A semiconductor device including a resistor structure on a semiconductor substrate is provided. The resistor structure includes a pad portion and a resistor body connected to the pad portion. The pad portion has a width greater than the width of the resistor body. The pad part includes a pad pattern and a liner pattern covering the side wall and the lower surface of the pad pattern. The resistor body extends laterally from the lining pattern. The pad pattern includes material different from the resistor body and the liner pattern.
【技术实现步骤摘要】
包括电阻器的半导体器件相关申请的交叉引用本申请基于35U.S.C.§119要求2017年3月3日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2017-0027699的优先权,其全部公开内容通过引用合并于此。
本专利技术构思的实施例总体上涉及半导体器件,并且更具体地涉及包括电阻器的半导体器件。
技术介绍
半导体器件通常包括晶体管、二极管、电容器、电阻器等。在包括电阻器的半导体器件中,电阻器通常由用于形成栅电极或互连线的低电阻率金属形成,因此需要增加电阻器的长度以满足电阻器的期望的电阻量值。电阻器的增加的长度导致在半导体器件中占据更大面积的更大的电阻器,随着半导体器件变得越来越小,这呈现了问题。
技术实现思路
本专利技术构思的一些实施例提供了一种在半导体衬底上包括半导体衬底和电阻器结构的半导体器件。所述电阻器结构包括焊盘部分和连接所述焊盘部分的电阻器主体。焊盘部分均具有比电阻器主体的宽度大的宽度。焊盘部分均包括焊盘图案和覆盖焊盘图案的侧壁和下表面的衬里图案。所述电阻器主体从所述衬里图案横向地延伸。所述焊盘图案包括与所述电阻器主体和所述衬里图案不同的材料。本专利技术构思的另外的实施例提供了一种半导体器件,该半导体器件包括半导体衬底、半导体衬底上的第一电阻器结构以及半导体衬底上的第一晶体管。第一晶体管包括第一栅极结构,第一栅极结构包括第一栅电极结构和覆盖所述第一栅电极结构的侧壁和下表面的第一栅电介质层。所述第一栅电极结构包括第一栅电极图案和第二栅电极图案。所述第一栅电极图案覆盖所述第二栅电极图案的侧壁和下表面并且包括具有比所述第二栅电极图案高的电阻率的导电材料。第一 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件,包括:半导体衬底;以及电阻器结构,在所述半导体衬底上,其中所述电阻器结构包括焊盘部分和连接所述焊盘部分的电阻器主体;其中每一个所述焊盘部分的宽度大于所述电阻器主体的宽度,其中每一个所述焊盘部分包括焊盘图案和覆盖所述焊盘图案的侧壁和下表面的衬里图案;其中所述电阻器主体从所述衬里图案横向地延伸;以及其中所述焊盘图案包括与所述电阻器主体和所述衬里图案不同的材料。
【技术特征摘要】
2017.03.03 KR 10-2017-00276991.一种半导体器件,包括:半导体衬底;以及电阻器结构,在所述半导体衬底上,其中所述电阻器结构包括焊盘部分和连接所述焊盘部分的电阻器主体;其中每一个所述焊盘部分的宽度大于所述电阻器主体的宽度,其中每一个所述焊盘部分包括焊盘图案和覆盖所述焊盘图案的侧壁和下表面的衬里图案;其中所述电阻器主体从所述衬里图案横向地延伸;以及其中所述焊盘图案包括与所述电阻器主体和所述衬里图案不同的材料。2.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括覆盖所述电阻器结构的侧壁和下表面的电阻器电介质层。3.根据权利要求2所述的半导体器件,还包括在所述半导体衬底上的下部绝缘结构,所述下部绝缘结构包括开口,其中所述电阻器结构和所述电阻器电介质层填充所述下部绝缘结构的开口。4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,所述电阻器电介质层具有比所述下部绝缘结构高的介电常数。5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述电阻器主体包括电阻率比所述焊盘图案高的材料。6.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:在所述半导体衬底上的隔离区,所述隔离区限定有源区和保护环;以及在所述半导体衬底上的晶体管,所述晶体管包括与所述有源区相交的栅极结构,其中所述栅极结构包括栅电极结构和覆盖所述栅电极结构的侧壁和下表面的栅电介质结构;其中所述栅电极结构包括第一栅电极图案和第二栅电极图案,其中所述第二栅电极图案具有柱形状并且包括与所述焊盘图案相同的材料;以及其中所述第一栅电极图案覆盖所述第二栅电极图案的侧壁和下表面,并且包括与所述衬里图案和所述电阻器主体相同的材料。7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述电阻器结构设置在由所述保护环围绕的隔离区上。8.根据权利要求1所述的半导体器件:其中所述衬里图案和所述电阻器主体均包括第一导电层和第二导电层;其中所述焊盘图案具有柱形状;其中所述衬里图案的所述第二导电层比所述衬里图案的所述第一导电层更接近所述焊盘图案,并且覆盖所述焊盘图案的所述侧壁和所述下表面;以及其中所述电阻器主体的所述第二导电层从所述衬里图案的所述第二导电层横向地延伸。9.根据权利要求1所述的半导体器件:其中所述焊盘图案包括第一焊盘层和第二焊盘层;其中所述第二焊盘层具有柱形状;以及其中所述第一焊盘层覆盖所述第二焊盘层的侧壁和下表面。10.根据权利要求1所述的半导体器件:其中在所述电阻器结构中,所述焊盘部分包括端部焊盘部分和所述端部焊盘部分之间的中间焊盘部分;以及其中所述电阻器主体连接在所述端部焊盘部分和所述中间焊盘部分之间。11.一种半导体器件,包括:半导体衬底;第一电阻器结构,在所述半导体衬底上;以及第一晶体管,在所述半导体衬底上,其中所述第一晶体管包括第一栅极结构;其中所述第一栅极结构包括第一栅电极结构和覆盖所述第一栅电极结构的侧壁和下表面的第一栅...
【专利技术属性】
技术研发人员:禹孝锡,尹壮根,任峻成,黄盛珉,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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