The invention discloses a semiconductor laser chip and a fabrication method thereof, wherein the semiconductor laser chip comprises a double-sided polished substrate, a laser epitaxial structure and a solar cell epitaxial structure, wherein the laser epitaxial structure is arranged on the front of the double-sided polished substrate and the solar cell epitaxial structure is arranged on the double-sided polished substrate. The back of the polished substrate, the metal heat sink, which is located on the side of the laser epitaxial structure away from the double-sided polished substrate, is connected with the electrode of the laser epitaxial structure, and the P-surface electrode of the solar cell epitaxial structure is connected with the metal heat sink through a gold wire. Semiconductor laser epitaxial structure and solar cell epitaxial structure are respectively grown on the positive and negative sides of double-sided polished substrate. Electrical connection is realized by using gold wire and heat sink. The semiconductor laser chip can rely on solar cells in its own structure to supply power and improve device integration.
【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器芯片及其制作方法
本专利技术涉及半导体
,具体涉及一种半导体激光器芯片及其制作方法。
技术介绍
随着半导体激光器的应用日益广泛,对相应的驱动电源的要求也越来越多样化。目前激光器芯片工作需要额外的外部电源供电,这样不利于分离器件的集成化。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供了一种半导体激光器芯片及其制作方法,以解决现有技术中激光器芯片工作需要额外的外部电源供电,导致器件集成化程度较低的问题。根据第一方面,本专利技术实施例提供了一种半导体激光器芯片,包括:双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构;其中,激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面;太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面;金属热沉,设置于激光器外延结构远离双面抛光衬底的一侧,与激光器外延结构的电极连接;太阳能电池外延结构的P面电极通过金线与金属热沉连接。可选地,双面抛光衬底为N型掺杂的GaAs或InP,厚度为300μm至400μm。可选地,双面抛光衬底的掺杂浓度大于1E19cm3。可选地,太阳能电池外延结构和激光器外延结构的外延层的晶格常数与双面抛光衬底的晶格常数一致。可选地,在双面抛光衬底为GaAs衬底时,激光器外延结构为AlGaAs结构的半导体激光器。可选地,太阳能电池外延结构为GaAs子电池和GaInP子电池组成的多结太阳能电池。可选地,在激光器外延结构表面形成脊形波导区。可选地,在太阳能电池外延结构上层形成减反射膜。可选地,半导体激光器芯片与太阳能电池外延结构的尺寸一致。根据第二方面,本专利技术实施例提供了一种半导体激光器芯片的制作方法,包括:选取双面 ...
【技术保护点】
1.一种半导体激光器芯片,其特征在于,包括:双面抛光衬底(10)、激光器外延结构(20)以及太阳能电池外延结构(30);其中,所述激光器外延结构(20),设置于所述双面抛光衬底(10)的正面;所述太阳能电池外延结构(30),设置于所述双面抛光衬底的背面;金属热沉(40),设置于所述激光器外延结构(20)远离所述双面抛光衬底(10)的一侧,与所述激光器外延结构(20)的电极(21)连接;所述太阳能电池外延结构(30)的P面电极(31)通过金线(50)与所述金属热沉(40)连接。
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器芯片,其特征在于,包括:双面抛光衬底(10)、激光器外延结构(20)以及太阳能电池外延结构(30);其中,所述激光器外延结构(20),设置于所述双面抛光衬底(10)的正面;所述太阳能电池外延结构(30),设置于所述双面抛光衬底的背面;金属热沉(40),设置于所述激光器外延结构(20)远离所述双面抛光衬底(10)的一侧,与所述激光器外延结构(20)的电极(21)连接;所述太阳能电池外延结构(30)的P面电极(31)通过金线(50)与所述金属热沉(40)连接。2.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片,其特征在于,所述双面抛光衬底(10)为N型掺杂的GaAs或InP,厚度为300μm至400μm。3.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片,其特征在于,所述双面抛光衬底(10)的掺杂浓度大于1E19cm3。4.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片,其特征在于,所述太阳能电池外延结构(30)和所述激光器外延结构(20)的外延层的晶格常数与所述双面抛光衬底(10)的晶格常数一致。5.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片,其特征在于,在所述双面抛光衬底(10...
【专利技术属性】
技术研发人员:颜建,胡双元,吴文俊,黄勇,米卡·瑞桑,
申请(专利权)人:苏州矩阵光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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