A thin film transistor (10, 10') comprises a gate electrode (14), a gate dielectric (16), a channel layer (18) and a passivation layer (24) arranged on the gate electrode (14). The channel layer (18) has a first surface (SF) and a relative second surface (SB), wherein the first surface (SF) is disposed on at least a portion of the gate dielectric (16). The channel layer (18) also has a first oxide composition comprising at least one predetermined cation. The passivation layer (24) is arranged at least part of the relative second surface (SB) of the adjacent channel layer (18). The passivation layer (24) has a second oxide composition comprising at least one predetermined cation of the first oxide composition and at least one additional cation which enhances the band gap of the passivation layer (24) relative to the channel layer (18).
【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管本申请是分案申请,其母案是申请日为2010年7月2日、申请号为201080067881.9、专利技术名称为“薄膜晶体管”的申请。专利技术背景本专利技术通常涉及薄膜晶体管。电子装置例如显示器、太阳能电池和集成电路通常包括多个电气组件。电气组件的一个例子是薄膜晶体管。在一些电子装置中,许多薄膜晶体管偶联(couple)在一起来形成电路。已经开发了氧化物基薄膜晶体管,其提供高的迁移率、电稳定性、相对低温的加工和易于使用现有制造技术来集成。附图说明本专利技术实施方案的特征和优点参考下面的详细说明和附图将变得显而易见,在其中相同的附图标记对应于类似的,尽管可能不完全相同的组件。为了简要起见,具有在先所述功能的附图标记或者特征可以结合或者可以不结合有它们出现的其他附图来描述。图1是流程图,其图示了用于形成薄膜晶体管的实施方案的方法的实施方案;图2是薄膜晶体管的实施方案的截面图;图3是薄膜晶体管的另一实施方案的截面图;图4是包括多个薄膜晶体管的装置的实施方案的一部分的截面图;图5是图示了本文所公开的薄膜晶体管的实施方案的整个制作过程中所测量的ID-VGS(漏电流vs.栅-源电压)转换曲线的图表;和图6是图示了在对比薄膜晶体管的整个制作过程中所测量的ID-VGS(漏电流vs.栅-源电压)转换曲线的图表。具体实施方式本文公开的薄膜晶体管的实施方案包括钝化层,其具有与下方的通道层配对的组成。该通道层是半导体氧化物,并且该配对的钝化层是组成与该通道层组成类似的氧化物,除此之外该钝化层还包含一种或多种另外的物质,该物质提高了钝化层相对于通道层的带隙。在一种示例实施方案中, ...
【技术保护点】
1.薄膜晶体管(10,10’),其包括:栅电极(14);布置在该栅电极(14)上的栅电介质(16);通道层(18),其具有第一表面(SF)和相对的第二表面(SB),该第一表面(SF)布置在栅电介质(16)的至少一部分上,该通道层(18)具有第一氧化物组合物;和钝化层(24),其邻接通道层(18)的所述相对的第二表面(SB)的至少一部分布置,该钝化层(24)包含第二氧化物组合物,其中第一氧化物组合物是氧化锌锡且第二氧化物组合物选自氧化锌锡铝和氧化锌锡硅,或者其中第一氧化物组合物是氧化锌铟且第二氧化物组合物选自氧化锌铟铝和氧化锌铟硅。
【技术特征摘要】
1.薄膜晶体管(10,10’),其包括:栅电极(14);布置在该栅电极(14)上的栅电介质(16);通道层(18),其具有第一表面(SF)和相对的第二表面(SB),该第一表面(SF)布置在栅电介质(16)的至少一部分上,该通道层(18)具有第一氧化物组合物;和钝化层(24),其邻接通道层(18)的所述相对的第二表面(SB)的至少一部分布置,该钝化层(24)包含第二氧化物组合物,其中第一氧化物组合物是氧化锌锡且第二氧化物组合物选自氧化锌锡铝和氧化锌锡硅,或者其中第一氧化物组合物是氧化锌铟且第二氧化物组合物选自氧化锌铟铝和氧化锌铟硅。2.权利要求1所述的薄膜晶体管(10,10’),其中在第二氧化物组合物中的元素铝或硅的量是该第二氧化物组合物中的总阳离子物质的20原子%至70原子%。3.权利要求1-2任一项所述的薄膜晶体管(10,10’),还包括邻接钝化层(24)布置的第二钝化层(26),该第二钝化层(26)选自氧化铝、氧化铪、氮化硅、氧化硅、氧氮化硅和氧化锆。4.权利要求1所述的薄膜晶体管(10,10’),还包括:与通道层(18)电接触的至少一个漏极(22);和与通道层(18)电接触的至少一个源极(20);其中钝化层(24)位于通道层(18)的所述相对的第二表面(SB)上,并且至少覆盖位于所述至少一个源极(20)和所述至少一个漏极(22)之间的区域。5.权利要求1所述的薄膜晶体管(10,10’),其中第一氧化物组合物包含至少一种选自铝、氢和氮的掺杂剂物质,和其中该至少一种掺杂剂物质的存在量是第一氧化物组合物中所存在的全部物质的0.5原子%至4原子%。6.薄膜晶体管(10,10’),其包括:基底(12);布置在该基底(12)上的栅电极(14);布置在该栅电极(14)上的栅电介质(16);通道层(18),其具有第一表面(SF)和相对的第二表面(SB),该第一表面(SF)布置在栅电介质(16)的至少一部分上,该通道层(18)具有第一氧化物组合物,该第一氧化物组合物包含选自锌、锡、铟和镓的至少一种阳离子;与通...
【专利技术属性】
技术研发人员:C·克努特森,R·普雷斯利,J·F·沃格,D·克什勒,R·霍夫曼,
申请(专利权)人:惠普发展公司,有限责任合伙企业,俄勒冈州大学,
类型:发明
国别省市:美国,US
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