The invention relates to the field of semiconductor technology, in particular to a storage unit structure of a three-dimensional memory, including: a first metal connection layer for preparing worded lines; a diode preparation layer formed on the upper surface of the first metal connection layer; a gated diode connected with worded lines in the diode preparation layer; and a magnetic tunnel junction formation layer. A magnetic tunneling junction is prepared in the magnetic tunnel junction cambium, which is separately connected with a zigzag line and a gating diode; a second metal linking layer is formed on the upper surface of the magnetic tunnel junction cambium; a bit line is prepared in the second metal linking layer, and the bit line is connected with the magnetic tunnel; and a gating diode is arranged in the magnetic tunnel layer. The turn-on direction is toward the word line, and the large gate diode can be formed, which ensures the driving current of the gate diode and the excellent memory function of the storage unit.
【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器的存储单元结构
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种三维存储器的存储单元结构。
技术介绍
MRAM(MagneticRandomAccessMemory磁性随机存取存储器,简称MRAM)是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器,它采用磁化的方向不同所导致的磁电阻不同来记录0和1,只要外部磁场不改变,磁化的方向就不会变化。MRAM是一种非挥发性的存储器,它拥有静态随机存储器的高速读取写入能力,以及动态随机存储器的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM的数据写入方式有两种:磁场写入模式与全电流写入模式。前者主要利用了字线与位线在MRAM记录单元上所产生的磁场,使MRAM的自由层在磁场的作用下实现与钉扎层平行与反平行方向的翻转,来完成0、1数据的写入。后者利用了自旋转移矩效应,使写入数据线直接通过MRAM记录单元,利用自旋转移矩效应实现磁隧道结的自由层的翻转。目前的一些MRAM的工艺中,往往将磁隧道结的结构形成于选通二极管的上方,然而这样的MRAM结构也存在一些问题,为了降低工艺成本,选通管材料和MRAM材料多层物质最好同步刻蚀,这样做既可以减少光罩数量又可以减少层与层之间的非理想界面态生成。但是由于选通管材料和MRAM材料差异性较大,选通管的耐腐蚀性较弱,所以同步刻蚀的结果很可能造成选通二极管被过度刻蚀,这样其驱动电流也会变得很小,将影响MRAM的正常读写功能。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提出了一种三维存储器的存储单元结构,其中,包括:第一金属连线层,制备有字线;二极管制备层,形成于所述第一金属连线层的上表面;所述二极管制 ...
【技术保护点】
1.一种三维存储器的存储单元结构,其特征在于,包括:第一金属连线层,制备有字线;二极管制备层,形成于所述第一金属连线层的上表面;所述二极管制备层中具有与所述字线连接的选通二极管;磁隧道结形成层,形成于所述二极管制备层的上表面;所述磁隧道结形成层中制备有分别连接所述字线和所述选通二极管的磁隧道结;第二金属连线层,形成于所述磁隧道结形成层的上表面;所述第二金属连线层中制备有位线,所述位线与所述磁隧道结连接;其中,所述选通二极管的导通方向朝向所述字线。
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的存储单元结构,其特征在于,包括:第一金属连线层,制备有字线;二极管制备层,形成于所述第一金属连线层的上表面;所述二极管制备层中具有与所述字线连接的选通二极管;磁隧道结形成层,形成于所述二极管制备层的上表面;所述磁隧道结形成层中制备有分别连接所述字线和所述选通二极管的磁隧道结;第二金属连线层,形成于所述磁隧道结形成层的上表面;所述第二金属连线层中制备有位线,所述位线与所述磁隧道结连接;其中,所述选通二极管的导通方向朝向所述字线。2.根据权利要求1所述的存储单元结构,其特征在于,所述二极管制备层呈梯形,且所述二极管制备层的短边的所在面与所述磁隧道结形成层的底面相适配。3.根据权利要求1所述的存储单元结构,其特征在于,所述二极管制备层中形成有用于连接所述字线和所述选通二极管的第一过...
【专利技术属性】
技术研发人员:王本艳,陈邦明,景蔚亮,寇煦丰,
申请(专利权)人:上海新储集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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