集成电路装置制造方法及图纸

提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。

Integrated circuit device

An integrated circuit device is provided. The integrated circuit device comprises an insulating film located on a substrate, a lower wiring layer penetrating at least a part of the insulating film, and a lower wiring layer comprising a first metal; a lower conductive barrier film surrounding the bottom surface and side wall of the lower wiring layer, and a lower conductive barrier film comprising a second metal different from the first metal; and a first metal silicide cover. The first metal silicide cover includes the first metal; the second metal silicide cover contacts the first metal silicide cover and is arranged on the lower conductive barrier film; and the second metal silicide cover comprises the second metal.

【技术实现步骤摘要】
集成电路装置于2017年3月6日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0028549号且名称为“集成电路装置(IntegratedCircuitDevice)”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。
实施例涉及一种集成电路装置，更具体地，涉及一种包括金属布线层的集成电路装置。
技术介绍
由于电子技术的发展，集成电路装置在近几年已经按比例缩小，因此，集成电路装置中包括的金属布线层的线宽和节距减小了。因此，需要开发一种包括呈现出改善的可靠性的低电阻金属布线层的集成电路装置。
技术实现思路
根据实施例的一方面，提供了一种集成电路装置，集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。根据实施例的另一方面，提供了一种集成电路装置，集成电路装置包括：鳍式有源区，从基底向上突出；多个源区和漏区，填充鳍式有源区中的多个凹进区；栅极线，位于鳍式有源区上，栅极线在与鳍式有源区相交的方向上延伸；源极接触件和漏极接触件，连接到来自多个源区和漏区之中的一个源区和漏区的顶表面；栅极接触件，连接到栅极线的顶表面，其中，源极接触件、漏极接触件和栅极接触件中的至少一个包括：下布线层，包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，并且包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，并且包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层，设置在下导电阻挡膜上，并且包括第二金属。根据实施例的又一方面，提供了一种集成电路装置，集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下布线阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，设置在下导电阻挡膜的顶表面上并且包括第二金属，第一金属硅化物盖层的侧边表面和第二金属硅化物盖层的侧边表面彼此接触。附图说明通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对于本领域普通技术人员来说将变得明显，在附图中：图1A示出根据实施例的集成电路装置的一些组件的平面布置的平面图；图1B示出沿图1A的线B-B'的剖视图；图1C示出沿图1A的线C-C'的剖视图；图2至图5示出根据其它实施例的集成电路装置的主要组件的剖视图；图6A至图6G示出根据实施例的制造集成电路装置的方法中的步骤的剖视图；图7A至图7C示出根据实施例的制造集成电路装置的方法中的步骤的剖视图；图8A至图8C示出根据实施例的制造集成电路装置的方法中的步骤的剖视图；图9A至图9D示出根据实施例的制造集成电路装置的方法中的步骤的剖视图；图10A和图10B示出根据实施例的制造集成电路装置的方法中的步骤的剖视图；图11示出根据另一实施例的集成电路装置的示意性布局图；图12A示出沿图11的线X1-X1'和线X2-X2'的剖视图；以及图12B示出沿图11的线Y-Y'的剖视图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细地描述实施例。贯穿说明书将通过同样的附图标记来指示同样的组件，并将省略对其重复的描述。图1A至图1C是示出根据实施例的集成电路装置的图。图1A是示出集成电路装置100的一些组件的平面布置的示例的平面图，图1B和图1C是示出集成电路装置100的主要组件的剖视图。具体地，图1B是集成电路装置100的与沿图1A的线B-B'截取的剖面对应的部分的剖视图，图1C是集成电路装置100的与沿图1A的线C-C'截取的剖面对应的部分的剖视图。参照图1A至图1C，集成电路装置100可以包括下布线层130、下导电阻挡膜132、第一金属硅化物盖层140和第二金属硅化物盖层142，其中，下布线层130包括第一金属并且贯穿基底110之上的第一绝缘膜124的至少一部分，下导电阻挡膜132围绕下布线层130的底表面和侧壁并且包括与第一金属不同的第二金属，第一金属硅化物盖层140覆盖下布线层130的顶表面并且包括第一金属，第二金属硅化物盖层142接触第一金属硅化物盖层140、设置在下导电阻挡膜132上并且包括第二金属。在一个实施例中，第一金属硅化物盖层140的侧边表面和第二金属硅化物盖层142的侧边表面彼此接触。在一个实施例中，第一金属硅化物盖层140和第二金属硅化物盖层142分别完全地覆盖下布线层130的顶表面和下导电阻挡膜132的顶表面。基底110可以包括例如Si或Ge的半导体，或者例如SiGe、SiC、GaAs、InAs或InP的化合物半导体。基底110可以包括导电区域。导电区域可以包括掺杂杂质的阱、掺杂杂质的结构或导电层。下绝缘膜114和贯穿下绝缘膜114的下导电膜120可以布置在基底110上。下绝缘膜114可以包括氧化硅膜。在一些实施例中，下绝缘膜114可以包括氧化硅，例如，等离子体增强氧化物(PEOX)、正硅酸四乙酯(TEOS)、硼TEOS(BTEOS)、磷TEOS(PTEOS)、硼磷TEOS(BPTEOS)、硼硅玻璃(BSG)、磷硅玻璃(PSG)、硼磷硅玻璃(BPSG)等。下导电膜120可以是栅极线、源区/漏区或布线层。在一些实施例中，下导电膜120可以是包括金属膜和围绕金属膜的导电阻挡膜的布线层。金属膜可以包括例如Co、Cu、W或Al。导电阻挡膜可以包括例如Ti、TiN、Ta、TaN或者其组合。在一些其它实施例中，下导电膜120可以是包括在基底110的有源区上的半导体外延层(例如，外延生长的Si层、外延生长的SiC层或外延生长的SiGe层)的源区/漏区。在另一些实施例中，下导电膜120可以是包括在基底110上的含功函数金属的层的栅极线。含功函数金属的层可以包括例如Ti、W、Ru、Nb、Mo、Hf、Ni、Co、Pt、Yb、Tb、Dy、Er和Pd中的至少一种金属。栅极线还可以包括覆盖含功函数金属的层的间隙填充金属膜。间隙填充金属膜可以包括例如W膜或Al膜。在一些实施例中，栅极线可以包括例如TiAlC/TiN/W的堆叠结构、TiN/TaN/TiAlC/TiN/W的堆叠结构或TiN/TaN/TiN/TiAlC/TiN/W的堆叠结构。第一绝缘膜124可以形成在下绝缘膜114上，下布线层130和下导电阻挡膜132可以穿过第一绝缘膜124延伸到下导电膜120。第一绝缘膜124的构成材料与相对于下绝缘膜114描述的构成材料基本相同。在一些实施例中，构成下布线层130的第一金属可以是例如Co、W、Cu、Ru、Mn、Ti、Ta及其组合中的至少一种，即，下布线层130可以包括例如Co、W、Cu、Ru、Mn、Ti、Ta及其组合。第一金属硅化物盖层140可以包括包含第一金属的硅化物。例如，如果第一金属是Co，则下布线层130可以包括Co膜，第一金属硅化物盖层140可以包括硅化钴膜。构成下导电阻挡膜132的第二金属是与第一金属不同的金属，并且可以是例如Ti或Ta。例如，下导电阻挡膜132可以包括例如Ti本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。

