The invention discloses an epitaxial sheet of a light emitting diode and a preparation method thereof, including a substrate, a buffer layer, an undoped gallium nitride layer, a N-type gallium nitride layer, a multi-quantum well light emitting layer, a hole providing layer and a P-type gallium nitride layer. A buffer layer is arranged on the top of the substrate and an undoped gallium nitride layer is arranged on the top of the buffer layer. A N-type gallium nitride layer is arranged on the top of the undoped gallium nitride layer, and a multi-quantum well luminous layer is arranged on the top of the N-type gallium nitride layer. A hole providing layer is arranged on the top of the multi-quantum well luminous layer, and a P-type gallium nitride layer is arranged on the top of the hole providing layer, including the following steps: step 1, fixing and cutting. Cutting; Step 2, annealing; Step 3, chamfering; Step 4, classification detection and separation; Step 5, grinding; Step 6, cleaning; This method is conducive to multiple cleaning, while improving the efficiency of corrosion.
【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的外延片及其制备方法
本专利技术涉及二极管
,具体为一种发光二极管的外延片及其制备方法。
技术介绍
LED外延片是一块加热至适当温度的衬底基片,材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料,需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术,衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。近年来,下游应用市场的繁荣带动我国LED产业迅猛发展,外延片市场也迎来发展良机。国内LED外延片产能快速提升,技术水平不断进步,产品已开始进入中高档次。在芯片市场供货偏紧和各地政策支持力度加大的背景下,2011年我国LED外延片产能继续扩张。在区域分布上,我国LED外延片企业主要集中在闽三角地区、环渤海湾地区和珠三角地区。外延片是LED核心器件中的前端高技术产品,我国在这一领域的企业竞争目前仍处于“蓝海”阶段。国内外延片市场的基本格局是外资企业产品技术占据主导,本土厂商逐步崛起。但是一般的外延片制备技术中,只进行一次清洗,不能够更好的清除颗粒物质和金属离子,同时在研磨步骤后一般都是通过NA:HAC:HF=10:4:1的混酸进行腐蚀,去除损伤层则需4分钟,大大降低了工作效率,针对这种缺陷,所以我们设计一种发光二极管的外延片及其制备方法,来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种发光二极管的外延片及其制备方法,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种发光二极管的外延片,包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱发光层、空穴提供层和P型氮化镓层,所述衬底的顶部设置有缓冲层,所述缓冲层的 ...
【技术保护点】
1.一种发光二极管的外延片,包括衬底(1)、缓冲层(2)、未掺杂氮化镓层(3)、N型氮化镓层(4)、多量子阱发光层(5)、空穴提供层(6)和P型氮化镓层(7),其特征在于:所述衬底(1)的顶部设置有缓冲层(2),所述缓冲层(2)的顶部设置有未掺杂氮化镓层(3),所述未掺杂氮化镓层(3)的顶部设置有N型氮化镓层(4),所述N型氮化镓层(4)的顶部设置有多量子阱发光层(5),所述多量子阱发光层(5)的顶部设置有空穴提供层(6),所述空穴提供层(6)的顶部设置有P型氮化镓层(7)。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延片,包括衬底(1)、缓冲层(2)、未掺杂氮化镓层(3)、N型氮化镓层(4)、多量子阱发光层(5)、空穴提供层(6)和P型氮化镓层(7),其特征在于:所述衬底(1)的顶部设置有缓冲层(2),所述缓冲层(2)的顶部设置有未掺杂氮化镓层(3),所述未掺杂氮化镓层(3)的顶部设置有N型氮化镓层(4),所述N型氮化镓层(4)的顶部设置有多量子阱发光层(5),所述多量子阱发光层(5)的顶部设置有空穴提供层(6),所述空穴提供层(6)的顶部设置有P型氮化镓层(7)。2.一种发光二极管的外延片制备方法,包括如下步骤:步骤一,固定及切割;步骤二,退火;步骤三,倒角;步骤四,分档检测及分离;步骤五,研磨;步骤六,清洗;其特征在于:其中在上述的步骤一中,将单晶硅棒固定在加工台上,将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片,此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣;其中在上述的步骤二中,双工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至300℃~500℃,硅片表面和氧气发生反应,使硅片表面形成二氧化硅保护层;其中在上述的步骤三中,将退火的硅片进行修整成圆弧形,防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生,增加磊晶层及光阻层的平坦度,此过程中产生的硅粉采用水淋,再将产生废水和硅渣进行收集;...
【专利技术属性】
技术研发人员:王志敏,黄丽凤,
申请(专利权)人:如皋市大昌电子有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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