半导体封装装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体封装装置包含衬底、安置于所述衬底上的电子组件以及封装主体。所述电子组件具有邻近于所述衬底的第一表面，以及与所述第一表面相对的第二表面。所述第二表面具有至少五个边缘，且所述封装主体包封所述电子组件，且暴露所述电子组件的所述第二表面。

Semiconductor packaging device and manufacturing method thereof

A semiconductor packaging device includes a substrate, an electronic component mounted on the substrate, and a packaging body. The electronic assembly has a first surface adjacent to the substrate and a second surface relative to the first surface. The second surface has at least five edges, and the packaging body encapsulates the electronic component and exposes the second surface of the electronic component.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及其制造方法
本专利技术大体上涉及一种半导体封装装置及其制造方法。本专利技术涉及一种包含双侧模制结构的半导体封装装置及其制造方法。
技术介绍
在比较性双侧半导体封装装置中，为了促进半导体封装装置中的散热，半导体装置的背侧(例如裸片)可从包封层暴露。然而，裸片与包封层之间的热膨胀系数(CTE)失配可引起应力，其可导致在一些实施方案中不合意的效应，例如半导体封装装置的翘曲、包封层上的损坏等。此类现象可例如在裸片与包封层之间的边界处出现。开裂或其它损坏可在靠近裸片拐角的包封层中出现。
技术实现思路
在一个方面中，一种半导体封装装置包含衬底、安置于所述衬底上的电子组件，以及封装主体。所述电子组件具有邻近于所述衬底的第一表面，以及与所述第一表面相对的第二表面。所述第二表面具有至少五个边缘，且所述封装主体包封所述电子组件，且暴露所述电子组件的所述第二表面。另一方面，一种半导体封装装置包含衬底、安置于所述衬底上的电子组件，以及封装主体。所述电子组件具有邻近于所述衬底的第一表面，以及与所述第一表面相对的第二表面。由所述电子组件的第二表面的两个邻近边缘界定的至少一个角度大于约90度。所述封装主体包封所述电子组件，且暴露所述电子组件的第二表面。附图说明图1A说明根据本专利技术的第一方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面视图。图1B说明根据本专利技术的一些实施例的图1A中所示的半导体封装装置的仰视图。图1C说明根据本专利技术的一些实施例的图1A中所示的半导体封装装置的放大部分的透视图。图1D说明根据本专利技术的一些实施例的图1A中所示的半导体封装装置的放大部分的透视图。图2A说明根据本专利技术的一些实施例的图1A中所示的半导体封装装置的放大部分的透视图。图2B说明根据本专利技术的一些实施例的图1A中所示的半导体封装装置的仰视图。图2C说明根据本专利技术的一些实施例的图1A中所示的半导体封装装置的放大部分的透视图。图3A说明根据本专利技术的第二方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面视图。图3B说明根据本专利技术的一些实施例图3A中所示的半导体封装装置的仰视图。图3C说明根据本专利技术的一些实施例的图3A中所示的半导体封装装置的放大部分的透视图。图3D说明根据本专利技术的一些实施例的图3A中所示的半导体封装装置的放大部分的透视图。图4A说明根据本专利技术的第三方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面视图。图4B说明根据本专利技术的第三方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面视图。图5说明根据本专利技术的第四方面的半导体封装装置的一些实施例的仰视图。贯穿图式和详细描述使用共同参考标号指示相同或类似元件。从以下结合附图作出的详细描述将更加显而易见本专利技术。具体实施方式图1A说明根据本专利技术的第一方面的半导体封装装置1的一些实施例的横截面视图。半导体封装装置1包含衬底10；电子组件11a、11b和13；封装主体12、14；以及载体15。衬底10可包含例如印刷电路板，例如，基于纸的铜箔层压件、复合铜箔层压件或聚合物浸渍的基于玻璃纤维的铜箔层压件。衬底10可包含互连结构10r，例如再分布层(RDL)或接地元件。衬底10具有表面101和与表面101相对的表面102。衬底10的表面101在本文中被称作顶部表面或第一表面，且所述衬底的表面102在本文中被称作底部表面或第二表面。电子组件11a、11b安置于衬底10的顶部表面101上。电子组件11a可包含有源组件，例如集成电路(IC)芯片或裸片。电子组件11b可包含无源电子组件，例如电容器、电阻器或电感器。电子组件11a、11b中的每一或任一者可电连接到一或多个其它电子组件(例如另一电子组件11a或11b)和/或电连接到衬底10(例如RDL)。此类电连接可例如借助于倒装芯片或导线接合技术来实现。封装主体12安置在衬底10的顶部表面101上，且覆盖或包封电子组件11a、11b。在一些实施例中，封装本体12包含具有填充剂的环氧树脂、模制化合物(例如环氧模制化合物或其它模制化合物)、聚酰亚胺、酚类化合物或材料、具有分散在其中的硅酮的材料，或其组合。电子组件13安置在衬底10的底部表面102上。在一些实施例中，电子组件13可包含有源组件，例如集成电路(IC)芯片或裸片。电子组件13可通过衬底10内的互连结构10r电连接到电子组件11a、11b中的至少一者。电子组件13具有有源表面131和与有源表面131相对的背表面132。有源表面131可面向底部表面102。封装主体14安置于衬底10的底部表面102上，且覆盖或包封电子组件13的第一部分，且暴露电子组件13的第二部分。在一些实施例中，封装主体14包含具有填充剂的环氧树脂、模制化合物(例如环氧模制化合物或其它模制化合物)、聚酰亚胺、酚类化合物或材料、具有分散在其中的硅酮的材料，或其组合。载体15可包含(例如)印刷电路板，例如基于纸的铜箔层压体、复合铜箔层压体，或聚合物浸染的基于玻璃纤维的铜箔层压体。载体15具有表面151和与表面151相对的表面152。载体15的表面151在本文中被称作顶部表面或第一表面，且载体15的表面152在本文中被称作底部表面或第二表面。载体15可包含互连结构15r(例如包含一或多个通孔的互连结构)，其穿透载体15，且将载体15的顶部表面151电连接到载体15的底部表面152。一或多个导电垫15p安置于载体15的顶部表面151上。一或多个导电垫10p安置于衬底10的底部表面102上。多个互连结构14c穿透封装主体14，且将衬底10的底部表面102上的导电垫10p电连接到载体15的顶部表面151上的导电垫15p。热界面材料(TIM)15a安置于电子组件13的后表面132与载体15的顶部表面151之间。TIM15接触电子组件的后表面132和载体15的顶部表面151，且可实现电子组件13的增强型散热。在一些实施例中，热界面材料15a可由适合于散热的焊料或其它材料(例如导热材料，例如包含金属的材料)代替。图1B说明根据本专利技术的一些实施例的从电子组件13的后表面132看的半导体封装装置1的电子组件13的仰视图。如图1B所示，电子组件13的后表面132具有八个边缘。由电子组件13的后表面132的两个邻近边缘界定的电子组件13的每一内角(θ)大于约90度。换句话说，由电子组件13的后表面132的两个邻近边缘界定的封装主体14的拐角的每一内角(θ)大于约90度。举例来说，所述角度为约100度或更大，约110度或更大，约120度或更大，或约135度或更大。在一些实施例中，电子组件13的后表面132具有任何合适数目的边缘，且由邻近边缘中的任何两个界定的每一内角大于约90度。图1C说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置1的放大部分A(由图1A中的点线识别)的透视图。图1C示出电子组件13的拐角。如图1C所示，除后表面132之外，电子组件13具有表面133、134、135和136。表面133邻近于后表面132，且大体上垂直于后表面132。表面134邻近于后表面132，且大体上垂直于后表面132。表面135邻近于后表面132，邻近于表面133和表面134并在其间延伸，且大体上垂直于后表面132。表面136邻近于表面135，且大体上平行于后表面132。表面136可安置于大体上平行于后表面132和衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装装置，其包括：衬底；电子组件，其安置于所述衬底上，所述电子组件具有邻近于所述衬底的第一表面，以及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第二表面具有至少五个边缘；以及封装主体，其包封所述电子组件且暴露所述电子组件的所述第二表面。

【技术特征摘要】
2017.07.06 US 15/643,4701.一种半导体封装装置，其包括：衬底；电子组件，其安置于所述衬底上，所述电子组件具有邻近于所述衬底的第一表面，以及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第二表面具有至少五个边缘；以及封装主体，其包封所述电子组件且暴露所述电子组件的所述第二表面。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中由所述电子组件的所述第二表面的两个邻近边缘界定的所述第二表面的至少一个内角(θ)大于约90度。3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中由所述电子组件的所述第二表面的两个邻近边缘界定的所述封装主体的拐角的至少一个内角(θ)大于约90度。4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述电子组件包含邻近于所述第二表面的第一侧表面，以及邻近于所述第二表面和第一侧表面的第二侧表面，所述电组件进一步包含第一暴露表面和第二暴露表面，所述第一暴露表面大体上垂直于所述第二表面，且在所述第一侧表面与所述第二侧表面之间延伸，且所述第二暴露表面大体上平行于所述第二表面，且所述电组件的拐角由所述第一侧表面、所述第二侧表面、所述第二表面、所述第一暴露表面和所述第二暴露表面界定。5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，由所述第一暴露表面以及所述第一侧表面和所述第二侧表面中的任一者界定的角度大于约90度。6.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其中所述封装主体覆盖所述第一侧表面的至少一部分、所述第二侧表面的至少一部分、所述第二暴露表面的至少一部分以及所述第一暴露表面的至少一部分。7.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其中所述第一暴露表面是弯曲表面。8.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述电组件包含邻近于所述第二表面的第一侧表面，以及邻近于所述第二表面和第一侧表面的第二侧表面，所述电组件进一步包含在所述第一侧表面与所述第二侧表面之间延伸的暴露表面，且所述电组件的拐角由所述第一侧表面、所述第二侧表面和所述暴露表面界定。9.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其中所述暴露表面的至少一部分、所述第一侧表面的至少一部分和所述第二侧表面的至少一部分由所述封装主体覆盖。10.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其中由所述暴露表面和所述第一侧表面或所述暴露表面和所述第二侧表面界定的角度大于约90度。11.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其中所述暴露表面是弯曲表面。12.根据权利要求8所述的半导体封...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶昶麟，陈昱敞，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71