An intrinsic information generation device suitable for integrated circuits includes a plurality of source memory cell pairs and a comparison circuit. One of the source storage units includes a first source storage unit with a first electrical parameter value and a second source storage unit with a second electrical parameter value. The comparison circuit is coupled to the source memory cell pairs to generate the inherent information of the integrated circuit. The comparator circuit includes the first comparator. The first comparator is coupled to the first source storage unit and the second source storage unit for comparing the first electrical parameter value with the second electrical parameter value to generate the first bit value of the inherent information based on the comparison result.
【技术实现步骤摘要】
产生集成电路固有信息的装置及方法
本专利技术是有关于一种产生集成电路固有信息的装置及方法。
技术介绍
为确保数据交换或控制操作的安全性,许多应用往往需要利用集成电路(如芯片)所具备的固有信息来进行验证操作的识别。集成电路的固有信息可例如是集成电路的身份标识符,可用于数据加密操作以产生密钥。目前有许多产生集成电路固有信息的方法,像是通过外部管理的方式产生编码。然而,以此方式所产生的固有信息可通过扫描式电子显微镜(ScanningElectronMicroscopy,SEM)或投射式电子显微镜(TransmissionElectronMicroscopy,TEM)自存储器装置的结构变化(像是多晶硅熔丝(Poly-Fuse)或氧化反熔丝(OxideAnti-Fuse))逆向萃取出来,使得固有信息泄漏的风险提高。
技术实现思路
本专利技术是关于一种产生集成电路固有信息的装置及方法,可通过比较两源存储单元的电性参数值来产生固有信息中的位值,使得所产生的固有信息具有独特、难以预测且稳定的特性。根据本专利技术的一实施例,提出一种适用于集成电路的固有信息产生装置,其包括多个源存储单元对以及比较电路。该些源存储单元对其中之一包括具有第一电性参数值的第一源存储单元以及具有第二电性参数值的第二源存储单元。比较电路耦接该些源存储单元对,用以产生集成电路的固有信息。比较电路包括第一比较器,其耦接第一源存储单元以及第二源存储单元,用以比较第一电性参数值以及第二电性参数值,以依据比较结果产生固有信息的第一位的位值。根据本专利技术的一实施例,提出一种适用于集成电路的固有信息产生方法,其包括步 ...
【技术保护点】
1.一种固有信息产生装置,适用于一集成电路,其特征在于,包括:多个源存储单元对,该些源存储单元对其中之一包括:一第一源存储单元,具有一第一电性参数值;以及一第二源存储单元,具有一第二电性参数值;以及一比较电路,耦接该些源存储单元对,用以产生该集成电路的一固有信息,该比较电路包括:一第一比较器,耦接该第一源存储单元以及该第二源存储单元,用以比较该第一电性参数值以及该第二电性参数值,以依据比较结果产生该固有信息的一第一位的位值。
【技术特征摘要】
1.一种固有信息产生装置,适用于一集成电路,其特征在于,包括:多个源存储单元对,该些源存储单元对其中之一包括:一第一源存储单元,具有一第一电性参数值;以及一第二源存储单元,具有一第二电性参数值;以及一比较电路,耦接该些源存储单元对,用以产生该集成电路的一固有信息,该比较电路包括:一第一比较器,耦接该第一源存储单元以及该第二源存储单元,用以比较该第一电性参数值以及该第二电性参数值,以依据比较结果产生该固有信息的一第一位的位值。2.根据权利要求1所述的固有信息产生装置,其特征在于,还包括:一控制器,耦接该些源存储单元对以及该比较电路,用以对该第一源存储单元和该第二源存储单元至少其一执行一编程处理,以加大该第一电性参数值与该第二电性参数值之间的差距;其中该控制器在该第一电性参数值大于该第二电性参数值时,对该第一源存储单元执行该编程处理,以增加该第一源存储单元的该第一电性参数值,及/或对该第二源存储单元执行该编程处理,以降低该第二源存储单元的该第二电性参数值。3.根据权利要求2所述的固有信息产生装置,其特征在于,还包括:一输出存储单元;以及一控制器,耦接该比较电路以及该输出存储单元,用以依据该第一比较器所产生的该比较结果,将该固有信息中该第一位的该位值编程至该输出存储单元。4.根据权利要求1所述的固有信息产生装置,其中该第一源存储单元和该第二源存储单元处于未经过编程(Program)或抹除(Erase)处理的一初始状态,或是已经过编程处理的一编程状态。5.根据权利要求1所述的固有信息产生装置,其中该些源存储单元对其中的另一者包括:一第三源存储单元,具有一第三电性参数值;以及一第四源存储单元,具有一第四电性参数值;该比较电路还包括:一第二比较器,耦接该第三源存储单元以及该第四源存储单元,用以...
【专利技术属性】
技术研发人员:李明修,
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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