传感芯片保护结构和传感芯片保护结构制作方法技术

本申请提供一种传感芯片保护结构和传感芯片保护结构制作方法，该传感芯片保护结构包括传感芯片、封装元件和第一薄膜片层，其中，该封装元件包容封装该传感芯片在该封装元件内，该第一薄膜片层贴合在该封装元件上表面且该封装元件上表面完全被该第一薄膜片层覆盖。上述传感芯片保护结构可以降低因机械作用造成的传感芯片损伤的概率，避免外力对传感芯片的磨损，有效地保护传感芯片，提高传感芯片的寿命。

Sensor chip protection structure and fabrication method of sensor chip protection structure

The application provides a sensor chip protection structure and a manufacturing method of a sensor chip protection structure. The sensor chip protection structure includes a sensor chip, a package element and a first film sheet, wherein the package element encapsulates and encapsulates the sensor chip in the package element, and the first film sheet layer is bonded to the surface of the package element. The upper surface of the packaging element is completely covered by the first thin film layer. The protection structure of the sensor chip can reduce the probability of damage caused by mechanical action, avoid the wear of the sensor chip by external force, effectively protect the sensor chip, and improve the life of the sensor chip.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】传感芯片保护结构和传感芯片保护结构制作方法
本申请实施例涉及传感芯片
，并且更具体地，涉及传感芯片保护结构和传感芯片保护结构制作方法。
技术介绍
随着技术的发展，传感芯片的尺寸也越来越小。因此，越来越多的电子产品(例如手机、平板电脑等)中内置传感芯片。此外，由于用途的不同，一些传感芯片需要做成外观结构件。目前的传感芯片没有进行任何处理，硬度和耐磨度不高。因此不能有效地保护传感芯片，使得传感芯片容易因静电作用和机械作用导致损伤而完全失效。因此，如何更好地保护传感芯片，提高传感芯片的寿命是一个亟待解决的问题。
技术实现思路
第一方面，本申请实施例提供一种传感芯片保护结构，该传感芯片保护结构包括传感芯片、封装元件和第一薄膜片层，其中，该封装元件包容封装该传感芯片在该封装元件内，该第一薄膜片层贴合在该封装元件上表面且该封装元件上表面完全被该第一薄膜片层覆盖。结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，该传感芯片保护结构还包括第二薄膜片层，该第二薄膜片层贴合在该传感芯片上表面且该传感芯片上表面完全被该第二薄膜片层覆盖。结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，该第一薄膜片层和该第二薄膜片层为具有抗静电功能的薄膜片层。结合第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，该第一薄膜片层和该第二薄膜片层的表面电阻率低于1011欧姆。结合第一方面的第一种可能的实现方式至第一方面的第三种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，该第一薄膜片层和该第二薄膜片层为树脂涂层或光学薄膜。结合第一方面的第一种可能的实现方式至第一方面的第四种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，该第一薄膜片层和该第二薄膜片层的厚度大于或等于1纳米且小于或等于1000微米。结合第一方面，在第一方面的第六种可能的实现方式中，该第一薄膜片层为具有抗静电功能的薄膜片层。结合第一方面或第一方面的第六种可能的实现方式，在第一方面的第七种可能的实现方式中，该第一薄膜片层的表面电阻率低于1011欧姆。结合第一方面、第一方面的第六种可能的实现方式、或第一方面的第七种可能的实现方式，在第一方面的第八种可能的实现方式中，该第一薄膜片层为树脂涂层或光学薄膜。结合第一方面、第一方面的第六种可能的实现方式至第一方面的第八种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第一方面的第九种可能的实现方式中，该第一薄膜片层厚度大于或等于1纳米且小于或等于1000微米。第二方面，本申请实施例提供一种传感芯片保护结构制作方法，该传感芯片保护结构包括传感芯片、封装元件和第一薄膜片层，该方法包括：包容封装该传感芯片在该封装元件内；在该封装元件上表面制作该第一薄膜片层，其中该封装元件上表面完全被该第一薄膜片层覆盖。结合第二方面，在第二方面的第一种可能的实现方式中，该传感芯片保护结构还包括第二薄膜片层，该方法还包括：在该传感芯片上表面制作该第二薄膜片层，其中该传感芯片上表面完全被该第二薄膜片层覆盖。结合第二方面的第一种可能的实现方式，在第二方面的第二种可能的实现方式中，该第一薄膜片层和该第二薄膜片层为具有抗静电功能的薄膜片层。