The invention discloses a method for manufacturing semiconductor components. First, a substrate is provided with a conductive region. A metal layer is deposited on the conductive region, wherein the metal layer reacts with the silicon in the conductive region to form a first silicified metal layer with a percentage of the first metal atom. Then a titanium nitride layer is deposited on the metal layer. A dielectric cover is deposited on the titanium nitride layer. After annealing, the first silicified metal layer is transformed into a second silicified metal layer with a second metal atom percentage, wherein the second metal atom percentage is less than the first metal atom percentage.
【技术实现步骤摘要】
制作半导体元件的方法
本专利技术涉及半导体制作工艺
,特别是涉及一种改良的半导体接触元件的制作方法。
技术介绍
随着半导体元件中的集成度增加,存储单元的面积相应地快速减小。存储单元中的布线区域和布线之间的间隙也减小。另外,用于电连接隔离元件区域的接触结构的面积也越来越小。因此,如何降低接触结构的阻值已成为此
的一项挑战。在相关现有技术中,美国专利公开号US2008/0081472披露了一种半导体元件的制作方法,其教示在接触插塞上形成一钴金属层,再加以热处理,使形成硅化钴层,再以不含过氧化氢的硫酸溶液去除未反应的钴金属层。美国专利US6,551,927B1号公开一种改善接面漏电的硅化钴制作工艺,其教示在钴金属层上另沉积一富含钛氮化钛层以及一氮化钛层,待钴金属层与硅基底反应形成硅化钴层之后,再去除此富含钛氮化钛层以及氮化钛层。然而,上述现有技术仍有缺点需要改进。举例来说,由于氮化钛层具有柱状晶体结构,氧气仍会穿透氮化钛层与钴金属层接触,产生氧化钴,残留在硅化钴层表面,影响元件的电性表现。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种改良的半导体元件的制作方法,以解决上述现有技术的不足与缺点。本专利技术提供一种制作半导体元件的方法。根据本专利技术一实施例,首先提供一基底,其上具有多个元件结构及多个导电区域,位于该多个元件结构之间。各该导电区域包含硅。再于该多个元件结构及该多个导电区域上沉积一金属层,其中该金属层与各该导电区域的硅反应形成一第一硅化金属层,其具有一第一金属原子百分比。该第一硅化金属层上仍有未反应完的该金属层。接着于该金属层上沉积一氮化钛层 ...
【技术保护点】
1.一种制作半导体元件的方法,包含:提供一基底,其上具有多个元件结构及多个导电区域,位于该多个元件结构之间,其中各该导电区域包含硅;在该多个元件结构及该多个导电区域上沉积一金属层,其中该金属层与各该导电区域的硅反应形成一第一硅化金属层,其具有一第一金属原子百分比,其中该第一硅化金属层上仍有未反应完的该金属层;在该金属层上沉积一氮化钛层;在该氮化钛层上沉积一介电盖层;以及进行一退火制作工艺,将具有该第一金属原子百分比的该第一硅化金属层转变成一具有一第二金属原子百分比的第二硅化金属层,其中该第二金属原子百分比小于该第一金属原子百分比。
【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法,包含:提供一基底,其上具有多个元件结构及多个导电区域,位于该多个元件结构之间,其中各该导电区域包含硅;在该多个元件结构及该多个导电区域上沉积一金属层,其中该金属层与各该导电区域的硅反应形成一第一硅化金属层,其具有一第一金属原子百分比,其中该第一硅化金属层上仍有未反应完的该金属层;在该金属层上沉积一氮化钛层;在该氮化钛层上沉积一介电盖层;以及进行一退火制作工艺,将具有该第一金属原子百分比的该第一硅化金属层转变成一具有一第二金属原子百分比的第二硅化金属层,其中该第二金属原子百分比小于该第一金属原子百分比。2.如权利要求1所述的制作半导体元件的方法,其中该导电区域包含一硅化锗层。3.如权利要求2所述的制作半导体元件的方法,其中该第一硅化金属层直接形成于该硅化锗层上。4.如权利要求2所述的制作半导体元件的方法,其中该硅化锗层掺杂有N型掺质。5.如权利要求2所述的制作半导体元件的方法,其中各该导电区域另包含有掺杂区,直接位于该硅化锗层下方。6.如权利要求5所述的制作半导体元件的方法,其中该掺杂区为N+掺杂区。7.如权利要求1所述的制作半导体元件的方法,其中该介电盖层包含氮化硅层。8.如权利要求1所述的制作半导体元件的方法,其中该介电盖层包含碳化硅层。9.如权利要求1所述的制作半导体元件的方法,其中该介电盖层包含硅碳...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴佳臻,陈品宏,张凯钧,黄怡安,蔡志杰,陈姿洁,郑存闵,陈意维,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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