting the BZO glass after step B, and obtaining the BZO glass of the required size. The invention adopts chemical vapor deposition method to deposit BZO film, and then uses acid solution to corrode the BZO film in order to alleviate the spike on the surface of the film, thereby improving the uniformity of the subsequent film thickness, improving the problem of short circuit caused by the spike piercing through the thin layer, reducing the defects caused by the interface between the spike and the adjacent thin layer, and reducing the carrier capture. The aim is to improve the photoelectric performance of QLED devices.
【技术实现步骤摘要】
一种BZO玻璃及制备方法、QLED器件及制备方法
本专利技术涉及发光二极管
,尤其涉及一种BZO玻璃及制备方法、QLED器件及制备方法。
技术介绍
由于波导效应的损失,大部分光只能在QLED器件的内部传播,被吸收掉,传统LED器件外量子效率保持在20%。近来,出现很多针对QLED器件内部和外部结构的改进技术,用来提升QLED器件的出光效率,如散射介质、微观镜列、纳米洞、纳米结构等。目前,为了提升QLED器件的出光效率,有报道采用BZO(硼掺杂ZnO)玻璃取代传统的ITO玻璃,其优点是:1)、BZO有着微观纳米陷光结构,如图1所示,可提高器件出光效率;2)、BZO玻璃相比ITO玻璃,成本更低;3)、ITO薄膜需要用到稀有金属In,In在地球含量少,开发困难,而BZO中元素含量丰富,容易制备,环保,利于可持续发展。另外,采用LPCVD沉积法可批量生产大面积BZO玻璃。沉积的BZO薄膜表面呈现微观纳米陷光结构,但是会出现很多尖刺,在后续沉积薄膜会带来如下不利影响:1)、沉积的薄膜厚度均匀性差,尤其是纳米级别的薄层;2)、容易导致尖刺部分无膜,刺穿多层薄层,可能引起前后电极导通造成短路;3)、尖刺位置与相邻薄层界面形成缺陷,俘获载流子,降低器件光电性能。因此,现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种BZO玻璃及制备方法、QLED器件及制备方法,旨在解决现有方法制备的BZO薄膜表面会出现很多尖刺,致使后续薄膜厚度的均匀性差,尖刺刺穿薄层造成短路,尖刺与相邻薄层界面形成缺陷,俘获载流子,降低QLED器件光电性能 ...
【技术保护点】
1.一种BZO玻璃的制备方法,其特征在于,包括:步骤A、制作BZO玻璃;步骤B、采用酸溶液对BZO玻璃中的BZO薄膜进行腐蚀;步骤C、对经步骤B处理后的BZO玻璃进行切割,得到所需尺寸的BZO玻璃。
【技术特征摘要】
1.一种BZO玻璃的制备方法,其特征在于,包括:步骤A、制作BZO玻璃;步骤B、采用酸溶液对BZO玻璃中的BZO薄膜进行腐蚀;步骤C、对经步骤B处理后的BZO玻璃进行切割,得到所需尺寸的BZO玻璃。2.根据权利要求1所述的BZO玻璃的制备方法,其特征在于,所述步骤A中,所述制作BZO玻璃的方法包括步骤:以乙二基锌、水和硼烷为气源前驱物,采用化学气相沉积法在备好的玻璃上沉积BZO薄膜,得到BZO玻璃。3.根据权利要求2所述的BZO玻璃的制备方法,其特征在于,所述制作BZO玻璃之前,还包括步骤:对玻璃进行清洗,并将清洗后的玻璃进行烘干;所述对玻璃进行清洗,并将清洗后的玻璃进行烘干的方法具体包括:加入水溶液清洗剂喷淋在玻璃上、下表面,经过毛刷刷洗后,进入喷淋超纯水中冲洗玻璃表面的残液,最后经过70~90℃风刀室将其烘干。4.根据权利要求2所述的BZO玻璃的制备方法,其特征在于,在LPCVD设备中沉积所述BZO薄膜,所述制作BZO玻璃的方法具体包括:步骤A1、将清洗干净的玻璃在LPCVD设备的加热腔加热到150~200℃后,传送到LPCVD设备的反应腔内;步骤A2、然后将乙二基锌、水和硼烷均以气态形式通入上述反应腔;步骤A3...
【专利技术属性】
技术研发人员:张东华,向超宇,李乐,辛征航,张滔,
申请(专利权)人:TCL集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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