结合第二方面的第二种可能的实现方式，在第二方面的第三种可能的实现方式中，该第一薄膜片层和该第二薄膜片层的表面电阻率低于1011欧姆。结合第二方面的第一种可能的实现方式至第二方面的第三种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第二方面的第四种可能的实现方式中，该第一薄膜片层和该第二薄膜片层为树脂涂层或光学薄膜。结合第二方面的第一种可能的实现方式至第二方面的第四种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第二方面的第五种可能的实现方式中，该第一薄膜片层和该第二薄膜片层的厚度大于或等于1纳米且小于或等于1000微米。结合第二方面，在第二方面的第六种可能的实现方式中，该第一薄膜片层为具有抗静电功能的薄膜片层。结合第二方面或第二方面的第六种可能的实现方式，在第二方面的第七种可能的实现方式中，该第一薄膜片层的表面电阻率低于1011欧姆。结合第二方面、第二方面的第六种可能的实现方式、或第二方面的第七种可能的实现方式，在第一方面的第八种可能的实现方式中，该第一薄膜片层为树脂涂层或光学薄膜。结合第二方面、第二方面的第六种可能的实现方式至第二方面的第八种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第一方面的第九种可能的实现方式中，该第一薄膜片层厚度大于或等于1纳米且小于或等于1000微米。上述传感芯片保护结构可以降低因机械作用造成的传感芯片损伤的概率，避免外力对传感芯片的磨损，有效地保护传感芯片，提高传感芯片的寿命。附图说明图1是根据本申请实施例提供的一种传感芯片保护结构的示意图。图2是根据本申请实施例提供的另一种传感芯片保护结构的示意图。图3是根据本申请实施例提供传感芯片保护结构制作方法的示意性流程图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。图1是根据本申请实施例提供的一种传感芯片保护结构的示意图。如图1所示的传感芯片保护结构100包括：传感芯片101、封装元件102和第一薄膜片层103。如图1所示，封装元件102包容封装传感芯片101在封装元件102内。第一薄膜片层103贴合在封装元件102上表面且封装元件102上表面完全被第一薄膜片层103覆盖。由于有第一薄膜片层103和封装元件102的保护，外力不会直接作用在传感芯片101上。因此，传感芯片101具有一定的抗冲击强度与韧性，从而可以降低因机械作用造成的传感芯片101损伤的概率。此外，若传感芯片101做成外观结构件，传感芯片101也不会与外界直接接触。这样可以避免外力对传感芯片101的磨损。综上所述，如图1所示的传感芯片保护结构100可以有效地保护传感芯片，提高传感芯片的寿命。如图1所示的传感芯片101的下表面可以通过连接材料固定在基板上。该连接材料的主要成分可以环氧树脂、纯硅树脂等。。封装元件102上表面与第一薄膜片层103可以是如图1所示的矩形，也可以是其他形状，例如圆形、椭圆形或者其他形状，本申请实施例对此并不限定。只要保证第一薄膜片层103能够完全覆盖封装元件102的上表面即可。封装元件102的主要成分可以是环氧树脂和三氧化二铝等，本申请实施例对此并不限定。可选的，在一些实施例中，第一薄膜片层103为具有抗静电功能的薄膜片层。这样，可以避免传感芯片101由于静电作用导致的失效，从而可以提高传感芯片的寿命。进一步，第一薄膜片层103的表面电阻率低于1011欧姆。可选的，在一些实施例中，第一薄膜片层103可以为树脂涂层。进一步，第一薄膜片层103可以是一层或多层树脂涂层。在另一些实施例中，第一薄膜片层103可以为光学薄膜。进一步，第一薄膜片层103可以是一层或多层光学薄膜。例如，可以通过丝印、喷涂、旋涂等工艺使得树脂在封装元件102上表面形成一层或多层树脂涂层。该树脂中可以添加抗静电材料。该抗静电材料可以是抗静电剂或抗静电涂料。可选的，在一些实施例中，该抗静电材料可以为活性材料。因此可以在封装元件102的上表面生成亲水基团。水是高介电常数，因此第一薄膜片层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种传感芯片保护结构，其特征在于，所述传感芯片保护结构包括传感芯片、封装元件和第一薄膜片层，其中，所述封装元件包容封装所述传感芯片在所述封装元件内，所述第一薄膜片层贴合在所述封装元件上表面且所述封装元件上表面完全被所述第一薄膜片层覆盖。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种传感芯片保护结构，其特征在于，所述传感芯片保护结构包括传感芯片、封装元件和第一薄膜片层，其中，所述封装元件包容封装所述传感芯片在所述封装元件内，所述第一薄膜片层贴合在所述封装元件上表面且所述封装元件上表面完全被所述第一薄膜片层覆盖。2.如权利要求1所述的传感芯片保护结构，其特征在于，所述传感芯片保护结构还包括第二薄膜片层，所述第二薄膜片层贴合在所述传感芯片上表面且所述传感芯片上表面完全被所述第二薄膜片层覆盖。3.如权利要求2所述的传感芯片保护结构，其特征在于，所述第一薄膜片层和所述第二薄膜片层为具有抗静电功能的薄膜片层。4.如权利要求3所述的传感芯片保护结构，其特征在于，所述第一薄膜片层和所述第二薄膜片层的表面电阻率低于1011欧姆。5.如权利要求2至4中任一项所述的传感芯片保护结构，其特征在于，所述第一薄膜片层和所述第二薄膜片层为树脂涂层或光学薄膜。6.如权利要求3至5中任一项所述的传感芯片保护结构，其特征在于，所述第一薄膜片层和所述第二薄膜片层的厚度大于或等于1纳米且小于或等于1...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭益平，李绍佳，
申请(专利权)人：深圳市汇顶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44