The utility model belongs to the field of semiconductor equipment, in particular to a MOCVD device for epitaxial growth of barrier layers, which comprises at least a reaction chamber, an air inlet system and an exhaust system, which are located at the top of the reaction chamber and are connected with the reaction chamber, and the exhaust system is located at the bottom of the reaction chamber and is in contact with the said reaction chamber. The exhaust system comprises a gas collecting ring and an air extracting device connected with the gas collecting ring. The gas collecting ring is characterized in that the gas collecting ring comprises an annular base with an annular channel and an annular cover plate with several through holes covering the annular channel, the upper surface of the annular cover plate and/or the upper surface of the annular channel. The surface is continuous wavy slope.
【技术实现步骤摘要】
一种MOCVD设备
本技术属于半导体设备领域,尤其涉及一种用于外延垒晶生长的MOCVD设备。
技术介绍
半导体领域的MOCVD设备目前均包含至少一个反应室腔体,在反应室内部,通过通入载气和MO源等物质,并通过及温度与压力的控制,从而在衬底上进行磊晶生长外延片。目前大部分MOCVD设备(例如公告号为:CN103140602B的中国专利)依靠真空泵从尾气端进行抽气,使反应室的气流走向是从上至下的方向,喷在石墨盘和衬底上,然后气流先通过反应室内壁四周的集气环中的通道、与通道连通的Y型导气管、过滤器最后排到尾气处理装置。其中,集气环包括设置有10个3/4英寸通孔的环形盖板和底部设置有抽气口的环形底座,但在MOCVD工作期间,腔室中产生的固体颗粒废弃物会寄生沉积在通孔的周围,随着MOCVD工作时间的增加,这些固体颗粒可使一些或者所有的通孔尺寸减小或完全堵塞,引起各通孔之间的气流流速不均匀,导致气流的不期望的改变,影响通过反应形成的垒晶的性能,一个或多个通孔的部分堵塞也可引起垒晶的不均匀的生长速度。
技术实现思路
针对上述问题,本技术一种MOCVD设备,其至少包括:反应室、进气系统和排气系统,所述进气系统位于反应室的顶部并与所述反应室连通,所述排气系统位于所述反应室的底部并与所述反应室连通,所述排气系统包括集气环和与集气环连接的抽气装置,其特征在于:所述集气环包括开设有环形通道的环形底座和覆盖所述环形通道的设置有若干个通孔的环形盖板,所述环形盖板的上表面和/或所述环形通道的上表面为连续的波浪形坡面。优选的,所述环形盖板的上表面为连续的波浪形坡面,所述通孔设置于所述波浪形坡 ...
【技术保护点】
1.一种MOCVD设备,其至少包括:反应室、进气系统和排气系统,所述进气系统位于反应室的顶部并与所述反应室连通,所述排气系统位于所述反应室的底部并与所述反应室连通,所述排气系统包括集气环和与集气环连接的抽气装置,其特征在于:所述集气环包括开设有环形通道的环形底座和覆盖所述环形通道的设置有若干个通孔的环形盖板,所述环形盖板的上表面和/或所述环形通道的上表面为连续的波浪形坡面。
【技术特征摘要】
1.一种MOCVD设备,其至少包括:反应室、进气系统和排气系统,所述进气系统位于反应室的顶部并与所述反应室连通,所述排气系统位于所述反应室的底部并与所述反应室连通,所述排气系统包括集气环和与集气环连接的抽气装置,其特征在于:所述集气环包括开设有环形通道的环形底座和覆盖所述环形通道的设置有若干个通孔的环形盖板,所述环形盖板的上表面和/或所述环形通道的上表面为连续的波浪形坡面。2.根据权利要求1所述的一种MOCVD设备,其特征在于:所述环形盖板的上表面为连续的波浪形坡面,所述通孔设置于所述波浪形坡面的低谷处。3.根据权利要求1所述的一种MOCVD设备,其特征在于:所述环形通道的上表面为连续的波浪形坡面,所述波浪形坡面的低谷处设置有抽气口。4.根据权利要求1所述的一种MOCVD设备,其特征在于:所述环形通道的底部设置有若干...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭晃亨,郝兆飞,张家宏,蔡吉明,林兓兓,寻飞林,李政鸿,张飞,
申请(专利权)人:安徽三安光电有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽,34
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