【技术特征摘要】
2017.03.06 KR 10-2017-00285491.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，第一金属硅化物盖层包括：第一下金属硅化物盖层，包括第一金属；第一上金属硅化物盖层，包括与第一金属不同的第三金属，第一下金属硅化物盖层位于下布线层和第一上金属硅化物盖层之间。3.根据权利要求2所述的集成电路装置，其中，第三金属包括与第二金属相同的金属。4.根据权利要求1所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括绝缘盖层，绝缘盖层覆盖第一金属硅化物盖层的顶表面、第二金属硅化物盖层的顶表面和绝缘膜的顶表面。5.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，绝缘盖层是包括硅膜的单层。6.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，绝缘盖层包括硅膜、氮化物膜、碳化物膜或其组合。7.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，绝缘盖层是包括硅膜、绝缘膜和氮化物膜的多层，绝缘膜包括金属，氮化物膜不包括金属。8.根据权利要求4所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括贯穿绝缘盖层并且经由第一金属硅化物盖层连接到下布线层的上布线层。9.根据权利要求8所述的集成电路装置，其中，上布线层包括与第一金属不同的第四金属。10.根据权利要求1所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：栅极线，位于基底上；一对源区和漏区，位于栅极线的相对的侧处，其中，下布线层连接到所述一对源区和漏区与栅极线中的一个。11.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：鳍式有源区，从基底向上突出；多个源区和漏区，填充鳍式有源区中的多个凹进区；栅极线，位于鳍式有源区上，栅极线在与鳍式有源区相交的方向上延伸；源极接触件和漏极接触件，连接到来自所述多个源区和漏区之中的一个源区和漏区的顶表面；栅极接触件，连接到栅极线的顶表面，其中，源极接触件、漏极接触件...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴相真，权奇相，白在职，高镛璿，李光旭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR