【技术实现步骤摘要】
一种多输入放大器及包括该放大器的双控制电路
本技术属于集成电路反馈控制方法,具体涉及一种多输入放大器及包括该放大器的双控制电路。
技术介绍
传统的双控制电路,如图1所示,需要采用V-I变换器将控制电压V_ct11转换成控制电流I_ct11,然后与另一路控制电流I_ct12加权,再通过I-V变换器来控制放大器的同相输入端。然而,当V-I变换器通常采用Gm转换器,Gm转换器如图2所示,I_ct11=V_ct11*Gm1,Gm1为Gm转换器的参数,Gm1=1/R1。而当进行多输入控制时,由于经过了V-I变换器的转换以及随后的控制电流I_ct11与I_ct12之间的加权,其大规模量产精度值大大降低。且整体的电路结构复杂,成本高。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本技术提出了一种多输入放大器及包括该放大器的双控制电路。为了达到上述目的,本技术的技术方案如下:一种多输入放大器包括:用于实现差分放大的差分放大电路,在差分放大电路的同向输入端设有与差分MOS晶体管并联的一个MOS晶体管。本技术采用在传统的放大器结构上进行改进,结构简单,成本低。在上述技术方案的基础上,还可做如下改进:作为优选的方案,对于差分放大电路的反向输入端为通过NMOS晶体管输入时,在差分放大电路的同向输入端设有与差分NMOS晶体管并联的一个NMOS晶体管。采用上述优选的方案,性能更稳定。作为优选的方案,差分放大电路包括:PMOS晶体管MP101、PMOS晶体管MP102、PMOS晶体管MP103、NMOS晶体管MN101、NMOS晶体管MN102、NMOS晶体管MN103、NMOS晶体管MN104、NM ...
【技术保护点】
1.一种多输入放大器,包括:用于实现差分放大的差分放大电路,其特征在于,在所述差分放大电路的同向输入端设有与差分MOS晶体管并联的一个MOS晶体管;对于所述差分放大电路的反向输入端为通过NMOS晶体管输入时,在所述差分放大电路的同向输入端设有与差分NMOS晶体管并联的一个NMOS晶体管;对于所述差分放大电路的反向输入端为通过PMOS晶体管输入时,在所述差分放大电路的同向输入端设有与差分PMOS晶体管并联的一个PMOS晶体管。
【技术特征摘要】
1.一种多输入放大器,包括:用于实现差分放大的差分放大电路,其特征在于,在所述差分放大电路的同向输入端设有与差分MOS晶体管并联的一个MOS晶体管;对于所述差分放大电路的反向输入端为通过NMOS晶体管输入时,在所述差分放大电路的同向输入端设有与差分NMOS晶体管并联的一个NMOS晶体管;对于所述差分放大电路的反向输入端为通过PMOS晶体管输入时,在所述差分放大电路的同向输入端设有与差分PMOS晶体管并联的一个PMOS晶体管。2.根据权利要求1所述的多输入放大器,其特征在于,所述差分放大电路包括:PMOS晶体管MP101、PMOS晶体管MP102、PMOS晶体管MP103、NMOS晶体管MN101、NMOS晶体管MN102、NMOS晶体管MN103、NMOS晶体管MN104、NMOS晶体管MN105以及NMOS晶体管MN106;MP101和MP102镜像连接;MN101、MN102和MN103镜像连接。3.根据权利要求2所述的多输入放大器,其特征在于,MP101的源极分别与恒流源I、MP102的源极和MP103的源极连接,其栅极分别与MP102的栅极、MP101的漏极和MN104的漏极连接,且其漏极还与MN104的漏极连接;MP102的源极分别与恒流源I、MP101的源极和MP103的源极连接,其栅极分别与MP101的栅极、MP101的漏极和MN104的漏极连接,且其漏极分别与MP103的栅极、MN105的漏极以及MN106的漏极连接;MP103的源极分别与恒流源I、MP101的源极和MP102的源极连接,其栅极分别与MN105的漏极、MN106的漏极以及MP102的漏极连接,且其漏极与MN103的漏极连接;MN101的源极分别与MN102的源极和MN103的源极连接,其栅极分别与MN101的漏极、MN102的栅极、MN103的栅极以及恒流源I连接,且其漏极分别与恒流源I和MN101的栅极连接;MN102的源极分别与MN101的源极和MN103的源极连接,其栅极分别与MN101的漏极、MN101的栅极、MN103的栅极以及恒流源I连接,且其漏极分别与MN104的源极、MN105的源极和MN106的源极连接;MN103的源极分别与MN101的源极和MN102的源极连接,其栅极分别与MN101的漏极、MN101的栅极、MN102的栅极以及恒流源I连接,且其漏极与MP103的漏极连接,且其漏极为所述差分放大电路的输出端;MN104的栅极为所述差分放大电路的反向输入端;MN105的栅极为所述差分放大电路的第一同向输入端;MN106的栅极为所述差分放大电路的第二同向输入端。4.根据权利要求1所述的多输入放大器,其特征在于,所述差分放大电路包括:PMOS晶体管MP201、PMOS晶体管MP202、PMOS晶体管MP203、PMOS晶体管MP2...
【专利技术属性】
技术研发人员:陶冬毅,
申请(专利权)人:苏州菲达旭微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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