薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的显示设备制造技术

公开了一种薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的显示设备。该薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括：第一导电层，选自TFT的有源层、栅电极、源电极和漏电极；第二导电层，位于与第一导电层不同的层中；以及连接节点，将第一导电层联接至第二导电层。这里，TFT阵列基板具有由第一接触孔和第二接触孔形成的节点接触孔，第一接触孔位于第一导电层中，并且第二接触孔位于第二导电层中，第二接触孔是与第一接触孔一体的并且不通过绝缘层与第一接触孔分离，并且连接节点的至少一部分位于节点接触孔中。

Thin film transistor array substrate and display device including the substrate

A thin film transistor array substrate and a display device including the substrate are disclosed. The thin film transistor (TFT) array substrate comprises a first conductive layer selected from the active layer, gate electrode, source electrode and drain electrode of the TFT; a second conductive layer located in a layer different from the first conductive layer; and a connecting node connecting the first conductive layer to the second conductive layer. Here, the TFT array substrate has a node contact hole formed by a first contact hole and a second contact hole, the first contact hole is located in the first conductive layer, and the second contact hole is located in the second conductive layer, the second contact hole is integrated with the first contact hole and is not separated from the first contact hole through the insulating layer, and the node is connected. At least part of it is located in the node contact hole.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的显示设备本申请是申请日为2013年6月18日、申请号为201310241332.4、名称为“薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的显示设备”的专利技术专利申请的分案申请。相关专利申请的交叉引用本申请要求2012年8月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0093295的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体合并于此。
本专利技术的方面涉及薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的显示设备。
技术介绍
诸如有机发光显示设备和液晶显示设备之类的显示设备可以包括薄膜晶体管(TFT)、电容器以及联接TFT和电容器的导线。显示设备可以通过在基板上形成TFT、电容器和导线的精细图案来制造，并且显示设备通过TFT、电容器和导线之间的复杂连接来操作。随着对紧凑和高分辨率显示器的需求增加，越来越期望显示设备中包含的TFT、电容器和导线之间的高效空间布置和连接结构。
技术实现思路
本专利技术的一个或多个实施例包括具有高效的空间布置和连接结构的薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的显示设备。根据本专利技术的方面，提供一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板，该薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括：第一导电层，选自TFT的有源层、栅电极、源电极和漏电极；第二导电层，位于与所述第一导电层不同的层中；以及连接节点，将所述第一导电层联接至所述第二导电层。这里，所述TFT阵列基板具有由第一接触孔和第二接触孔形成的节点接触孔，所述第一接触孔位于所述第一导电层中，并且所述第二接触孔位于所述第二导电层中，所述第二接触孔是与所述第一接触孔一体的并且不通过绝缘层与所述第一接触孔分离，并且所述连接节点的至少一部分位于所述节点接触孔中。所述连接节点可以位于与所述第一导电层和所述第二导电层不同的层中。所述第一导电层和所述第二导电层可以在所述节点接触孔所在的区域处部分重叠。根据本专利技术的一个或多个实施例，所述绝缘层的边沿不位于所述第一接触孔和所述第二接触孔之间。所述第一导电层或所述第二导电层可以位于与所述有源层相同的层中。所述第一导电层或所述第二导电层可以包括与所述有源层相同的材料。所述绝缘层可以包括：第一绝缘层，位于所述第一导电层与所述第二导电层之间；以及第二绝缘层，位于所述连接节点与所述第一导电层或所述第二导电层中较上面的导电层之间。所述第二绝缘层可以不位于所述第一导电层和所述第二导电层在所述节点接触孔所在的区域处部分重叠的区域。根据本专利技术的另一实施例，一种显示设备包括：多个像素，每个像素包括联接至多条导线并且包括至少一个TFT和至少一个电容器的像素电路、以及联接至所述像素电路的显示器件；第一导电层，位于所述像素中并且选自TFT的有源层、栅电极、源电极和漏电极；第二导电层，位于所述像素中，与所述第一导电层部分重叠并且位于与所述第一导电层不同的层中；以及连接节点，联接所述第一导电层和所述第二导电层。这里，所述显示设备具有由第一接触孔和第二接触孔形成的节点接触孔，所述第一接触孔位于所述第一导电层中，并且所述第二接触孔位于所述第二导电层中，所述第二接触孔是与所述第一接触孔一体的并且不通过绝缘层与所述第一接触孔分离，并且所述连接节点的至少一部分位于所述节点接触孔中。所述连接节点可以位于与所述第一导电层和所述第二导电层不同的层中。所述第一导电层和所述第二导电层可以在所述节点接触孔所在的区域处部分重叠。根据本专利技术的一个或多个实施例，所述绝缘层的边沿不位于所述第一接触孔和所述第二接触孔之间。所述第二导电层可以包括电容器的电极。所述第二导电层可以包括从所述多条导线延伸的层。所述连接节点可以位于与所述多条导线中向所述像素电路提供数据信号的数据导线相同的层上。所述第一导电层或所述第二导电层可以位于与所述有源层相同的层中。所述第一导电层或所述第二导电层可以包括与所述有源层相同的材料。所述第一导电层或所述第二导电层可以包括掺杂的多晶硅。所述绝缘层可以包括：第一绝缘层，位于所述第一导电层与所述第二导电层之间；以及第二绝缘层，位于所述连接节点与所述第一导电层和所述第二导电层中较上面的导电层之间的第二绝缘层。所述第二绝缘层可以不位于所述第一导电层和所述第二导电层在所述节点接触孔所在的区域处部分重叠的区域。所述显示器件可以包括有机发光二极管(OLED)，所述有机发光二极管(OLED)包括第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层。在所述OLED和所述连接节点之间可以有平坦化层。根据本专利技术的又一实施例，一种显示设备包括：多个像素，每个像素包括联接至多条导线并且包括至少一个TFT和至少一个电容器的像素电路、以及联接至所述像素电路的显示器件；第一导电层，位于所述多个像素中；第二导电层，位于所述像素中、与所述第一导电层部分重叠并且位于与所述第一导电层不同的层中；以及连接节点，将所述第一导电层联接至所述第二导电层。这里，所述显示设备具有由第一接触孔和第二接触孔形成的节点接触孔，所述第一接触孔位于所述第一导电层中，并且所述第二接触孔位于所述第二导电层中，所述第二接触孔是与所述第一接触孔一体的并且不通过绝缘层与所述第一接触孔分离，并且所述连接节点的至少一部分位于所述节点接触孔中。所述第一导电层可以选自所述至少一个TFT的有源层、栅电极、源电极和漏电极。所述显示器件可以包括OLED，所述OLED包括第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层。在所述OLED和所述连接节点之间可以有平坦化层。附图说明从下面参照附图对本专利技术实施例的详细描述中，本专利技术的上述及其它特征和方面将变得更加明显，附图中：图1是根据本专利技术第一实施例的有机发光显示(OLED)设备的像素的示意平面图；图2是从图1的线A-A′截取的示意截面图；图3是图1的像素的电路图；图4是图1的像素的截面图；图5是根据第一对比示例的有机发光显示设备的像素的示意平面图；图6是图5的线B-B′的示意截面图；图7是根据本专利技术第二实施例的有机发光显示设备的像素的示意平面图；图8是图7的线C-C′的示意截面图；图9是图7的像素的电路图；图10是图7的像素的截面图；图11是根据第二对比示例的有机发光显示设备的像素的示意平面图；以及图12是图11的线D-D′的示意截面图。具体实施方式在下面的详细描述中，仅示出和描述本专利技术的特定示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同方式修改所描述的实施例，只要所有方式均不背离本专利技术的精神或范围。因此，附图和描述在本质上应被认为是示例性的而非限制性的。在整个说明书中，相同的附图标记代表相同的元件。在各个实施例中，具有相同构造的元件在第一实施例中通过使用相同的附图标记代表性地描述，而与第一实施例中描述的构造不同的构造在其它实施例中描述。附图中示出的元件的尺寸和厚度是为了描述方便的目的，因此本专利技术不一定局限于此。为了清楚起见，层和区域的厚度可以在附图中扩大。当诸如层、膜、区域或板之类的元件被提及位于另一元件“上”时，该元件可以直接位于另一元件上，或者一个或多个中间元件可以在该元件与另一元件之间插入。此外，当一元件被提及“联接(例如电联接或连接)”至另一元件时，其可以直接联接至另一元件，或者可以通过将一个或多个中间元件插入二者本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板，包括：开关TFT，包括源电极和漏电极；驱动TFT，包括连接到所述源电极或所述漏电极的栅电极；电容器；节点接触孔，设置在所述电容器的第一电极处；以及连接节点，所述连接节点延伸穿过所述节点接触孔以与所述驱动TFT的所述栅电极接触，并且延伸穿过所述节点接触孔以与所述电容器的所述第一电极接触，所述连接节点在大致平行于所述TFT阵列基板的第一大致平坦表面上与所述驱动TFT的所述栅电极直接接触，并且所述连接节点在大致平行于所述TFT阵列基板的第二大致平坦表面上与所述电容器的所述第一电极直接接触。

