发光二极管结构制造技术

本发明专利技术提供一种发光二极管结构，包括基板、半导体磊晶层以及反射导电结构层。半导体磊晶层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。

LED structure

The invention provides a light emitting diode structure, including a substrate, a semiconductor epitaxial layer and a reflective conductive structure layer. The semiconductor epitaxial layer is disposed on the substrate and exposes part of the substrate. The reflective conductive layer covers part of the semiconductor epitaxial layer and part of the substrate exposed by the semiconductor epitaxial layer.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管结构本专利技术是2013年08月01日所提出的申请号为201310331658.6、专利技术名称为《发光二极管结构》的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术是有关于一种半导体结构，且特别是有关于一种发光二极管结构。
技术介绍
一般而言，于制作发光二极管晶圆时，通常是先提供基板，利用磊晶成长方式，于基板上形成一磊晶结构，接着在磊晶结构上配置电极以提供电能，便可利用光电效应而发光。之后，利用微影蚀刻技术在磊晶结构中形成复数个纵横交错的切割道。其中，每相邻的二纵向的切割道与相邻的二横向的切割道共同定义出发光二极管晶粒。之后，进行后段的研磨与切割制程，将发光二极管晶圆分成许多的发光二极管晶粒，进而完成发光二极管的制作。为了增加发光二极管的出光效率，现有技术会于磊晶结构上依序增设欧姆接触层、反射层以及阻障层，其中欧姆接触层、反射层以及阻障层皆只覆盖于部分磊晶结构上。虽然上述的方式可增加发光二极管的出光效率，但其出光效率无法满足现今追求高出光效率的要求。因此，如何充分提高发光二极管的出光效率仍然是亟待克服的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管结构，其具有良好的出光效率(light-emittingefficiency)。本专利技术的实施例的发光二极管结构包括基板、半导体磊晶结构、第一绝缘层、反射层、第二绝缘层以及至少一电极。半导体磊晶结构配置于基板上，且暴露出部分基板。第一绝缘层覆盖部分半导体磊晶结构以及被半导体磊晶结构所暴露出的部分基板。反射层配置于第一绝缘层上，第二绝缘层，配置于反射层上。电极配置于第二绝缘层上并电极电性连接半导体磊晶结构。本专利技术的实施例的发光二极管结构包括基板、半导体磊晶结构、透明导电层、反射层、第一绝缘层以及至少一电极。半导体磊晶结构配置于基板上，且暴露出部分基板。透明导电层配置在半导体磊晶结构上。反射层配置在部分透明导电层上且延伸覆盖被半导体磊晶层所暴露出的部分基板。第一绝缘层配置于反射层上。电极配置于第二绝缘层上，并电极电性连接半导体磊晶结构。本专利技术的实施例的发光二极管结构包括基板、半导体磊晶结构、第一绝缘层、反射层、第二绝缘层以及至少一第一电极。半导体磊晶结构配置于基板上。第一绝缘层覆盖部分半导体磊晶结构以及部分基板。反射层配置于第一绝缘层上，第二绝缘层配置于反射层上。第一电极配置于第二绝缘层上，并电极电性连接半导体磊晶结构。本专利技术的实施例的发光二极管结构包括基板、半导体磊晶结构、透明导电层、反射层、第一绝缘层以及至少一电极。半导体磊晶结构配置于基板上。透明导电层配置在半导体磊晶结构上。反射层位在基板上并覆盖至少部分透明导电层及至少部分半导体磊晶结构。第一绝缘层覆盖至少部分反射层及至少部分透明导电层及至少部分半导体磊晶结构。电极配置第二绝缘层上，并电极电性连接半导体磊晶结构。基于上述，由于本专利技术的发光二极管结构具有反射导电结构层，且此反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。因此，反射导电结构层可有效反射来自半导体磊晶层的光线，且被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分亦具有反射的功效。如此一来，反射导电结构层的设置可有效增加反射面积，进而可有效提高整体发光二极管结构的出光效率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术的一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。图2为本专利技术的另一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。图3为本专利技术的另一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。图4为本专利技术的另一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。