掩模和使用该掩模形成的半导体装置的金属布线制造方法及图纸

提供了一种掩模和一种半导体装置的金属布线。所述掩模包括：掩模基底，包括单元曝光区域和外围曝光区域，单元曝光区域构造为使半导体装置的单元区域中的金属层曝光，外围曝光区域构造为使半导体装置的外围区域中的金属层曝光，第一掩模图案构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成信号金属图案，第二掩模图案构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成虚设金属图案，第二掩模图案与第一掩模图案相邻，第二掩模图案具有与第一掩模图案的宽度基本相同的宽度。

Mask and metal wiring of semiconductor device formed by using the mask

A metal wiring for a mask and a semiconductor device is provided. The mask includes a mask substrate, including a unit exposure region and a peripheral exposure region, a unit exposure region configured to expose a metal layer in a unit region of a semiconductor device, a peripheral exposure region configured to expose a metal layer in a peripheral region of a semiconductor device, and a first mask pattern configured to expose a mask substrate. The metal layer in the peripheral exposure area is exposed to form a signal metal pattern, the second mask pattern is configured to expose the metal layer in the peripheral exposure area of the mask substrate to form a virtual metal pattern, the second mask pattern is adjacent to the first mask pattern, and the second mask pattern has the same width as the first mask pattern. The width.

【技术实现步骤摘要】
掩模和使用该掩模形成的半导体装置的金属布线
示例实施例涉及掩模和/或使用该掩模形成的半导体装置的金属布线。更具体地，示例实施例涉及用于在半导体装置的外围区域中形成金属布线的掩模，和/或使用该掩模形成的半导体装置的金属布线。
技术介绍
通常，可使用掩模通过曝光工艺形成半导体装置的金属布线。金属布线可布置在半导体装置的单元区域和外围区域中。外围区域中的金属布线之间的节距可比单元区域中的金属布线之间的节距宽。另外，单元区域中的金属布线可具有均匀的间距。相反，外围区域中的金属布线可具有各种不同的间距。随着半导体装置的金属布线之间的节距变窄，已经使用离轴照明(off-axisillumination)的曝光工艺来形成节距窄的金属布线。根据现有技术，离轴照明可具有与单元区域中的金属布线之间的节距对应的焦点。相反，离轴照明的焦点可不对应于外围区域中的金属布线之间的节距(或多种节距)。因此，使用离轴照明形成在外围区域中的金属布线可能不具有期望的形状或图案。例如，外围区域中的金属布线会具有比设计尺寸大的尺寸，从而被连接至相邻的金属布线。相反，外围区域中的金属布线会具有比设计尺寸小的尺寸，从而导致金属布线被切断。
技术实现思路
一些示例实施例提供一种掩模，所述掩模能够在外围区域中精确地形成具有设计尺寸的金属布线。一些示例实施例还提供使用上述掩模的半导体装置的金属布线。根据示例实施例，掩模包括：掩模基底，包括单元曝光区域和外围曝光区域，单元曝光区域构造为使半导体装置的单元区域中的金属层曝光，外围曝光区域构造为使半导体装置的外围区域中的金属层曝光，第一掩模图案构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成信号金属图案，第二掩模图案构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成虚设金属图案，第二掩模图案与第一掩模图案相邻，第二掩模图案具有与第一掩模图案的宽度基本相同的宽度。在一些示例实施例中，第二掩模图案可具有沿直线与第一掩模图案的中心线重合的中心线。在一些示例实施例中，掩模可包括第一掩模图案组，第一掩模图案组可包括布置在直线上的多个第一掩模图案，第二掩模图案可沿所述直线位于所述多个第一掩模图案之间，第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的一个第一掩模图案之间的距离可与第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的另一个第一掩模图案之间的距离基本相同。在一些示例实施例中，所述多个第一掩模图案的中心线和第二掩模图案的中心线可沿所述直线彼此重合。在一些示例实施例中，掩模可包括第一掩模图案组，第一掩模图案组可包括彼此平行的多个第一掩模图案，第二掩模图案可平行于所述多个第一掩模图案并位于所述多个第一掩模图案之间，第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的一个第一掩模图案之间的距离可与第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的另一个第一掩模图案之间的距离基本相同。在一些示例实施例中，第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的所述一个第一掩模图案之间的距离可与单元曝光区域中相邻的掩模图案之间的距离基本相同。在一些示例实施例中，所述多个第一掩模图案可具有不同的宽度，第二掩模图案可具有与所述多个第一掩模图案的宽度中的最短的宽度基本相同的宽度。在一些示例实施例中，掩模可包括第二掩模图案组，第二掩模图案组可包括多个第二掩模图案，所述多个第二掩模图案中的每个可位于所述多个第一掩模图案中的相邻的两个第一掩模图案之间，所述多个第二掩模图案可彼此平行，所述多个第二掩模图案之间的距离可与第二掩模图案和与所述第二掩模图案相邻的第一掩模图案之间的距离基本相同。根据示例实施例，半导体装置的金属布线包括：信号金属图案，位于半导体基底的外围区域中；虚设金属图案，位于外围区域中，虚设金属图案与信号金属图案相邻，虚设金属图案具有与信号金属图案的宽度基本相同的宽度。在一些示例实施例中，虚设金属图案可具有沿直线与信号金属图案的中心线重合的中心线。在一些示例实施例中，金属布线可包括信号金属图案组，信号金属图案组可包括布置在直线上的多个信号金属图案，虚设金属图案可沿直线位于所述多个信号金属图案之间，虚设金属图案和所述多个信号金属图案中的一个信号金属图案之间的距离可与虚设金属图案和所述多个信号金属图案中的另一个信号金属图案之间的距离基本相同。在一些示例实施例中，所述多个信号金属图案的中心线和虚设金属图案的中心线可沿直线彼此重合。在一些示例实施例中，金属布线可包括信号金属图案组，信号金属图案组可包括彼此平行的多个信号金属图案，虚设金属图案可平行于所述多个信号金属图案并位于所述多个信号金属图案之间，虚设金属图案和所述多个信号金属图案中的一个信号金属图案之间的距离与虚设金属图案与所述多个信号金属图案中的另一个信号金属图案之间的距离基本相同。在一些示例实施例中，所述多个信号金属图案可具有不同的宽度，虚设金属图案可具有与所述多个信号金属图案的宽度中最短的宽度基本相同的宽度。在一些示例实施例中，金属布线可包括虚设金属图案组，虚设金属图案组可包括布置在所述多个信号金属图案之间的多个虚设金属图案，所述多个虚设金属图案之间的距离可与虚设金属图案和与所述虚设金属图案相邻的信号金属图案之间的距离基本相同。根据示例实施例，半导体装置的金属布线包括：至少一个信号金属图案，位于半导体基底的外围区域中，所述至少一个信号金属图案电连接至半导体基底的电路；至少一个虚设金属图案，位于外围区域中并填充未被所述至少一个信号金属图案占有的区域，所述至少一个虚设金属图案与半导体基底的电路电绝缘，所述至少一个虚设金属图案具有与所述至少一个信号金属图案的宽度基本相同的宽度，所述至少一个虚设金属图案和所述至少一个信号金属图案中的相邻的两者之间的距离与单元区域中的单元金属图案之间的距离基本相同。