与非门闪存的读取方法技术

本发明专利技术为一种与非门闪存的读取方法，包括：准备要被读出的一次页数据；其中，当该次页的地址接续于一特定页时，自动地准备该次页数据，或者当该次页的地址未接续于该特定页时，根据一页读取指令以及一次页地址来准备该次页数据。

Reading method for NAND gate flash memory

The invention relates to a reading method with non-door flash memory, which comprises: preparing a page data to be read out; wherein, when the address of the page is connected to a particular page, the page data is prepared automatically, or when the address of the page is not connected to the particular page, the reading instruction of the page and the address of the page are used to check the data. Prepare the page data.

【技术实现步骤摘要】
与非门闪存的读取方法
本专利技术涉及一种存储器的读取方法，且特别涉及一种与非门闪存的读取方法。
技术介绍
众所周知，闪存的种类可区分为或非门闪存(NORFlash)和与非门闪存(NANDFlash)。或非门闪存的读取效率很高，小容量的或非门闪存具有很高的成本效益。因此，市面上小容量(例如1～16MB)的闪存大多是或非门闪存，其主要应用于储存程序代码(programcode)的用途，例如固件(firmware)。与非门闪存的单位密度很高，价格低廉制程开发进展快，可达到很高的储存密度以及储存容量。但是，与非门闪存的读取速度慢。因此，市面上大容量的闪存大多是与非门闪存，其主要应用于储存数据(data)的用途。请参照图1，其所绘示为串行外设接口(SerialPeripheralInterface，简称SPI)的或非门闪存在读取操作时的信号示意图。串行外设接口(SPI)的或非门闪存经由四条信号线连接至控制器(未绘示)。四条信号线包括：片选信号(chipCS#)、频率信号SCLK、数据输入信号SI、数据输出信号SO。而控制器即可利用四条信号线来控制或非门闪存记行读取操作(readoperation)、编程操作(programoperation)、或者擦除操作(eraseoperation)。以下仅介绍读取操作。如图1所示，当片选信号CS#为低电平时，或非门闪存根据频率信号SCLK运作。在时间点t1至时间点t2，数据输入信号SI为读取指令(ReadCMD)；而时间点t2至时间点t3，数据输入信号SI为地址信号(Address)。因此，在时间点t3之后，或非门闪存的数据输出信号SO上，即为该地址所对应的读取数据(ReadData)。另外，或非门闪存根据一个读取指令，即可输出该地址所对应的读取数据。接着，或非门闪存还会自动地且不间断地输出该地址之后的所有数据。由于或非门闪存与与非门闪存的架构不同，与非门闪存的读取操作也不同于或非门闪存。请参照图2，其所绘示为串行外设接口(SPI)与非门闪存于读取数据时的读取操作示意图。同理，SPI与非门闪存的接口包括相同的四条信号线连接至控制器。而控制器可利用四条信号线来控制或非门闪存记行读取操作、编程操作、或者擦除操作。以下仅介绍读取操作。如图2所示，当片选信号CS#为低电平时，与非门闪存根据频率信号SCLK运作。再者，与非门闪存的读取操作中，至少包括两个指令：页读取指令(PageReadCMD)与数据读取指令(DataReadCMD)，此两个指令之间至少需间隔几十微秒(microsecond)，例如25μs。另外，在此两个指令之间也可以选择性地发出询问指令(GetFeatureCMD)，用以询问页读取指令(PageReadCMD)是否执行完成。如图2所示，时间点t1至时间点t2，数据输入信号SI为页读取指令(PageReadCMD)；而时间点t2至时间点t3，数据输入信号SI为页地址信号(PageAddress)。因此，与非门闪存将对应页地址的数据读出(readout)，并储存于与非门闪存内部的页缓冲器(pagebuffer)。时间点t4至时间点t5，数据输入信号SI为询问指令(GetFeatureCMD)；而时间点t5至时间点t6，数据输入信号SI为状态缓存器地址(StatusRegisterAddress)。当然，控制器也可以不发出询问指令(GetFeatureCMD)，而直接等待25μs之后，再发出数据读取指令(DataReadCMD)。再者，时间点t7至时间点t8，数据输入信号SI为数据读取指令(DataReadCMD)；而时间点t8至时间点t9，数据输入信号SI为行地址(ColumnAddress)，而行地址可对应至该页内的一笔数据。因此，在时间点t9之后，与非门闪存将页缓冲器中对应的一笔读取数据(例如一个Byte的读取数据)传递至数据输出信号SO上。意即，数据输出信号SO上即为该页中对应的读取数据(ReadData)。另外，与非门闪存输出该页对应的一笔读取数据后，也会连续自动地输出该笔数据后的所有数据。当该页最后一笔数据输出后，与非门闪存会在信号输出端SO上产生中断信号，并结束此读取操作。换言之，与非门闪存的一个读取操作所输出的数据量会小于等于一个页(例如一个页的数据量为2Kbyte)。由以上的说明可知，或非门闪存的一个读取操作仅有一个读取指令，并可由对应的地址开始连续地输出所有的读取数据。而与非门闪存的一个读取操作需要至少两个读取指令，且最多仅能输出一个页的数据。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提出一种与非门闪存的读取方法。利用与非门闪存搭配本专利技术的读取方法，可以使与非门闪存的读取操作类似于或非门闪存。也即，本专利技术设计与非门闪存内的储存规划，并且利用一个读取指令，可使得与非门闪存达成不间断地输出读取数据。因此，本专利技术提出一种与非门闪存的读取方法，包括：准备要被读出的次一页数据；其中，当该次页未接续于一特定页时，根据一页读取指令以及一次页地址来准备该次页数据。另外，本专利技术提出一种与非门闪存的读取方法，包括：在准备读出一第一页数据之前，接收一页读取指令以及一第二页地址；以及输出该第一页数据，并准备读出该第二页地址所对应的一第二页数据之前，接收该页读取指令以及一第三页地址，其中该第二地址与该第三地址为连续地址或者不连续地址。为了对本专利技术上述及其他方面有更佳的了解，下文特列举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：附图说明图1所绘示为串行外设接口的或非门闪存在读取操作时的信号示意图。图2所绘示为串行外设接口的与非门闪存在读取数据时的读取操作示意图。图3所绘示为先行页读取指令的使用时机示意图。图4所绘示为先行页读取指令的另一使用时机示意图。图5所绘示为页读取指令的使用时机示意图。图6所绘示为页读取指令的另一使用时机示意图。图7A所绘示为本专利技术与非门闪存的第一实施例。图7B所绘示为第一实施例与非门闪存的详细运作流程示意图。图8A所绘示为本专利技术与非门闪存的第二实施例。图8B所绘示为第二实施例与非门闪存的详细运作流程示意图。【附图标记说明】300、400、500、600、700、800：与非门闪存710、810：阵列结构720、820：页缓冲器730、830：缓存数据锁存器750、850：接口电路760、860：ECC电路840：SRAM具体实施方式由于或非门闪存最主要的用途在于储存程序代码(programcode)。在电源开启(poweron)时，或非门闪存由最小地址开始输出连续的读取数据。并且，当或非门闪存需要读取不连续数据时，仅利用一个读取指令即可跳至任意地址来读取不连续的数据。由于与非门闪存的成本低廉。本专利技术设计出具有上述特性的与非门闪存，利用与非门闪存搭配本专利技术的读取方法，可以使与非门闪存的读取操作类似于或非门闪存，并且可以直接取代或非门闪存。再者，以下所述的与非门闪存皆为串行外设接口(SPI)与非门闪存。根据本专利技术的实施例，在电源开启时，与非门闪存由编号最小的页(page0)开始自动地输出该页的数据。再者，在没有接收到其他读取指令之前，与非门闪存会以页为单位，不中断地输出连续地址的多个连续页的数据。根据本专利技术的实施例，如欲控制与非门闪存输出不连续页的数据时，需本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种与非门闪存的读取方法，包括：准备要被读出的一次页数据；以及当该次页数据未接续于一特定页数据时，根据一页读取指令以及一次页地址来准备该次页数据。

