半导体装置制造方法及图纸

提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基体基底；第一薄膜晶体管(“TFT”)，设置在基体基底上；第二TFT，设置在基体基底上；以及多个绝缘层，设置在基体基底上，以限定至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔不与第一TFT和第二TFT叠置。第一TFT可以包括第一输入电极、第一输出电极、第一控制电极和包括晶体半导体材料的第一半导体图案，第二TFT可以包括第二输入电极、第二输出电极、第二控制电极和包括氧化物半导体材料的第二半导体图案。在平面图中，所述至少一个虚设孔和第二半导体图案之间的最短距离可以等于或小于5微米(μm)。

Semiconductor device

A semiconductor device may include: a substrate substrate; a first thin film transistor (\TFT\) disposed on the substrate; a second TFT disposed on the substrate; and a plurality of insulating layers disposed on the substrate to define at least one virtual hole, which is not. Superposition with first TFT and second TFT. The first TFT may include a first input electrode, a first output electrode, a first control electrode, and a first semiconductor pattern including a crystal semiconductor material, and the second TFT may include a second input electrode, a second output electrode, a second control electrode, and a second semiconductor pattern including an oxide semiconductor material. In a plane diagram, the shortest distance between the at least one imaginary hole and the second semiconductor pattern may be equal to or less than 5 microns (microns).

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术的示例性实施例涉及一种半导体装置，具体地，涉及包括晶体半导体材料和氧化物半导体材料两者的半导体装置。
技术介绍
半导体装置包括至少一个薄膜晶体管(“TFT”)。TFT包括具有半导体材料的半导体图案。作为半导体装置的示例的显示装置通常包括多个像素和驱动电路，驱动电路用来控制所述多个像素。驱动电路包括至少一个TFT。驱动电路的所述至少一个TFT向像素提供电控制信号。多个像素中的每个包括像素驱动电路和连接到像素驱动电路的显示元件。像素驱动电路包括至少一个TFT和至少一个电容器。像素驱动电路的至少一个TFT和至少一个电容器基于从驱动电路提供的电控制信号来控制显示元件。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例提供了一种半导体装置，可以容易地控制该半导体装置的阈值电压。本专利技术的示例性实施例提供了一种阈值电压具有高均匀性的半导体装置。本专利技术的示例性实施例提供了一种设置有短的氧化物半导体图案并且利于实现高分辨率性质的半导体装置。根据本专利技术的示例性实施例，半导体装置可以包括：基体基底；第一薄膜晶体管(“TFT”)，设置在基体基底上，第一TFT包括第一输入电极、第一输出电极、第一控制电极和包括晶体半导体材料的第一半导体图案；第二TFT，设置在基体基底上，第二TFT包括第二输入电极、第二输出电极、第二控制电极和包括氧化物半导体材料的第二半导体图案；以及多个绝缘层，设置在基体基底上，以限定至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔不与第一TFT和第二TFT叠置。在平面图中，所述至少一个虚设孔和第二半导体图案之间的最短距离可以等于或小于5微米(μm)。在示例性实施例中，所述至少一个虚设孔可以设置为满足下面的不等式1：[不等式1]2μm×2μm≤Xμm2≤2μm×Yμm，其中，X可以是所述至少一个虚设孔的总平面面积，Y可以是第二半导体图案的长度。在示例性实施例中，最短距离可以等于或小于2.5微米。在示例性实施例中，所述至少一个虚设孔可以不填充有导电材料。在示例性实施例中，所述至少一个虚设孔的至少一部分可以填充有绝缘材料。在示例性实施例中，多个绝缘层可以包括：第一绝缘层，设置在第一半导体图案上，并且在第二半导体图案下方；以及第二绝缘层，设置在第二半导体图案上。所述至少一个虚设孔可以被限定为穿透第一绝缘层和第二绝缘层。第一绝缘层可以具有多层结构。在示例性实施例中，第一输入电极和第一输出电极可以分别经由第一通孔和第二通孔与第一半导体图案接触，第二输入电极和第二输出电极可以分别经由第三通孔和第四通孔与第二半导体图案接触。在示例性实施例中，所述至少一个虚设孔的底端和基体基底的顶表面之间的距离可以小于第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔中的每个通孔的底端和基体基底的顶表面之间的距离。在示例性实施例中，第二半导体图案的沟道区的长度可以等于或小于2μm。在示例性实施例中，半导体装置还可以包括连接到第一TFT的发光二极管。根据本专利技术的示例性实施例，半导体装置可以包括：基体基底；第一TFT，设置在基体基底上，第一TFT包括第一输入电极、第一输出电极、第一控制电极和包括晶体半导体材料的第一半导体图案；第二TFT，设置在基体基底上，第二TFT包括第二输入电极、第二输出电极、第二控制电极和包括氧化物半导体材料的第二半导体图案；第一绝缘层，设置在第一半导体图案上，并且在第二半导体图案下方；第二绝缘层，设置在第二半导体图案上。至少一个虚设孔可以被限定为穿透第一绝缘层和第二绝缘层。在平面图中，所述至少一个虚设孔可以不与第一TFT和第二TFT叠置，并且可以与靠近第一半导体图案相比更靠近第二半导体图案。附图说明从下面结合附图的简要描述，将更清楚地理解本公开的示例性实施例、特征和优点，在附图中：图1是根据本专利技术的半导体装置的示例性实施例的框图；图2是图1中示出的像素的等效电路图；图3是根据本专利技术的半导体装置的示例性实施例的剖视图；图4是根据本专利技术的半导体装置的示例性实施例的剖视图；图5A是示出用作根据本专利技术的半导体装置的一部分的第二薄膜晶体管(“TFT”)的一部分的示例性实施例的平面图；图5B是沿图5A的线I-I'截取的剖视图；图6是示出用作根据本专利技术的半导体装置的一部分的第二TFT的一部分的示例性实施例的平面图；图7是示出用作根据本专利技术的半导体装置的一部分的第二TFT的一部分的示例性实施例的平面图；图8是示出用作根据本专利技术的半导体装置的一部分的第二TFT的一部分的示例性实施例的平面图；图9是示出根据本专利技术的半导体装置的示例性实施例的剖视图；图10是示出根据本专利技术的半导体装置的示例性实施例的剖视图；图11A是示出根据对比示例1的半导体装置的电流-电压特性的曲线图；图11B是示出根据对比示例2的半导体装置的电流-电压特性的曲线图；以及图11C是示出根据本专利技术的半导体装置的示例性实施例的电流-电压特性的曲线图。具体实施方式将参照示出了示例性实施例的附图来更充分地描述本公开的示例性实施例。然而，本公开的示例性实施例可以以许多不同的形式来实施，并且不应该被解释为受限于这里阐述的实施例；相反，这些实施例被提供使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域的普通技术人员充分地传达示例性实施例的构思。在附图中，为了清晰起见，夸大了层和区域的厚度。附图中同样的附图标记指示同样的元件，因此，将省略对它们的描述。将理解的是，当元件被称为“连接”或“结合”到另一元件时，该元件可以直接连接或直接结合到所述另一元件，或者可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接连接”或“直接结合”到另一元件时，不存在中间元件。同样的标号始终指示同样的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任意组合和所有组合。应当以类似的方式解释用于描述元件或层之间的关系的其它词语(例如，“在……之间”与“直接在……之间”、“相邻”与“直接相邻”、“在……上”与“直接在……上”)。将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例性实施例的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。为了易于描述，这里可以使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等空间相对术语来描述如附图中示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意在包含装置在使用或操作中除了在附图中描述的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件随后将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。所述装置可以被另外定位(旋转90度或者在其它方位)，并相应地解释这里使用的空间相对描述符。这里使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意图对示例性实施例进行限制。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。还将理解的是，如果这里使用术语“包含”和/或“包括”及其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基体基底；第一薄膜晶体管，设置在所述基体基底上，并且包括第一输入电极、第一输出电极、第一控制电极和包含晶体半导体材料的第一半导体图案；第二薄膜晶体管，设置在所述基体基底上，并且包括第二输入电极、第二输出电极、第二控制电极和包含氧化物半导体材料的第二半导体图案；以及多个绝缘层，设置在所述基体基底上，以限定至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔不与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管叠置，其中，在平面图中，所述至少一个虚设孔与所述第二半导体图案之间的最短距离等于或小于5微米。

【技术特征摘要】
2017.02.27 KR 10-2017-00257051.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基体基底；第一薄膜晶体管，设置在所述基体基底上，并且包括第一输入电极、第一输出电极、第一控制电极和包含晶体半导体材料的第一半导体图案；第二薄膜晶体管，设置在所述基体基底上，并且包括第二输入电极、第二输出电极、第二控制电极和包含氧化物半导体材料的第二半导体图案；以及多个绝缘层，设置在所述基体基底上，以限定至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔不与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管叠置，其中，在平面图中，所述至少一个虚设孔与所述第二半导体图案之间的最短距离等于或小于5微米。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个虚设孔设置为满足下面的不等式1：[不等式1]2μm×2μm≤Xμm2≤2μm×Yμm，其中，X是所述至少一个虚设孔的总平面面积，并且Y是所述第二半导体图案的长度。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述最短距离等于或小于2.5微米。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个虚设孔不填...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊亨，金宰范，孙暻锡，林志勋，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR