The invention provides a pixel circuit, a driving method and a display device thereof. The pixel circuit comprises a first thin film transistor, a second thin film transistor, a third thin film transistor, a fourth thin film transistor, a fifth thin film transistor, a sixth thin film transistor, a seventh thin film transistor, a first capacitor and a light emitting device. The invention compensates the threshold voltage of the first thin film transistor (driving thin film transistor), makes the current flowing through the light-emitting device independent of the threshold voltage of the first thin film transistor, and improves the display effect of the picture.
【技术实现步骤摘要】
像素电路及其驱动方法、显示装置
本专利技术涉以及显示
,特别涉及一种像素电路及其驱动方法、显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay,OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED,PMOLED)以及有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED,AMOLED)两大类,即直接寻址以及薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件,当有电流流过有机发光二极管时,有机发光二极管发光,且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit,IC)都只传输电压信号,故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的像素电路通常为2T1C,即两个薄膜晶体管加一个电容的结构,将电压变换为电流。如图1所述,传统的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路,包括一第一薄膜晶体管T10、一第二薄膜晶体管T20、以及一电容C,所述第一薄膜晶体管T10为开关薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管T20为驱动薄膜晶体管,所述电容C为存储电容。具体地,所述第一薄膜晶体管T ...
【技术保护点】
1.一种像素电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第一电容以及发光器件;其中,第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一电容的一端以及第三薄膜晶体管的第一电极,所述第一薄膜晶体管的第一电极电性连接于第二薄膜晶体管的第二电极以及第六薄膜晶体管的第二电极,所述第一薄膜晶体管的第二电极电性连接于第七薄膜晶体管的第一电极、第四薄膜晶体管的第二电极以及第五薄膜晶体管的第二电极;所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第三扫描控制信号,所述第二薄膜晶体管的第一电极电性连接于数据信号;所述第三薄膜晶体管以及第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第二扫描控制信号,所述第三薄膜晶体管的第二电极电性连接于第四薄膜晶体管的第一电极;所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于第一扫描控制信号,所述第五薄膜晶体管的第一电极电性连接于参考电压信号;所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第四扫描控制信号,所述第六薄膜晶体管的第一电极电性连接于第一电压端以及第一电容的另一端;所述第七薄膜晶体管的栅极电性连接于第五扫描控制信号,所述第七薄膜晶体管的第二电极 ...
【技术特征摘要】
1.一种像素电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第一电容以及发光器件;其中,第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一电容的一端以及第三薄膜晶体管的第一电极,所述第一薄膜晶体管的第一电极电性连接于第二薄膜晶体管的第二电极以及第六薄膜晶体管的第二电极,所述第一薄膜晶体管的第二电极电性连接于第七薄膜晶体管的第一电极、第四薄膜晶体管的第二电极以及第五薄膜晶体管的第二电极;所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第三扫描控制信号,所述第二薄膜晶体管的第一电极电性连接于数据信号;所述第三薄膜晶体管以及第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第二扫描控制信号,所述第三薄膜晶体管的第二电极电性连接于第四薄膜晶体管的第一电极;所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于第一扫描控制信号,所述第五薄膜晶体管的第一电极电性连接于参考电压信号;所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第四扫描控制信号,所述第六薄膜晶体管的第一电极电性连接于第一电压端以及第一电容的另一端;所述第七薄膜晶体管的栅极电性连接于第五扫描控制信号,所述第七薄膜晶体管的第二电极电性连接于发光器件的阳极;所述发光器件的阴极连接于第二电压端。2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管以及第七薄膜晶体管均为P型晶体管。3.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管以及第七薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管。4.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一电极为源极,所述第二电极为漏极;或者,所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡思明,杨楠,朱晖,宋艳芹,
申请(专利权)人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司,昆山国显光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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