一种图腾柱电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种图腾柱电路，包括：一PNP型三极管，其发射极连接供电端Vcc，其集电极和基极分别连接电平信号的输入端和输出端；一NPN型三极管，其发射极接地，其集电极连接所述PNP型三极管的基极，其基极连接所述PNP型三极管的集电极。本实用新型专利技术的技术方案既能保证电路非高即低的输出，又可避免电路的误操作。

A totem pole circuit

The utility model provides a totem pole circuit, including a PNP type triode whose emitter is connected with a power supply terminal Vcc, whose collector and base are respectively connected with the input and output terminals of the level signal, and a NPN type triode whose emitter is grounded and whose collector is connected with the base of the PNP type triode, whose base is connected with the PN type triode. Collector of type P transistor. The technical scheme of the utility model can ensure that the output of the circuit is neither high nor low, and can avoid the misoperation of the circuit.

【技术实现步骤摘要】
一种图腾柱电路
本技术涉及一种图腾柱电路，尤其涉及一种基于图腾柱电路抗干扰性的改良电路。
技术介绍
目前，如图3示出了图腾柱电路，其利用NPN型三极管和PNP型三极管的交互导通便可得到高电平及低电平，当输入端输入一个高电平时，NPN型三极管导通，PNP型三极管截止，输出端为高电平；当输入端输入为一个低电平时，NPN型三极管截止，PNP型三极管导通，输出端为低电平。基于三极管的关断和导通需要一定的时间，虽然开关管导通和关断都是毫秒级别的，但存在两个三极管在同一时间全部导通的情况，而此时电路将会产生误操作，影响电路的稳定性，对采集造成误差。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的主要目的在于提供一种图腾柱电路，通过合理的设计，将电路设计为只能输出非高即低的两种状态，实现电路完全受控。本技术提供的一种图腾柱电路，包括一PNP型三极管，其发射极连接供电端Vcc，其集电极和基极分别连接电平信号的输入端和输出端；一NPN型三极管，其发射极接地，其集电极连接所述PNP型三极管的基极，其基极连接所述PNP型三极管的集电极。由上，该PNP型三极管的集电极连接输入端，根据三极管饱和导通或截止的特性，三极管的导通条件由基极电信号高低控制，当输入低电平信号时，该PNP型三极管处于截止状态，该NPN型三极管处于关断状态，电源输出的电流经PNP型三极管放大，当输入高电平信号时，该PNP型三极管处于截止状态，该NPN型三极管处于导通状态，电源输出的电流经该NPN型三极管导通至接地端，通过本电路，可实现输出端非高即低的状态，且NPN型三极管和PNP型三极管不会同时导通，使电路完全受控。进一步改进，所述NPN型三极管的基极与发射极之间还串联并联的RC电路。由上，可防止该NPN型三极管的基极处于高阻态或者受到干扰信号的影响而导致误闭合或者误断开。进一步改进，所述PNP型三极管的集电极与电平信号输入端之间还串联一电阻。由上，用于分压并限制输入电流的大小。进一步改进，所述PNP型三极管的基极与电平信号的输出端串联并联的二极管电阻电路，且二极管的正极连接电平信号输出端，负极连接所述PNP型三极管的基极。由上，二极管在反向电压的作用下，电阻很大，处于截止状态，电阻可用于分压并限制输出电流的大小。附图说明图1为本技术图腾柱电路的电路框图；图2为本技术图腾柱电路的原理示意图；图3为现有技术图腾柱电路的示意图。其中，Vcc为电源，Q1为PNP型三极管，Q2为NPN型三极管，R1、R2、R3为电阻，C1为滤波电容，D1为二极管。具体实施方式下面，参照如图1和图2所示的图腾柱电路，对本技术进行详细说明，该电路所述的PNP型三极管Q1，其发射极连接供电端Vcc，其集电极串联一电阻R1后连接电平信号的输入端，基极串联一并联的反向二极管D1和电阻R3电路后连接电平信号输出端。该二极管D1正极连接电平信号输出端，负极连接所述PNP型三极管Q1的基极；所述的NPN型三极管Q2，其基极连接所述PNP型三极管Q1的集电极，其集电极连接所述PNP型三极管Q1的基极，其发射极接地。该NPN型三极管Q2的基极与集电极还串联由电阻R2和电容C1并联的RC电路。下面，如图2所示，对本技术上述电路的工作原理进行详细说明，包括以下步骤：Q1为PNP型三极管，其集电极与脉冲信号输入端连接；当输入脉冲为低电平时，Q1截止，Q2的基极处于低电平，由于Q2为NPN型三极管，因此Q2处于截止状态，Q2的集电极被钳位在Vcc电压处，电源Vcc端输出的电流，经Q1放大后至输出端，此时输出端为高电平；当输入脉冲为高电平时，Q1截止，Q2的基极处于高电平，Q2处于导通状态，电源Vcc端输出的电流，经Q1发射极流经基极，但Q2集电极钳位电压被Q2导通后接地，此时输出端为低电平。Q1、Q2在此电路中将不存在同时导通的误操作情况。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图腾柱电路，其特征在于，包括：一PNP型三极管，其发射极连接供电端Vcc，其集电极和基极分别连接电平信号的输入端和输出端；一NPN型三极管，其发射极接地，其集电极连接所述PNP型三极管的基极，其基极连接所述PNP型三极管的集电极。

【技术特征摘要】
1.一种图腾柱电路，其特征在于，包括：一PNP型三极管，其发射极连接供电端Vcc，其集电极和基极分别连接电平信号的输入端和输出端；一NPN型三极管，其发射极接地，其集电极连接所述PNP型三极管的基极，其基极连接所述PNP型三极管的集电极。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述NPN型三极管的基极与发射极之间还串...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘喜会，张君鸿，刘长明，李成龙，赵常印，孙静，王帅宇，
申请(专利权)人：北京智行鸿远汽车有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11