像素电路及其驱动方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:18944557 阅读:22 留言:0更新日期:2018-09-15 11:56
本发明专利技术提供了一种像素电路及其驱动方法、显示装置,该像素电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第一电容以及发光器件。本发明专利技术对第一薄膜晶体管(驱动薄膜晶体管)的阈值电压进行补偿,使流过发光器件的电流变得与第一薄膜晶体管的阈值电压无关,改善画面的显示效果。

Pixel circuit, driving method and display device thereof

The invention provides a pixel circuit, a driving method and a display device thereof. The pixel circuit comprises a first thin film transistor, a second thin film transistor, a third thin film transistor, a fourth thin film transistor, a fifth thin film transistor, a sixth thin film transistor, a seventh thin film transistor, a first capacitor and a light emitting device. The invention compensates the threshold voltage of the first thin film transistor (driving thin film transistor), makes the current flowing through the light-emitting device independent of the threshold voltage of the first thin film transistor, and improves the display effect of the picture.

【技术实现步骤摘要】
像素电路及其驱动方法、显示装置
本专利技术涉以及显示
,特别涉及一种像素电路及其驱动方法、显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay,OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED,PMOLED)以及有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED,AMOLED)两大类,即直接寻址以及薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件,当有电流流过有机发光二极管时,有机发光二极管发光,且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit,IC)都只传输电压信号,故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的像素电路通常为2T1C,即两个薄膜晶体管加一个电容的结构,将电压变换为电流。如图1所述,传统的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路,包括一第一薄膜晶体管T10、一第二薄膜晶体管T20、以及一电容C,所述第一薄膜晶体管T10为开关薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管T20为驱动薄膜晶体管,所述电容C为存储电容。具体地,所述第一薄膜晶体管T10的栅极电性连接扫描信号Scan,源极电性连接数据信号Data,漏极与第二薄膜晶体管T20的栅极以及电容C的一端电性连接;所述第二薄膜晶体管T20的源极电性连接第一电压端VDD,漏极电性连接有机发光二级管D的阳极;有机发光二级管D的阴极接地;电容C的一端电性连接第一薄膜晶体管T10的漏极,另一端电性连接第二薄膜晶体管T20的源极。AMOLED显示时,扫描信号Scan控制第一薄膜晶体管T10打开,数据信号Data经过第一薄膜晶体管T10进入到第二薄膜晶体管T20的栅极以及电容C,然后第一薄膜晶体管T10闭合,由于电容C的存储作用,第二薄膜晶体管T20的栅极电压仍可继续保持数据信号电压,使得第二薄膜晶体管T20处于导通状态,驱动电流通过第二薄膜晶体管T20进入有机发光二级管D,驱动有机发光二级管D发光。上述传统的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路对驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移很敏感,随着驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移,流过有机发光二极管的电流变化很大,直接导致有机发光二极管的发光很不稳定、亮度很不均匀,极大地影响画面的显示效果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种像素电路及其驱动方法,以解决显示亮度不均匀的问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种像素电路,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第一电容以及发光器件;其中,第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一电容的一端以及第三薄膜晶体管的第一电极,所述第一薄膜晶体管的第一电极电性连接于第二薄膜晶体管的第二电极以及第六薄膜晶体管的第二电极,所述第一薄膜晶体管的第二电极电性连接于第七薄膜晶体管的第一电极、第四薄膜晶体管的第二电极以及第五薄膜晶体管的第二电极;所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第三扫描控制信号,所述第二薄膜晶体管的第一电极电性连接于数据信号;所述第三薄膜晶体管以及第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第二扫描控制信号,所述第三薄膜晶体管的第二电极电性连接于第四薄膜晶体管的第一电极;所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于第一扫描控制信号,所述第五薄膜晶体管的第一电极电性连接于参考电压信号;所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第四扫描控制信号,所述第六薄膜晶体管的第一电极电性连接于第一电压端以及第一电容的另一端;所述第七薄膜晶体管的栅极电性连接于第五扫描控制信号,所述第七薄膜晶体管的第二电极电性连接于发光器件的阳极;所述发光器件的阴极连接于第二电压端。可选的,在所述的像素电路中,所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管均为P型晶体管。可选的,在所述的像素电路中,所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管。可选的,在所述的像素电路中,所述第一电极为源极,所述第二电极为漏极;或者,所述第一电极为漏极,所述第二电极为源极。可选的,在所述的像素电路中,所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、第三扫描控制信号、第四扫描控制信号以及第五扫描控制信号均通过外部时序控制器提供。可选的,在所述的像素电路中,所述发光器件是OLED。可选的,在所述的像素电路中,还包括第二电容,所述第二电容的一端电性连接于第二薄膜晶体管的栅极,所述第二电容的另一端电性连接于第一薄膜晶体管的栅极。本专利技术还提供一种显示装置,采用如上所述的像素电路。本专利技术更提供一种像素电路的驱动方法,包括:在第一时间段,第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第七薄膜晶体管导通,利用参考电压信号初始化第一薄膜晶体管的栅极电压和发光器件的阳极电压;在第二时间段,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管导通,第一薄膜晶体管的栅极电压变为VDATA-|Vth|,其中,VDATA为数据信号的电压,Vth为第一薄膜晶体管的阈值电压;在第三时间段,第一薄膜晶体管,第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管导通,完成阈值电压补偿,驱动发光器件发光。可选的,在所述的像素电路的驱动方法中,在第一时间段,第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、第五扫描控制信号提供低电平,第三扫描控制信号、第四扫描控制信号及数据信号提供高电平;在第二时间段,第二扫描控制信号、第三扫描控制信号及数据信号提供低电平,第一扫描控制信号、第四扫描控制信号及第五扫描控制信号提供高电平;在第三时间段,第四扫描控制信号及第五扫描控制信号提供低电平,第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、第三扫描控制信号及数据信号提供高电平。在本专利技术提供的像素电路及其驱动方法中,对第一薄膜晶体管(驱动薄膜晶体管)的阈值电压进行补偿,使流过发光器件的电流变得与阈值电压无关,从而使流过发光器件诸如有机发光二极管的电流稳定,改善画面的显示效果。附图说明下面结合附图,通过对本专利技术的具体实施方式详细描述,将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为传统的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路的电路示意图;图2为本专利技术实施例中一种像素电路的电路示意图;图3为本专利技术实施例中一种像素电路的时序图;图4为本专利技术实施例中一种像素电路在第一时间段t1的示意图;图5为本专利技术实施例中一种像素电路在第二时间段t2的示意图;图6为本专利技术实施例中一种像素电路在第三时间段t3的示意图;图7为本专利技术实施例中另一种像素电路的电路示意图。具体实施方式在
技术介绍
中已经提及,传统的像素电路对驱动薄膜本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种像素电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第一电容以及发光器件;其中,第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一电容的一端以及第三薄膜晶体管的第一电极,所述第一薄膜晶体管的第一电极电性连接于第二薄膜晶体管的第二电极以及第六薄膜晶体管的第二电极,所述第一薄膜晶体管的第二电极电性连接于第七薄膜晶体管的第一电极、第四薄膜晶体管的第二电极以及第五薄膜晶体管的第二电极;所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第三扫描控制信号,所述第二薄膜晶体管的第一电极电性连接于数据信号;所述第三薄膜晶体管以及第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第二扫描控制信号,所述第三薄膜晶体管的第二电极电性连接于第四薄膜晶体管的第一电极;所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于第一扫描控制信号,所述第五薄膜晶体管的第一电极电性连接于参考电压信号;所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第四扫描控制信号,所述第六薄膜晶体管的第一电极电性连接于第一电压端以及第一电容的另一端;所述第七薄膜晶体管的栅极电性连接于第五扫描控制信号,所述第七薄膜晶体管的第二电极电性连接于发光器件的阳极;所述发光器件的阴极连接于第二电压端。...

【技术特征摘要】
1.一种像素电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第一电容以及发光器件;其中,第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一电容的一端以及第三薄膜晶体管的第一电极,所述第一薄膜晶体管的第一电极电性连接于第二薄膜晶体管的第二电极以及第六薄膜晶体管的第二电极,所述第一薄膜晶体管的第二电极电性连接于第七薄膜晶体管的第一电极、第四薄膜晶体管的第二电极以及第五薄膜晶体管的第二电极;所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第三扫描控制信号,所述第二薄膜晶体管的第一电极电性连接于数据信号;所述第三薄膜晶体管以及第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第二扫描控制信号,所述第三薄膜晶体管的第二电极电性连接于第四薄膜晶体管的第一电极;所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于第一扫描控制信号,所述第五薄膜晶体管的第一电极电性连接于参考电压信号;所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第四扫描控制信号,所述第六薄膜晶体管的第一电极电性连接于第一电压端以及第一电容的另一端;所述第七薄膜晶体管的栅极电性连接于第五扫描控制信号,所述第七薄膜晶体管的第二电极电性连接于发光器件的阳极;所述发光器件的阴极连接于第二电压端。2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管以及第七薄膜晶体管均为P型晶体管。3.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管以及第七薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管。4.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一电极为源极,所述第二电极为漏极;或者,所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡思明杨楠朱晖宋艳芹
申请(专利权)人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司昆山国显光电有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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