【技术特征摘要】
2012.08.24 KR 10-2012-00932951.一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板，包括：开关TFT，包括源电极和漏电极；驱动TFT，包括连接到所述源电极或所述漏电极的栅电极；电容器；节点接触孔，设置在所述电容器的第一电极处；以及连接节点，所述连接节点延伸穿过所述节点接触孔以与所述驱动TFT的所述栅电极接触，并且延伸穿过所述节点接触孔以与所述电容器的所述第一电极接触，所述连接节点在大致平行于所述TFT阵列基板的第一大致平坦表面上与所述驱动TFT的所述栅电极直接接触，并且所述连接节点在大致平行于所述TFT阵列基板的第二大致平坦表面上与所述电容器的所述第一电极直接接触。2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其中所述栅电极与所述电容器的所述第一电极在所述第一大致平坦表面与所述第二大致平坦表面之间的重叠区处重叠。3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，进一步包括：栅绝缘层，位于所述栅电极与所述电容器的所述第一电极之间，并且其中所述栅绝缘层与所述栅电极在所述重叠区处重叠。4.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，进一步包括：层间绝缘层，位于所述栅电极与所述源电极及所述漏电极之间，并且其中所述层间绝缘层不位于所述重叠区处。5.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其中所述连接节点包括与所述源电极和所述漏电极相同的材料。6.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其中所述驱动TFT进一步包括有源层，并且其中所述电容器的所述第一电极与所述有源层位于相同的层中。7.根据权利要求6所述的TFT阵列基板，其中所述电容器的所述第一电极包括与所述有源层相同的材料。8.一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板，包括：开关TFT，包括源电极和漏电极；...

【专利技术属性】
技术研发人员：李元世，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR