A semiconductor device comprises at least one substrate element, at least one passivation layer, at least one circuit layer and at least one optical absorption layer. The base element includes at least one conductive pad. The passivation layer is positioned on the substrate element. The circuit layer is electrically connected to the conductive pad and is positioned in the passivation layer. The optical absorption layer is positioned on the circuit layer.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置以及一种制造方法,且更明确地说,涉及一种包含至少一个光吸收层的半导体装置,以及一种用于制造所述半导体装置的方法。
技术介绍
半导体封装可包含导电通孔(conductivevia),用于所述半导体封装的不同层之间的电连接。所述导电通孔的形成工艺可包含:形成电介质层(dielectriclayer)以覆盖基底材料的表面;在所述电介质层中形成孔,以暴露所述基底材料的一部分;以及将导电材料安置在所述孔中。所述电介质层通常是光可成像材料(photoimageablematerial),例如聚合物。然而,在所述工艺期间,节结(nodules)(例如电介质层的突起)可能形成于邻近所述孔的侧壁的两端,这可导致导电通孔的缺陷(defects)。
技术实现思路
在一些实施例中,根据一方面,一种半导体装置包含至少一个基底元件、至少一个钝化层、至少一个电路层以及至少一个光吸收层。所述基底元件包含至少一个导电垫。所述钝化层位于所述基底元件上。所述电路层电连接到所述导电垫,且位在所述钝化层中。所述光吸收层位于所述电路层上。在一些实施例中,根据另一方面,一种制造半导体装置的方法包含:形成至少一个钝化层在基底元件上;形成至少一个第一导电层在所述钝化层中,以电连接所述基底元件;形成至少一个光吸收层在所述第一导电层上;以及形成至少一个第二导电层以电连接所述第一导电层。附图说明当结合附图阅读时,从以下详细描述最好地理解本专利技术的一些实施例的方面。应注意,各种结构可能未按比例绘制,且出于论述的清楚起见,各种结构的尺寸可任意增大或减小。图1说明根据 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置,其包括:至少一个基底元件,其包含至少一个导电垫;至少一个钝化层,其位于所述基底元件上;至少一个电路层,其电连接到所述导电垫,且位在所述钝化层中;以及至少一个光吸收层,其位于所述电路层上。
【技术特征摘要】
2017.08.08 US 15/671,8211.一种半导体装置,其包括:至少一个基底元件,其包含至少一个导电垫;至少一个钝化层,其位于所述基底元件上;至少一个电路层,其电连接到所述导电垫,且位在所述钝化层中;以及至少一个光吸收层,其位于所述电路层上。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述钝化层是光阻层。3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述光吸收层是黑色或棕色层。4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述光吸收层是氧化物层,其为所述电路层的氧化部分。5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述至少一个钝化层包含第一钝化层,其界定至少一个第一开口以暴露所述基底元件的所述导电垫,所述至少一个电路层包含第一电路层,其位于在所述第一开口中的所述基底元件的所述导电垫上,且位在所述第一钝化层上,且所述至少一个光吸收层包含位于所述第一电路层上的第一光吸收层。6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中所述第一电路层包含第一晶种层和第一金属层,所述第一晶种层位于在所述第一开口中的所述基底元件的所述导电垫上,且位在所述第一钝化层上,所述第一金属层位于所述第一晶种层上,且所述第一光吸收层位于所述第一金属层的顶部表面和侧表面上。7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中所述第一光吸收层延伸到所述第一晶种层的侧表面的至少一部分。8.根据权利要求6所述的半导体装置,其中所述第一晶种层包含下部层和上部层,所述第一光吸收层延伸到所述第一晶种层的所述上部层的侧表面。9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中所述第一晶种层的所述下部层的侧表面从所述第一光吸收层暴露。10.根据权利要求5所述的半导体装置,其中所述第一光吸收层界定至少一个第一通孔,所述至少一个钝化层进一步包含位于所述第一钝化层上的第二钝化层,所述第二钝化层界定至少一个第二开口,其对应于所述第一光吸收层的所述第一通孔以暴露所述第一电路层的第一区,且所述至少一个电路层进一步包含第二电路层,其位在所述第二钝化层的所述第二开口中,且直接接触...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕文隆,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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