附图标记说明：100a、100b、100c、100d：发光二极管结构110a、110b：基板112a、112b：上表面114b：环状倾斜面120a：半导体磊晶层122a：第一型半导体层124a：发光层126a：第二型半导体层130a、130b、130c、130d：反射导电结构层132a、132b、132c、132d：透明导电层134a、134b、134c、134d：反射层136a、136b、136c、136d：阻障层140a、140d：绝缘层145a、145d：电性绝缘层150a：第一电极160a：第二电极170a：连接层A：虚圆C：凹陷区域S1：第一半导体区块S2：第二半导体区块具体实施方式图1为本专利技术的一实施例的一种发光二极管结构的剖面示意图。请参考图1，在本实施例中，发光二极管结构100a包括一基板110a、一半导体磊晶层120a以及一反射导电结构层130a。半导体磊晶层120a配置于基板110a上，且暴露出基板110a的一部分(图1中的虚圆A处)。反射导电结构层130a配置于半导体磊晶层120a上，其中反射导电结构层130a覆盖部分半导体磊晶层120a以及被半导体磊晶层120a所暴露出的基板110a的部分。更具体来说，在本实施例中，基板110a例如是蓝宝石基板，但并不以此为限，其中基板110a具有上表面112a。半导体磊晶层120a包括依序配置于基板110a上的第一型半导体层122a、发光层124a以及第二型半导体层126a。此处，第一型半导体层122a例如为N型半导体层，而第二型半导体层126a例如为P型半导体层，但并不以此为限。如图1所示，半导体磊晶层120a并未完全覆盖基板110a的上表面112a，而是暴露出基板110a的部分上表面112a。特别是，本实施例的反射导电结构层130a是由依序配置的透明导电层132a、反射层134a以及阻障层136a所组成。透明导电层132a可视为欧姆接触层，其目的在于可以增加电流传导且使电流能均匀散布，其中透明导电层132a配置于半导体磊晶层120a上且覆盖基板110a被半导体磊晶层120a所曝露出的上表面112a上。此处，透明导电层132a的材料系选自铟锡氧化物、掺铝氧化锌、铟锌氧化物及上述此等所组成的族群其中之一。于本实例中的透明导电层132a系由铟锡氧化物所构成。反射层134a配置于透明导电层132a上。反射层134a可将来自半导体磊晶层120a的光线反射至基板110a，当本专利技术的发光二极管结构100a应用于例如是覆晶式发光二极管时，可使出光效率更佳。此处，反射层134a的材料例如是选自银、铬、镍、铝及上述此等所组成的族群其中之一；或者是，反射层134a例如是一布拉格反射镜。于本实例中的反射层134a是由银所构成。阻障层136a配置于反射层134a上且覆盖基板110a被半导体磊晶层120a所曝露出的上表面112a上，其中阻障层136a除了也具有反射功能外，也可以保护反射层134a的结构，避免反射层134a中的金属扩散。此处，阻障层136a的边缘切齐于基板110a的边缘，且阻障层136a的材料例如系选自是钛钨合金、钛、钨、氮化钛、钽、铬、铬铜合金、氮化钽及上述此等所组成的族群其中之一，于本实施例中，阻障层136a系由钛、钨及钛钨合金所构成。再者，本实施例的发光二极管结构100a还包括一绝缘层140a，其中绝缘层140a配置于基板110a与反射导电结构层130a之间以及半导体磊晶层120a与反射导电结构层130a之间，以有效电性绝缘于半导体磊晶层120a与反射导电结构层130a。如图1所示，本实施例的绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管结构，包括：基板，具有倾斜面；半导体磊晶结构，设置在该基板上，且至少暴露出该基板的该倾斜面，该半导体磊晶结构包括一第一型半导体层、一发光层以及一第二型半导体层，依序设置在该基板上，该半导体磊晶结构的一侧表面包括该第一型半导体层、该发光层以及该第二型半导体层；第一绝缘层，覆盖该半导体磊晶结构的整个该侧表面及该基板的至少部分该倾斜面，并暴露出部分该半导体磊晶结构；第一反射层，至少部分设置在该第一绝缘层所暴露出的部分该半导体磊晶结构上，且与该半导体磊晶结构电性连接；第二反射层，设置在该第一反射层及该第一绝缘层上，并覆盖该基板的至少部分该倾斜面；第二绝缘层，设置在该第二反射层上；以及至少一电极设置在该第二反射层上，且电性连接该第一反射层及该半导体磊晶结构。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构，包括：基板，具有倾斜面；半导体磊晶结构，设置在该基板上，且至少暴露出该基板的该倾斜面，该半导体磊晶结构包括一第一型半导体层、一发光层以及一第二型半导体层，依序设置在该基板上，该半导体磊晶结构的一侧表面包括该第一型半导体层、该发光层以及该第二型半导体层；第一绝缘层，覆盖该半导体磊晶结构的整个该侧表面及该基板的至少部分该倾斜面，并暴露出部分该半导体磊晶结构；第一反射层，至少部分设置在该第一绝缘层所暴露出的部分该半导体磊晶结构上，且与该半导体磊晶结构电性连接；第二反射层，设置在该第一反射层及该第一绝缘层上，并覆盖该基板的至少部分该倾斜面；第二绝缘层，设置在该第二反射层上；以及至少一电极设置在该第二反射层上，且电性连接该第一反射层及该半导体磊晶结构。2.一种发光二极管结构，包括：基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄逸儒，罗玉云，吴志凌，黄靖恩，丁绍滢，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71