在一些示例实施例中，所述至少一个信号金属图案可平行于所述至少一个虚设金属图案。在一些示例实施例中，所述至少一个信号金属图案可包括第一信号金属图案和第二信号金属图案，所述至少一个虚设金属图案可位于第一信号金属图案和第二信号金属图案之间使得第一信号金属图案和第二信号金属图案的中心线和所述至少一个虚设金属图案的中心线形成直线。在一些示例实施例中，第一信号金属图案和所述至少一个虚设金属图案之间的第一距离可与第二信号金属图案和所述至少一个虚设金属图案之间的第二距离基本相同。在一些示例实施例中，所述至少一个信号金属图案可包括具有不同宽度的多个信号金属图案，所述至少一个虚设金属图案可具有与所述多个信号金属图案中的最短的宽度基本相同的宽度。根据示例实施例，用于在半导体基底的外围区域中形成虚设金属图案的第二掩模图案可布置在用于在半导体基底的外围区域中形成信号金属图案的第一掩模图案之间。第二掩模图案的宽度可与第一掩模图案的宽度基本相同。因此，使用掩模在外围区域中形成的金属布线可具有与单元区域中的金属布线的节距对应的微小且均匀的节距。结果，通过使用掩模和离轴照明在外围区域中形成的金属布线可具有设计的形状和尺寸使得可抑制或防止金属布线之间的短路和/或金属布线的切断。附图说明通过下面结合附图的详细描述，将更加清楚地理解示例实施例。图1至图15代表如在此描述的非限制性的示例实施例。图1是示出根据示例实施例的掩模的平面图；图2是图1中的部分“II”的放大平面图；图3是图1中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模，所述掩模包括：掩模基底，包括单元曝光区域和外围曝光区域，单元曝光区域构造为使半导体装置的单元区域中的金属层曝光，外围曝光区域构造为使半导体装置的外围区域中的金属层曝光；第一掩模图案，构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成信号金属图案；第二掩模图案，构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成虚设金属图案，第二掩模图案与第一掩模图案相邻，第二掩模图案具有与第一掩模图案的宽度基本相同的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种掩模，所述掩模包括：掩模基底，包括单元曝光区域和外围曝光区域，单元曝光区域构造为使半导体装置的单元区域中的金属层曝光，外围曝光区域构造为使半导体装置的外围区域中的金属层曝光；第一掩模图案，构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成信号金属图案；第二掩模图案，构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成虚设金属图案，第二掩模图案与第一掩模图案相邻，第二掩模图案具有与第一掩模图案的宽度基本相同的宽度。2.根据权利要求1所述的掩模，其中，第二掩模图案具有沿直线与第一掩模图案的中心线重合的中心线。3.根据权利要求1所述的掩模，其中：掩模包括第一掩模图案组，第一掩模图案组包括布置在直线上的多个第一掩模图案；第二掩模图案沿所述直线位于所述多个第一掩模图案之间；第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的一个第一掩模图案之间的距离与第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的另一个第一掩模图案之间的距离基本相同。4.根据权利要求3所述的掩模，其中，第一掩模图案的中心线和第二掩模图案的中心线沿所述直线彼此重合。5.根据权利要求1所述的掩模，其中：掩模包括第一掩模图案组，第一掩模图案组包括彼此平行的多个第一掩模图案；第二掩模图案平行于所述多个第一掩模图案并位于所述多个第一掩模图案之间；第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的一个第一掩模图案之间的距离与第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的另一个第一掩模图案之间的距离基本相同。6.根据权利要求5所述的掩模，其中，第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的所述一个第一掩模图案之间的距离与单元曝光区域中的相邻掩模图案之间的距离基本相同。7.根据权利要求5所述的掩模，其中，所述多个第一掩模图案具有不同的宽度，第二掩模图案具有与所述多个第一掩模图案的宽度中的最短的宽度基本相同的宽度。8.根据权利要求5所述的掩模，其中：掩模包括第二掩模图案组，第二掩模图案组包括多个第二掩模图案，所述多个第二掩模图案中的每个位于所述多个第一掩模图案中的相邻的两个第一掩模图案之间，所述多个第二掩模图案彼此平行；所述多个第二掩模图案之间的距离与第二掩模图案和与所述第二掩模图案相邻的第一掩模图案之间的距离基本相同。9.一种半导体装置的金属布线，所述半导体装置的金属布线包括：信号金属图案，位于半导体基底的外围区域中；虚设金属图案，位于外围区域中，虚设金属图案与信号金属图案相邻并且虚设金属图案具有与信号金属图案的宽度基本相同的宽度。10.根据权利要求9所述的半导体装置的金属布线，其中，虚设金属图案具有与信号金属图案的中心线沿直线重合的中心线。11.根据权利要求9所述的半导体装置的金属布线，其中：金属布线包括信号金属图案组，信号金属图案组包括布置在直线上的多个信号金属图案；虚...

【专利技术属性】
技术研发人员：林钟锡，金铉洙，成政勋，李权宰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR