【技术实现步骤摘要】
一种高压变频器功率单元旁路装置
本技术涉及高压变频器
,具体涉及一种高压变频器功率单元旁路装置。
技术介绍
高压变频器普遍应用于工业控制领域,单元级联的高压变频器以期输出容量大、输出电压谐波量小、单元设计模块化易于装配与维护等特点受到广大用户的喜爱。级联式高压变频器的每一相均是由若干的功率单元串联组成,如果其中的某个功率单元有故障,则高压变频器就不能运行,这样就影响用户的正常生产,特别是对于那种要求不能随便停机的用户来说就会造成重大损失;此时,如果高压变频器带有功率单元旁路功能,在某个单元发生故障时,可以通过功率单元旁路功能将有故障的功率单元旁路掉,这样变频器还能够正常运行,可以减少用户的损失。现今,大多高压变频器功率单元旁路的设计师在功率单元的输出端并联一个共发射极的双管IGBT或者一个接触器,此设计也能完成功率单元旁路功能,但是制造成本太高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种高压变频器功率单元旁路装置,用于解决功率单元旁路问题,而且不会增加制造成本;为了实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种功率单元旁路装置,包括三个电容器、即C1-C3,四个IGBT、即IGBT1-IGBT4(其中每个IGBT包括绝缘栅双极晶体管Q和反并快恢复二极管S)。其中,所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT3串联成的第一线路与所述绝缘栅双极晶体管IGBT2与IGBT4串联成的第二线路并联;所述高压变频器功率单元旁路装置的输入端/输出端位于所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT2之间,和所述高压变频器功率单元旁路装置的输出端/输入端位于所述绝缘栅双极晶体管IGBT3与 ...
【技术保护点】
1.一种高压变频器功率单元旁路装置,其包括三个电容器C1‑C3,四个绝缘栅双极晶体管IGBT1‑IGBT4,其特征在于:所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT3串联成的第一线路与所述绝缘栅双极晶体管IGBT2与IGBT4串联成的第二线路并联;所述高压变频器功率单元旁路装置的输入端/输出端位于所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT2之间,和所述高压变频器功率单元旁路装置的输出端/输入端位于所述绝缘栅双极晶体管IGBT3与IGBT4之间;所述电容器C1‑C3依次串联成线路与所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT2串联成的线路以及所述绝缘栅双极晶体管IGBT3与IGBT4串联成的线路并联。
【技术特征摘要】
1.一种高压变频器功率单元旁路装置,其包括三个电容器C1-C3,四个绝缘栅双极晶体管IGBT1-IGBT4,其特征在于:所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT3串联成的第一线路与所述绝缘栅双极晶体管IGBT2与IGBT4串联成的第二线路并联;所述高压变频器功率单元旁路装置的输入端/输出端位于所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT2之间,和所述高压变频器功率单元旁路装置的输出端/输入端位于所述绝缘栅双极晶体管IGBT3与IGBT4之间;所述电容器C1-C3依次串联成线路与所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与I...
【专利技术属性】
技术研发人员:汤子龙,
申请(专利权)人:北京合康新能科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:北京,11
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