发光器件封装制造技术

实施例提供一种发光器件封装，包括：封装体；至少一个电极图案，设置在所述封装体上；至少一个发光器件，电连接至所述电极图案；散热元件，插入在所述封装体中以与所述发光器件热接触；以及抗断裂层，设置在所述散热元件上。所述抗断裂层与所述散热元件的至少部分外周区域垂直重叠。根据本申请实施例提供的发光器件封装，抗断裂层可以抵消施加到对应于散热元件的边缘处的第三陶瓷层的区域的应力，这可以导致发光器件封装在耐久性方面的增强。

Light emitting device packaging

The embodiment provides a light emitting device package including: a package; at least one electrode pattern disposed on the package; at least one light emitting device electrically connected to the electrode pattern; a heat dissipating element inserted in the package for thermal contact with the light emitting device; and an anti-fracture layer disposed in the dispersion. On the heat element. The anti fracture layer is vertically overlapped with at least part of the peripheral region of the heat dissipating element. In the light-emitting device package provided in accordance with the embodiment of the present application, the fracture-resistant layer can counteract the stress applied to the region of the third ceramic layer corresponding to the edge of the heat dissipating element, which can lead to an enhancement of the durability of the light-emitting device package.

【技术实现步骤摘要】
发光器件封装本申请是申请号为201310450651.6、专利技术名称为“发光器件封装”、申请日为2013年09月25日的专利技术专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求享有于2012年9月25日在韩国递交的韩国专利申请第10-2012-0106341号的优先权，该申请的全部内容通过参考合并于此。
实施例涉及发光器件封装。
技术介绍
由于器件材料和薄膜生长技术的发展，发光器件(例如使用III-V族或II-VI族化合物半导体的发光二极管(LED)或激光二极管(LD))能够发出各种颜色的光，例如红光、绿光、蓝光和紫外光等。此外，这些发光器件通过使用荧光物质或颜色组合能够发出高效率的白光，且与传统光源(例如荧光灯、白炽灯等)相比，具有功耗低、半永久性使用寿命、响应时间快、安全和环境友好的优点。因此，发光器件的应用领域扩展到光通信装置的传输模块、用于替代用作液晶显示器(LCD)装置的背光源的冷阴极荧光灯(CCFL)的LED背光源、用于替代荧光灯或白炽灯的白色LED照明装置、车辆的头灯以及交通灯。一种发光器件封装包括：第一电极和第二电极，布置在封装体上方；以及发光器件，布置在封装体的下表面且电连接至第一电极和第二电极。图1是示出传统发光器件封装的视图。发光器件封装100可包括：内部限定有腔体的封装体110a、110b和110c；以及设置在腔体底面上的发光器件140。散热元件130可以设置在位于封装体110c下方的封装体110a和110b中。散热元件130和发光器件140可以经由导电粘合剂层(未示出)被固定。腔体填充有模铸部(moldingpart)150以包围并保护发光器件140。模铸部150可包含荧光物质160。荧光物质160通过从发光器件140发出的第一波长带的光被激励(excite)，从而发出第二波长带的光。然而，传统发光器件封装具有以下问题。在图1中，散热元件130可以由高导热材料形成，使得从发光器件封装100的发光器件140产生的热量通过散热元件130被散发。在这种情况下，如果发生散热元件130的热膨胀，则这可能导致发光器件140受损。为此原因，例如，可以在散热元件130上方设置陶瓷层120，以防止发光器件140由于散热元件130的热膨胀而受损。然而，当陶瓷层120被设置在散热元件130上方时，由于散热元件130的热膨胀系数与封装体110b的热膨胀系数之间不匹配，在用于制造陶瓷封装的共烧(co-firing)工艺期间，应力可能被施加到位于散热元件130和封装体110b的边界上方的陶瓷层120。这可能导致在如图1的区域“A”中示意性示出的共烧封装内的陶瓷层120断裂。也就是说，陶瓷层120可能由于不同种类材料之间的热膨胀系数不匹配而受损，并且在长时间操作(extendedoperation)或者在高湿度环境下操作之后，发光器件封装100在气密密封耐久性方面的退化可能导致使用寿命降低。
技术实现思路
实施例提供一种具有增强的气密密封耐久性的发光器件封装。在一个实施例中，一种发光器件封装包括：封装体；至少一个电极图案，设置在所述封装体上；至少一个发光器件，电连接至所述电极图案；散热元件，插入到所述封装体中以与所述发光器件热接触；以及抗断裂层，设置在所述散热元件上，其中所述抗断裂层与所述散热元件的至少部分外周区域垂直重叠。所述抗断裂层可具有开口区域，且所述发光器件可以位于所述开口区域内。所述散热元件可以由钨铜(CuW)形成。所述封装体可包括多个第一陶瓷层。所述抗断裂层可以由第二陶瓷层组成。所述散热元件可具有第一水平横截面面积以及不同于所述第一水平横截面面积的第二水平横截面面积。所述散热元件的在对应于一个第一陶瓷层的高度处的水平横截面面积与所述散热元件的在对应于另一个第一陶瓷层的高度处的水平横截面面积不同。所述散热元件可以设置有扩展部，所述扩展部在对应于不同的第一陶瓷层的边界的区域处。包括所述抗断裂层的所述第二陶瓷层的厚度可以是所述封装体的具有不同厚度的所述第一陶瓷层之一的最小厚度的0.5到1倍。所述开口区域的面积在朝向所述发光器件的方向上可以小于所述散热元件的横截面面积之一。所述抗断裂层的所述开口区域的面积可以小于所述散热元件的最小横截面面积。所述抗断裂层的所述开口区域的面积可以小于所述散热元件的最大横截面面积且大于所述散热元件的最小横截面面积。所述散热元件在朝向所述发光器件的方向上可以具有最大横截面面积。所述散热元件在朝向所述发光器件的方向上的一侧的长度可以是所述散热元件在相反方向上的一侧的长度的1.1到1.2倍。所述发光器件封装还可包括第三陶瓷层，设置在所述散热元件与所述抗断裂层之间，且所述发光器件可通过所述第三陶瓷层与所述散热元件热接触。所述发光器件可发出近紫外光或深紫外光。所述封装体和所述抗断裂层中的至少一个可包括SiO2、SixOy、Si3Ny、SiOxNy、Al2O3或AlN中的至少一个。根据另一方案，一种发光器件封装包括：封装体；至少一个电极图案，设置在所述封装体上；至少一个发光器件，电连接至所述电极图案；以及散热元件，布置在所述封装体中与所述发光器件热接触，所述散热元件在所述散热元件的部分边缘区域处设置扩展部，其中所述散热元件在朝向所述发光器件的方向上除所述扩展部之外的的区域具有最大横截面面积。根据本申请实施例的发光器件封装，即使散热元件在制造器件封装时实施共烧工艺之后热膨胀，第三陶瓷层和抗断裂层仍然可以容许由散热元件的热膨胀导致的应力。特别地，抗断裂层可以抵消施加到对应于散热元件边缘的区域处第三陶瓷层的应力，这可以导致发光器件封装在耐久性方面的增强。附图说明可参照如下的附图来详细描述布置方式和实施例，其中类似的附图标记指代类似的元件，其中：图1是示出传统的发光器件封装的视图；图2是示出发光器件封装的实施例的剖面图；图3A到图3C是示意性示出图2的散热元件与抗断裂层之间的位置关系的实施例的视图；图4A到图4C是示出图2的抗断裂层的不同实施例的视图；图5A到图5D是示出发光器件和腔体侧壁的布置方式的实施例的视图；图6是示出具有发光器件封装的图像显示装置的实施例的视图；图7是示出具有发光器件封装的杀菌装置的实施例的视图；以及图8是示出具有发光器件封装的照明装置的实施例的视图。具体实施方式在下文中，将参照附图来描述实施例。在如下实施例的描述中，应当理解，当每个元件被称为位于另一个元件“之上”或“之下”时，一个元件能够直接位于另一个元件“之上”或“之下”，或者两个元件可以通过在其间插入有一个或多个其他元件而间接形成。另外，还应当理解，位于元件“之上”或“之下”可基于元件包含向上或向下的含义。图2是示出发光器件封装实施例的剖面图。根据实施例的、通过附图标记200指示的发光器件封装包括：由多个第一陶瓷层210a、210b、210c和210d组成的封装体。该封装体可以利用高温共烧陶瓷(HTCC)技术或低温共烧陶瓷(LTCC)技术来实现。在封装体采用多层陶瓷衬底的形式的情况下，各层可具有相同或不同的厚度。封装体可以由绝缘材料(例如氮化物或氧化物)形成。例如，封装体可以由SiO2、SixOy、Si3Ny、SiOxNy、Al2O3或AlN形成。多个第一陶瓷层210a、210b、210c和210d可以具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件封装，包括：封装体；至少一个电极图案，设置在所述封装体上；至少一个发光器件，电连接至所述电极图案；散热元件，布置在所述封装体中以与所述发光器件热接触；以及抗断裂层，设置在所述散热元件上，其中所述抗断裂层与所述散热元件的至少部分外周区域垂直重叠。

