半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:18897686 阅读:22 留言:0更新日期:2018-09-08 12:40
一种半导体装置包含至少一个基底元件、至少一个钝化层、至少一个电路层和至少一个光吸收层。所述基底元件包含至少一个导电垫。所述钝化层位于所述基底元件上。所述电路层电连接到所述导电垫,且位在所述钝化层中。所述光吸收层位于所述电路层上。

Semiconductor device and manufacturing method thereof

A semiconductor device comprises at least one substrate element, at least one passivation layer, at least one circuit layer and at least one optical absorption layer. The base element includes at least one conductive pad. The passivation layer is positioned on the substrate element. The circuit layer is electrically connected to the conductive pad and is positioned in the passivation layer. The optical absorption layer is positioned on the circuit layer.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置以及一种制造方法,且更明确地说,涉及一种包含至少一个光吸收层的半导体装置,以及一种用于制造所述半导体装置的方法。
技术介绍
半导体封装可包含导电通孔(conductivevia),用于所述半导体封装的不同层之间的电连接。所述导电通孔的形成工艺可包含:形成电介质层(dielectriclayer)以覆盖基底材料的表面;在所述电介质层中形成孔,以暴露所述基底材料的一部分;以及将导电材料安置在所述孔中。所述电介质层通常是光可成像材料(photoimageablematerial),例如聚合物。然而,在所述工艺期间,节结(nodules)(例如电介质层的突起)可能形成于邻近所述孔的侧壁的两端,这可导致导电通孔的缺陷(defects)。
技术实现思路
在一些实施例中,根据一方面,一种半导体装置包含至少一个基底元件、至少一个钝化层、至少一个电路层以及至少一个光吸收层。所述基底元件包含至少一个导电垫。所述钝化层位于所述基底元件上。所述电路层电连接到所述导电垫,且位在所述钝化层中。所述光吸收层位于所述电路层上。在一些实施例中,根据另一方面,一种制造半导体装置的方法包含:形成至少一个钝化层在基底元件上;形成至少一个第一导电层在所述钝化层中,以电连接所述基底元件;形成至少一个光吸收层在所述第一导电层上;以及形成至少一个第二导电层以电连接所述第一导电层。附图说明当结合附图阅读时,从以下详细描述最好地理解本专利技术的一些实施例的方面。应注意,各种结构可能未按比例绘制,且出于论述的清楚起见,各种结构的尺寸可任意增大或减小。图1说明根据本专利技术的一些实施例的半导体装置的实例的截面视图。图1A说明图1中的区域A的放大视图。图2说明图1的第一光吸收层的顶部表面的扫描电子显微镜(scanningelectronmicroscope,SEM)图像。图3说明根据本专利技术的一些实施例的半导体装置的实例的截面视图。图4说明根据本专利技术的一些实施例的半导体装置的实例的截面视图。图5说明根据本专利技术的一些实施例的半导体装置的实例的截面视图。图6说明根据本专利技术的一些实施例的半导体装置的实例的截面视图。图7说明根据本专利技术的一些实施例的半导体装置的实例的截面视图。图8说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图9说明根据本专利技术的一些实施例的图8中描绘的基底元件和第一钝化层的立体示意图。图10说明根据本专利技术的一些实施例的基底元件和第一钝化层的立体示意图。图11说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图12说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图13说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图14说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图15说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图16说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图17说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图18说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图19说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图20说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图21说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图22说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图23说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图24说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图25说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图26说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图27说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图28说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图29说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图30说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。图31说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的实例的一或多个阶段。具体实施方式贯穿图式和详细描述使用共同参考数字来指示相同或类似组件。本专利技术的实施例将容易从结合附图进行的以下详细描述理解。以下揭示内容提供用于实施所提供的标的物(subjectmatter)的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例来阐释本专利技术的某些方面。当然,这些组件以及布置仅为实例且无意进行限制。举例来说,在以下描述中,第一特征在第二特征上方或第二特征上的形成可包含第一特征和第二特征直接接触地形成或安置的实施例,并且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成或安置使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。此外,本专利技术可在各种实例中重复参考数字和/或字母。此重复是出于简单和清楚的目的,且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。本专利技术的至少一些实施例揭示一种半导体装置,其包含位于电路层上的至少一个光吸收层;以及用于制造所述半导体装置的技术。根据一些实施例,一种用于制造导电通孔结构(conductiveviastructure)的方法可包含以下步骤。提供衬底。所述衬底包含基底材料,例如第一电路层。形成电介质层(dielectriclayer)(或钝化层(passivationlayer))以覆盖所述基底材料的表面。在所述电介质层形成孔来暴露所述基底材料的一部分。所述电介质层可为“正”作用光可成像材料(“positive”actingphotoimageablematerial),或“负”作用光可成像材料(“negative”actingphotoimageablematerial)。对于“正”作用光可成像材料,所述光可成像材料的未被掩模(mask)覆盖的部分经受辐射,且可溶于显影剂(developer),而所述材料的被掩模覆盖的另一部分保持不溶于显影剂。因此,通过辐射和显影剂的施加来形成经图案化的电介质层(例如包含孔)。对于“负”作用光可成像材料,所述光可成像材料的未被掩模覆盖的部分经受辐射,且不溶于显影剂,而所述材料的被掩模覆盖的另一部分可溶于显影剂。因此,通过辐射和显影剂的施加来形成经图案化的电介质层(例如包含孔)。在一些实施例中,掩模的通孔位在对应于将形成的孔的位置上方,且“正”作用光可成像材料暴露于辐射源。在辐射之后,所述光可成像材料的未被掩模覆盖的部分吸收所述辐射,且溶解于显影剂中。因此,形成所述孔来暴露基底材料的一部分。接着,将导电材料的一部分安置在所述孔中,以形成导电通孔结构。导电材料的另一部分位于电介质层上,从而形成第二电路层。因此,第一电路层通过导电通孔结构电连接到第二电路层。由于光可成像材料是“正”作用的,因此电介质层下方的基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置,其包括:至少一个基底元件,其包含至少一个导电垫;至少一个钝化层,其位于所述基底元件上;至少一个电路层,其电连接到所述导电垫,且位在所述钝化层中;以及至少一个光吸收层,其位于所述电路层上。

【技术特征摘要】
2017.08.08 US 15/671,8211.一种半导体装置,其包括:至少一个基底元件,其包含至少一个导电垫;至少一个钝化层,其位于所述基底元件上;至少一个电路层,其电连接到所述导电垫,且位在所述钝化层中;以及至少一个光吸收层,其位于所述电路层上。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述钝化层是光阻层。3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述光吸收层是黑色或棕色层。4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述光吸收层是氧化物层,其为所述电路层的氧化部分。5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述至少一个钝化层包含第一钝化层,其界定至少一个第一开口以暴露所述基底元件的所述导电垫,所述至少一个电路层包含第一电路层,其位于在所述第一开口中的所述基底元件的所述导电垫上,且位在所述第一钝化层上,且所述至少一个光吸收层包含位于所述第一电路层上的第一光吸收层。6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中所述第一电路层包含第一晶种层和第一金属层,所述第一晶种层位于在所述第一开口中的所述基底元件的所述导电垫上,且位在所述第一钝化层上,所述第一金属层位于所述第一晶种层上,且所述第一光吸收层位于所述第一金属层的顶部表面和侧表面上。7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中所述第一光吸收层延伸到所述第一晶种层的侧表面的至少一部分。8.根据权利要求6所述的半导体装置,其中所述第一晶种层包含下部层和上部层,所述第一光吸收层延伸到所述第一晶种层的所述上部层的侧表面。9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中所述第一晶种层的所述下部层的侧表面从所述第一光吸收层暴露。10.根据权利要求5所述的半导体装置,其中所述第一光吸收层界定至少一个第一通孔,所述至少一个钝化层进一步包含位于所述第一钝化层上的第二钝化层,所述第二钝化层界定至少一个第二开口,其对应于所述第一光吸收层的所述第一通孔以暴露所述第一电路层的第一区,且所述至少一个电路层进一步包含第二电路层,其位在所述第二钝化层的所述第二开口中,且直接接触...

【专利技术属性】
技术研发人员:吕文隆
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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