集成电感及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种电感，其一实施例包含：一第一金属走线线圈，该第一金属走线线圈相较于一第一轴方向的布局实质上是对称的；一第二金属走线线圈，该第二金属走线线圈相较于一第二轴方向的布局实质上是该第一金属走线线圈的一镜像，其中该第二轴方向实质上是垂直于该第一轴方向；一第一耦合电容，用来提供该第一金属走线线圈的一第一线段与该第二金属走线线圈的一第一相对应线段之间的一电容性耦合，其中该第一相对应线段是对应该第一线段；以及一第二耦合电容，用来提供该第一金属走线线圈的一第二线段与该第二金属走线线圈的一第二相对应线段之间的一电容性耦合，其中该第二相对应线段是对应该第二线段。

Integrated inductor and its manufacturing method

The invention discloses an inductance, one embodiment of which comprises: a first metal wire coil, which is essentially symmetrical with respect to the layout in the direction of a first axis; a second metal wire coil, which is essentially a first metal wire layout in the direction of a second axis, and a second metal wire layout in the direction of a second axis. A mirror image of a wire coil in which the direction of the second axis is essentially perpendicular to the direction of the first axis; a first coupling capacitor is used to provide a capacitive coupling between a first segment of the first metal wire coil and a first corresponding segment of the second metal wire coil, wherein the first corresponding segment corresponds The first line segment and a second coupling capacitance are used to provide a capacitive coupling between a second line segment of the first metal line coil and a second corresponding line segment of the second metal line coil, wherein the second corresponding line segment is the corresponding second line segment.

【技术实现步骤摘要】
集成电感及其制造方法
本专利技术大体上涉及电感设计，尤其涉及能够改善品质因素(qualityfactor)的电感设计。
技术介绍
电感广泛地用于多种应用中。一种近来的趋势是在一集成电路的一单晶片上包含多个电感。一集成电路的一单晶片上共存的多个电感会涉及一个严重的问题，亦即该些电感间会存在一不需要的电磁耦合(undesiredmagneticcoupling)，其对该集成电路的功能而言是有害的，为减少该些电感之间的不需要的电磁耦合，任意两个电感之间通常需要一够大的实体距离(physicalseparation)，此导致了扩大整体面积的需求，从而导致该集成电路的成本的增加。鉴于上述，本领域需要的是一种建构电感的方法，所建构的电感本质上须较不受一电磁耦合的影响，该电磁耦合是指所建构的电感与制造于同一集成电路的晶片上的其它电感之间的电磁耦合。
技术实现思路
依据本专利技术的一实施例，一电感包含：一第一金属走线线圈，该第一金属走线线圈相较于一第一轴方向的布局实质上是对称的；一第二金属走线线圈，该第二金属走线线圈相较于一第二轴方向的布局实质上是该第一金属走线线圈的一镜像(mirrorimage)，其中该第二轴方向实质上是垂直于该第一轴方向；一第一耦合电容，用来提供该第一金属走线线圈的一第一线段与该第二金属走线线圈的一第一相对应线段之间的一电容性耦合(capacitivecoupling)，其中该第一相对应线段是对应该第一线段(acounterpartofthefirstsegment)；以及一第二耦合电容，用来提供该第一金属走线线圈的一第二线段与该第二金属走线线圈的一第二相对应线段之间的一电容性耦合，其中该第二相对应线段是对应该第二线段(acounterpartofthesecondsegment)。依据本专利技术的一实施例，相较于该第一轴方向，该第一耦合电容实质上是该第二耦合电容的一镜像。依据本专利技术的一实施例，该第一线段与该第二线段分别位于该第一金属走线线圈的一第一末端的附近与该第一金属走线线圈的一第二末端的附近。依据本专利技术的一实施例，一差分信号的一第一电压与该差分信号的一第二电压分别施加于该第一末端与该第二末端。依据本专利技术的一实施例，该第一金属走线线圈进一步包含一中央抽头(centertap)，该中央抽头实质上位于该第一金属走线线圈的一中点，其中该中央抽头耦接一电压源或一电流源。依据本专利技术的一实施例，该第二金属走线线圈进一步包含一中央抽头，其实质上位于该第二金属走线线圈的一中点，其中该中央抽头耦接一电压源或一电流源。依据本专利技术的一实施例，一方法包含下列步骤：提供(incorporating，具现)一第一金属走线线圈，该第一金属走线线圈相较于一第一轴方向的布局实质上是对称的；提供一第二金属走线线圈，该第二金属走线线圈相较于一第二轴方向的布局实质上是该第一金属走线线圈的一镜像；提供一第一耦合电容，该第一耦合电容用来提供该第一金属走线线圈的一第一线段与该第二金属走线线圈的一第一相对应线段之间的一电容性耦合；以及提供一第二耦合电容，该第二耦合电容用来提供该第一金属走线线圈的一第二线段与该第二金属走线线圈的一第二相对应线段之间的一电容性耦合。依据本专利技术的一实施例，相较于该第一轴方向，该第一耦合电容实质上是该第二耦合电容的一镜像。依据本专利技术的一实施例，该第一线段与该第二线段分别位于该第一金属走线线圈的一第一末端的附近与该第一金属走线线圈的一第二末端的附近。依据本专利技术的一实施例，一差分信号的一第一电压与该差分信号的一第二电压分别施加于该第一末端与该第二末端。依据本专利技术的一实施例，该第一金属走线线圈进一步包含一中央抽头，该中央抽头实质上位于该第一金属走线线圈的一中点，其中该中央抽头耦接一电压源或一电流源。依据本专利技术的一实施例，该第二金属走线线圈进一步包含一中央抽头，其实质上位于该第二金属走线线圈的一中点，其中该中央抽头耦接一电压源或一电流源。附图说明图1依据本专利技术的一实施例显示一电感的布局的顶视图；以及图2依据本专利技术的一实施例显示一流程图。附图标记说明：100电感110第一金属走线线圈111第一末端112第二末端113第一中央抽头114第一线段115第二线段120第二金属走线线圈121第三末端122第四末端123第二中央抽头124第三线段125第四线段131第一耦合电容132第二耦合电容I1、I2电流201～204步骤具体实施方式本专利技术涉及电感。本说明书叙述了本专利技术的数个范例性的实施例。值得注意的是，本专利技术可以多种方式来实现，不限于底下所述的特定范例，也不限于实施所述范例的技术特征时所采用的特定方式。此外，现有的技术细节不会被显示或说明，以避免妨碍本专利技术的呈现。本领域技术人员了解本公开所使用的微电子领域的用语与基本概念，所述用语与基本概念例如是电压、信号、差分信号、共模、电容、电感、交流、交流耦合、直流、直流耦合、电压源与电源流。图1依据本专利技术的一实施例所示出的一电感100的布局(layout)的顶视图。电感100是被制造于一硅基板上，并包含一第一金属走线线圈(firstcoilofmetaltrace)110、一第二金属走线线圈120、一第一耦合电容131以及一第二耦合电容132。为避免赘述，后文中第一金属走线线圈110将被简称为第一线圈110，而第二金属走线线圈120将被简称为第二线圈120。第一线圈110被适当地布局，从而相较于一第一轴方向，第一线圈110的布局高度地对称。第二线圈120被适当地布局，从而相较于一第二轴方向，第二线圈120的布局近似于第一线圈110的一实质镜像(substantialmirrorimage)，其中该第二轴方向实质上是垂直于该第一轴方向。第一线圈110开始于一第一末端111，并结束于一第二末端112；而第二线圈120开始于一第三末端121，并结束于一第四末端122。第一耦合电容131是用来提供一第一线段114与一第三线段124之间的一电容性耦合(capacitivecoupling)；第二耦合电容132是用来提供一第二线段115与一第四线段125之间的一电容性耦合(capacitivecoupling)。在本实施例中，第一线段114是位于第一线圈110之内，且靠近第一末端111，第二线段115是位于第一线圈110之内，且靠近第二末端112；第三线段124是位于第二线圈120之内，且靠近第三末端121，第四线段125是位于第二线圈120之内，且靠近第四末端122。于一非限制性的例子中，第一耦合电容131与第二耦合电容132均为指叉式形态(interdigitaltopology)，第一耦合电容131及第二耦合电容132分别包含一第一组及一第二组的金属走线，第一组的金属走线从第一线段114几乎延伸至第三线段124，但并未接触第三线段124，而第二组的金属走线从第二线段115几乎延伸至第四线段125，但并未接触第四线段125；类似地，第一耦合电容131及第二耦合电容132分别包含一第三组及一第四组的金属走线，第三组的金属走线从第三线段124几乎延伸至第一线段114，但并未接触第一线段114，第四组的金属走线从第四线段125几乎延伸至第二线段115，但并未接触第二线段115，其中该第一组的金属走线与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电感，包含：一第一金属走线线圈，该第一金属走线线圈相较于一第一轴方向的布局是对称的；一第二金属走线线圈，该第二金属走线线圈相较于一第二轴方向的布局是该第一金属走线线圈的一镜像，其中该第二轴方向是垂直于该第一轴方向；一第一耦合电容，用来提供该第一金属走线线圈的一第一线段与该第二金属走线线圈的一第一相对应线段之间的一电容性耦合，其中该第一相对应线段是对应该第一线段；以及一第二耦合电容，用来提供该第一金属走线线圈的一第二线段与该第二金属走线线圈的一第二相对应线段之间的一电容性耦合，其中该第二相对应线段是对应该第二线段。

【技术特征摘要】
2017.03.01 US 15/446,0431.一种电感，包含：一第一金属走线线圈，该第一金属走线线圈相较于一第一轴方向的布局是对称的；一第二金属走线线圈，该第二金属走线线圈相较于一第二轴方向的布局是该第一金属走线线圈的一镜像，其中该第二轴方向是垂直于该第一轴方向；一第一耦合电容，用来提供该第一金属走线线圈的一第一线段与该第二金属走线线圈的一第一相对应线段之间的一电容性耦合，其中该第一相对应线段是对应该第一线段；以及一第二耦合电容，用来提供该第一金属走线线圈的一第二线段与该第二金属走线线圈的一第二相对应线段之间的一电容性耦合，其中该第二相对应线段是对应该第二线段。2.如权利要求1所述的电感，其中相较于该第一轴方向，该第一耦合电容是该第二耦合电容的一镜像。3.如权利要求1所述的电感，其中一差分信号的一第一电压与该差分信号的一第二电压分别施加于该第一金属走线线圈的一第一末端与该第一金属走线线圈的一第二末端。4.如权利要求1所述的电感，其中该第一金属走线线圈进一步包含一中央抽头，该中央抽头位于该第一金属走线线圈的一中点，其中该中央抽头耦接一电压源或一电流源。5.如权利要求1所述的电感，其中该第二金属走线线圈进一步包含一中央抽头，该中央抽头位于该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁宝文，林嘉亮，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71