一种基准电压电路及程控电源制造技术

本发明专利技术涉及电源技术领域，尤其涉及的是一种基准电压电路。本发明专利技术提供了一种基准电压电路，包括启动电路和基准电压产生电路。本发明专利技术还提供了一种程控电源。本发明专利技术的基准电源电路的输入电压不直接作为输入，而是通过启动电路中的稳压结构进一步降低了噪声，提高了电源抑制比；采用非线性温度补偿的电路结构，使基准电压电路具有更小的温度系数，提高了输出精度。

A reference voltage circuit and programmable power supply

The invention relates to the field of power supply, in particular to a reference voltage circuit. The invention provides a reference voltage circuit, which comprises a starting circuit and a reference voltage generating circuit. The invention also provides a programmable power supply. The input voltage of the reference power supply circuit of the invention is not directly used as input, but further reduces noise and improves the power supply rejection ratio through the voltage stabilizing structure in the starting circuit, and adopts the circuit structure of nonlinear temperature compensation to make the reference voltage circuit have smaller temperature coefficient and improve the output precision.

【技术实现步骤摘要】
一种基准电压电路及程控电源本申请是申请号为201710233836X，申请日为2017年04月11日，专利技术创造名称为“一种基准电压电路及程控电源”的专利的分案申请。
本专利技术涉及电源
，尤其涉及的是一种基准电压电路及程控电源。
技术介绍
基准电压产生电路是应用于模拟电路设计、混合信号电路设计以及数字设计中的基本模块单元，它的作用是为系统提供一个不随温度及供电电压变化的基准电压。在基准电压产生电路中，温度系数(TC，TemperatureCoefficient)和电源抑制比(PSRR，PowerSupplyRejectionRatio)这两个参数对电源性能的好坏起着决定性的作用，高精度、低功耗、高电源抑制比、低温度系数的基准电压产生电路对于整个电路来说至关重要。传统的带隙基准电压通过将两个具有正负温度系数的电压进行线性叠加即可得到零温度系数的基准电压。两个双极型三极管的基极-发射极电压的差值是与绝对温度成正比的，双极晶体管的基极-发射极电压具有负温度系数性质，利用这两种不同性质的电压配以一定的比例得到与温度变化无关的基准电压。由于传统的基准电压产生电路只进行线性补偿，精度差，在温度范围变化较大时，产生的电压通常不太理想，尤其是在一些对电压精度要求比较高的电路中，线性补偿后产生的电压远远不能满足要求。基于此，本专利技术提供了一种具有更高精度、更高PSRR的低温度系数基准电压产生电路及程控电源。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有基准电压产生电路电源抑制比低、温度系数大的问题，提供了一种高精度、高电源抑制比和低温度系数的基准电压电路及程控电源。本专利技术提供了一种带有非线性补偿的低温度系数基准电压电路，包括启动电路和基准电压产生电路；所述启动电路包括：第一运算放大器OP1，第一运算放大器OP1正向输入端连接输入电压VIN，第一运算放大器OP1的输出端连接第一PMOS管P1的栅极和第一电容C1的一端，第一PMOS管P1的电源VDD，第一PMOS管P1的漏极连接第一电容C1的另一端和第一电阻R1的一端，第一电阻R1的另一端连接第一运算放大器OP1的反向输入端和第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端接地；第二电容C2的一端连接第一PMOS管P1的漏极，第二电容C2的另一端连接第一NMOS管N1的漏极，第一NMOS管N1的源极接地，第一NMOS管N1的栅极连接第二PMOS管P2的漏极和第二NMOS管N2的漏极，第二PMOS管P2的源极连接第一PMOS管P1的漏极，第二PMOS管P2的栅极连接第二NMOS管N2的栅极，第二NMOS管N2的源极接地；所述基准电压产生电路包括：第三PMOS管P3，第四PMOS管P4，第三PMOS管P3、第四PMOS管P4的源极连接第一PMOS管P1的漏极，第三PMOS管P3、第四PMOS管P4的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端并与第一NMOS管N1的漏极相连，第三PMOS管P3的漏极连接第二运算放大器OP2的正向输入端、第二PMOS管P2的栅极以及第一三极管Q1的发射极，第一三极管Q1的集电极和基极接地，第三电阻R3的一端连接第一三极管Q1的发射极，另一端接地；第四PMOS管P4的漏极连接第二运算放大器OP2的反向输入端以及第四电阻R4的一端，第四电阻R4的另一端连接第二三极管Q2的发射极，第二三极管Q2的集电极和基极均接地，电阻第五电阻R5的一端连接第二三极管Q2的发射极，另一端接地；所述基准电压产生电路还包括：第五PMOS管P5、第六PMOS管P6，第五PMOS管P5、第六PMOS管P6的源极均连接第一PMOS管P1的漏极，第五PMOS管P5、第六PMOS管P6的栅极连接第三运算放大器OP3的输出端，第五PMOS管P5的漏极连接OP3的正向输入端和第六电阻R6的一端，第六电阻R6的另一端连接第三NMOS管N3的栅极和漏极，第三NMOS管N3的源极接地，第六PMOS管P6的漏极连接OP3的反向输入端和第七电阻R7的一端，第七电阻R7的另一端连接第四NMOS管N4的漏极，第四NMOS管N4的栅极连接第三运算放大器OP3的反向输入端和第七电阻R7的一端，第四NMOS管N4的源极接地；第七PMOS管P7，第七PMOS管P7的源极连接第一PMOS管P1的漏极，第七PMOS管P7的栅极连接第三运算放大器OP3的输出端，第七PMOS管P7的漏极连接第八PMOS管P8的漏极和第九PMOS管P9的源极，第八PMOS管P8的源极连接第一PMOS管P1的漏极，第八PMOS管P8的栅极连接第一NMOS管N1的漏极，第八PMOS管P8的漏极连接输出端VOUT，第九PMOS管P9的漏极连接第十PMOS管P10的源极，第九PMOS管P9、第十PMOS管P10的栅极均接地，第十PMOS管P10的漏极连接第十一PMOS管P11的栅极，第十一PMOS管P11的源极和漏极均接地。所述第一三极管Q1和所述第二三极管Q2均为PNP管。本专利技术还提供了一种包括所述的带有非线性补偿的低温度系数基准电压电路的程控电源，所述程控电源还包括电压转换电路，所述电压转换电路用于为基准电压电路提供直流电压VIN。本专利技术所提供的一种带有非线性补偿的低温度系数基准电压电路及程控电源，有效地解决了现有技术中基准电压产生电路精度差、温度系数高的问题，通过启动电路中的稳压结构进一步降低了噪声，提高了电源抑制比；采用非线性温度补偿的电路结构，使基准电压电路具有更小的温度系数，提高了输出精度。附图说明图1为本专利技术提供的一种带有非线性补偿的低温度系数基准电压电路示意图；图2为本专利技术提供的程控电源电路示意图。具体实施方式本专利技术提供了一种带有非线性补偿的低温度系数基准电压电路及程控电源，为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如1图所示，一种带有非线性补偿的低温度系数基准电压电路，包括启动电路和基准电压产生电路；所述启动电路包括：第一运算放大器OP1，第一运算放大器OP1正向输入端连接输入电压VIN，第一运算放大器OP1的输出端连接第一PMOS管P1的栅极和第一电容C1的一端，第一PMOS管P1的电源VDD，第一PMOS管P1的漏极连接第一电容C1的另一端和第一电阻R1的一端，第一电阻R1的另一端连接第一运算放大器OP1的反向输入端和第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端接地；第二电容C2的一端连接第一PMOS管P1的漏极，第二电容C2的另一端连接第一NMOS管N1的漏极，第一NMOS管N1的源极接地，第一NMOS管N1的栅极连接第二PMOS管P2的漏极和第二NMOS管N2的漏极，第二PMOS管P2的源极连接第一PMOS管P1的漏极，第二PMOS管P2的栅极连接第二NMOS管N2的栅极，第二NMOS管N2的源极接地。所述基准电压产生电路包括：第三PMOS管P3，第四PMOS管P4，第三PMOS管P3、第四PMOS管P4的源极连接第一PMOS管P1的漏极，第三PMOS管P3、第四PMOS管P4的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端并与第一NMOS管N1的漏极相连，第三PMOS管P3的漏极连接第二运算放大器OP2的正向输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基准电压电路，其特征在于，包括启动电路和基准电压产生电路；所述启动电路包括：第一运算放大器OP1，第一运算放大器OP1正向输入端连接输入电压VIN，第一运算放大器OP1的输出端连接第一PMOS管P1的栅极和第一电容C1的一端，第一PMOS管P1的电源VDD，第一PMOS管P1的漏极连接第一电容C1的另一端和第一电阻R1的一端，第一电阻R1的另一端连接第一运算放大器OP1的反向输入端和第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端接地；第二电容C2的一端连接第一PMOS管P1的漏极，第二电容C2的另一端连接第一NMOS管N1的漏极，第一NMOS管N1的源极接地，第一NMOS管N1的栅极连接第二PMOS管P2的漏极和第二NMOS管N2的漏极，第二PMOS管P2的源极连接第一PMOS管P1的漏极，第二PMOS管P2的栅极连接第二NMOS管N2的栅极，第二NMOS管N2的源极接地；所述基准电压产生电路包括：第三PMOS管P3，第四PMOS管P4，第三PMOS管P3、第四PMOS管P4的源极连接第一PMOS管P1的漏极，第三PMOS管P3、第四PMOS管P4的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端并与第一NMOS管N1的漏极相连，第三PMOS管P3的漏极连接第二运算放大器OP2的正向输入端、第二PMOS管P2的栅极以及第一三极管Q1的发射极，第一三极管Q1的集电极和基极接地，第三电阻R3的一端连接第一三极管Q1的发射极，另一端接地，第四PMOS管P4的漏极连接第二运算放大器OP2的反向输入端以及第四电阻R4的一端，第四电阻R4的另一端连接第二三极管Q2的发射极，第二三极管Q2的集电极和基极均接地，电阻第五电阻R5的一端连接第二三极管Q2的发射极，另一端接地。...

【技术特征摘要】
1.一种基准电压电路，其特征在于，包括启动电路和基准电压产生电路；所述启动电路包括：第一运算放大器OP1，第一运算放大器OP1正向输入端连接输入电压VIN，第一运算放大器OP1的输出端连接第一PMOS管P1的栅极和第一电容C1的一端，第一PMOS管P1的电源VDD，第一PMOS管P1的漏极连接第一电容C1的另一端和第一电阻R1的一端，第一电阻R1的另一端连接第一运算放大器OP1的反向输入端和第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端接地；第二电容C2的一端连接第一PMOS管P1的漏极，第二电容C2的另一端连接第一NMOS管N1的漏极，第一NMOS管N1的源极接地，第一NMOS管N1的栅极连接第二PMOS管P2的漏极和第二NMOS管N2的漏极，第二PMOS管P2的源极连接第一PMOS管P1的漏极，第二PMOS管P2的栅极连接第二NMOS管N2的栅极，第二NMOS管N2的源极接地；所述基准电压产生电路包括：第三PMOS管P3，第四PMOS管P4，第三PMOS管P3、第四PMOS管P4的源极连接第一PMOS管P1的漏极，第三PMOS管P3、第四PMOS管P4的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端并与第一NMOS管N1的漏极相连，第三PMOS管P3的漏极连接第二运算放大器OP2的正向输入端、第二PMOS管P2的栅极以及第一三极管Q1的发射极，第一三极管Q1的集电极和基极接地，第三电阻R3的一端连接第一三极管Q1的发射极，另一端接地，第四PMOS管P4的漏极连接第二运算放大器OP2的反向输入端以及第四电阻R4的一端，第四电阻R4的另一端连接第二三极管Q2的发射极，第二三极管Q2的集电极和基极均接地，电阻第五电阻R5的一端连接第二三极管Q2的发射极，另一端接地。2.如权利要求1所述的基准电压电路，其特征在于，所述基准电压产生电路还包括：第五PMOS管P5和第六PMOS管P6，第五PMOS管P5、第六PMOS管P6的源极均连接第一PMOS管P1的漏极，第五PMOS管P5、第六PMOS管P6的栅极连接第三运算放大器OP3的输出端，第五PMOS管P5的漏极连接OP3的正向输入端和第六电阻R6的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长泰品原电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35