【技术特征摘要】
2012.09.25 KR 10-2012-01063411.一种发光器件封装，包括：封装体；至少一个电极图案，设置在所述封装体上；至少一个发光器件，电连接至所述电极图案；散热元件，布置在所述封装体中以与所述发光器件热接触；以及抗断裂层，设置在所述散热元件上，其中所述抗断裂层与所述散热元件的至少部分外周区域垂直重叠。2.根据权利要求1所述的封装，其中所述抗断裂层具有开口区域，且所述发光器件位于所述开口区域内。3.根据权利要求1所述的封装，其中所述散热元件由金属或合金形成。4.根据权利要求1或3所述的封装，其中所述散热元件由钨铜(CuW)形成。5.根据权利要求1所述的封装，其中所述封装体包括多个第一陶瓷层。6.根据权利要求5所述的封装，其中所述散热元件具有第一水平横截面面积以及不同于所述第一水平横截面面积的第二水平横截面面积。7.根据权利要求6所述的封装，其中，所述散热元件在对应于一个第一陶瓷层的高度处的水平横截面面积与所述散热元件在对应于另一个第一陶瓷层的高度处的水平横截面面积不同。8.根据权利要求5或7所述的封装，其中所述散热元件设置有扩展部，所述扩展部在对应于不同的第一陶瓷层的边界的区域处。9.根据权利要求5或7所述的封装，其中所述抗断裂层由第二陶瓷层组成。10.根据权利要求9所述的封装，其中组成所述抗断裂层的所述第二陶瓷层的厚度是所述封装体的具有不同厚度的所述第一陶瓷层之一的最小厚度的0.5到1倍。11.根据权利要求2所述的封装，其中所述开口区域的面积在朝向所述发光器件的方向上小于所述散热元件的横截面面积。12.根据权利要求2或11所述的封装，其中所述抗断裂层的所述开口区域的面积小于所述散热元件的最小横截面面积。13.根据权利要求2所述的封装，其中所述抗断裂层的所述开口区域的面积小于所述散热元件的最大横截面面积且大于所述散热元件的最小横截面面积。14.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炳穆，姜宝姬，金夏罗，小平洋，反田祐一郎，大关聪司，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR