The invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing semiconductor devices. The invention discloses a semiconductor substrate which comprises a plurality of semiconductor tube cores and has a saw channel between the semiconductor tube cores. A plurality of bumps are formed on the first surface of the semiconductor die. The insulating layer is formed between the bumps on the first surface of the semiconductor die. A portion of the second surface of the semiconductor core is removed and a conductive layer is formed on the remaining second surface. The semiconductor substrate is arranged on a cutting tape, cutting the semiconductor substrate through a saw path, while maintaining the position of the semiconductor core, and expanding the cutting tape to give the semiconductor core movement and increase the space between the semiconductor core. The sealant is deposited on the semiconductor die and enters the space between the semiconductor dies. A channel is formed between the semiconductor tube through the sealant to separate the semiconductor die.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件以及制造半导体器件的方法
本专利技术整体涉及半导体器件,具体地讲涉及半导体器件以及形成晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)的方法,并且更具体地讲,涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。
技术介绍
半导体晶圆或衬底可用各种基极衬底材料制成,诸如硅(Si)、锗、氮化铝(AlN)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、氮化铝镓/氮化镓(AlGaN/GaN)、磷化铟、碳化硅(SiC)、或用于结构支撑的其他基体材料。多个半导体管芯形成在晶圆上,通过非有源的管芯间衬底区域或锯道分开。锯道提供用以将半导体晶圆切割成单独半导体管芯的切割区域。在一些情况下,将半导体管芯从半导体晶圆切割,然后单独封装以进行电互连和包封以实现环境隔离。对于小型通用技术半导体管芯,诸如小信号二极管,管芯级半导体封装成本通常显著大于管芯的成本。为了降低封装成本,半导体管芯可以晶圆形式进行封装,例如以晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)进行封装。一旦处于封装形式,半导体管芯便与晶圆分离。WLCSP提供较低的成本,减小封装尺寸,并且增强导热特性。在WLCSP中,相邻半导体管芯之间的间距必须足够大以执行封装操作,例如在对于封装管芯的切割留下足够划线宽度的同时进行包封和电互连。在一种已知的双包封WLCSP工艺中,在半导体管芯的有源表面上以晶圆形式形成多个凸块。通过宽锯片将沟道或沟槽部分地切割成管芯之间的半导体晶圆的划线中的基体衬底。将第一密封剂沉积在半导体管芯的有源表面上方并且进入沟道。通过研磨操作去除第一密封剂的一部分以暴露凸块。在研磨操作中,从与有源表面相对的背表面去除基极衬底材料的一部分以使晶圆 ...
【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括多个半导体管芯,在所述半导体管芯之间具有锯道;在所述半导体管芯的第一表面上形成多个凸块;在所述半导体管芯的所述第一表面上在所述凸块之间形成绝缘层;穿过所述锯道切割所述半导体衬底,同时维持所述半导体管芯的位置;赋予所述半导体管芯的移动以增加所述半导体管芯之间的空间;将密封剂沉积在所述半导体管芯上并且进入所述半导体管芯之间的所述空间;以及穿过所述密封剂在所述半导体管芯之间形成沟道以分离所述半导体管芯。
【技术特征摘要】
2017.03.01 US 15/446,1821.一种制造半导体器件的方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括多个半导体管芯,在所述半导体管芯之间具有锯道;在所述半导体管芯的第一表面上形成多个凸块;在所述半导体管芯的所述第一表面上在所述凸块之间形成绝缘层;穿过所述锯道切割所述半导体衬底,同时维持所述半导体管芯的位置;赋予所述半导体管芯的移动以增加所述半导体管芯之间的空间;将密封剂沉积在所述半导体管芯上并且进入所述半导体管芯之间的所述空间;以及穿过所述密封剂在所述半导体管芯之间形成沟道以分离所述半导体管芯。2.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述半导体管芯的所述第一表面上并且围绕所述凸块形成所述绝缘层。3.根据权利要求1所述的方法,还包括将所述密封剂沉积在所述半导体管芯的所述第一表面的一部分上。4.根据权利要求1所述的方法,还包括去除所述半导体管芯的与所述半导体管芯的所述第一表面相对的第二表面的一部分。5.根据权利要求1所述的方法,还包括:将所述半导体衬底沉积在切割胶带上;以及使所述切割胶带扩张以赋予所述半导体管芯的移动以增加所述半导体管芯之间的所述空间。6.根据权利要求1所述的方法,其中所述半导体衬底上的第一半导体管芯与相邻的第二半导体管芯之间的第一距离大于所述半导体衬底上的所述第一半导体管芯与相邻的第三半导体管芯之间的第二距离。7.一种制造半导体器件的方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括多个半导体管芯;在所述半导体管芯的第一表面上形成多个...
【专利技术属性】
技术研发人员:戈登·M·格里芙尼亚,
申请(专利权)人:半导体元件工业有限责任公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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