【技术特征摘要】
1.一种与非门闪存的读取方法，包括：准备要被读出的一次页数据；以及当该次页数据未接续于一特定页数据时，根据一页读取指令以及一次页地址来准备该次页数据。2.如权利要求1所述的读取方法，其中当该次页地址接续于该特定页时，自动地准备该次页数据。3.如权利要求1或2所述的读取方法，其中还包括：当一电源开启时，由该与非门闪存的一第一页数据开始持续输出连续的多个页数据；在输出连续的多页中一最后页数据之前，接收到该页读取指令及其对应的一第二页地址时，输出连续的多页中该最后页数据并准备该第二页地址所对应的一第二页数据；以及在输出连续的多页中该最后页数据后，继续输出该第二页数据。4.如权利要求1或2所述的读取方法，其中该页读取指令为一先行页读取指令。5.如权利要求1或2所述的读取方法，其中还包括：当一电源开启时，由该与非门闪存的一第一页数据开始持续输出连续的多个页数据；在输出连续的多页数据之后，接收到一个页读取指令及其对应的第二页地址时，在准备该第二页地址所对应的一第二页数据期间，输出一虚拟数据；以及在输出该虚拟数据后，继续输出该第二页数据。6.如权利要求1或2所述的读取方法，其中还包括：当一电源开启时，由该与非门闪存的一第一页数据开始持续输出连续的多个页数据；在输出连续的多页数据之后，接收到一个页读取指令及其对应的一第二页地址时，输出一虚拟数据并准备一第...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏俊联，洪俊雄，洪硕男，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71