The utility model provides a backlit image sensor, which comprises a semiconductor material layer, a photodiode located in the semiconductor material layer, a transfer transistor, a floating diffusion region, a source-following transistor and a reset transistor, wherein the photodiode is a P-type doping region, and the source-following transistor is a fin-type field effect. The channel region of the source-follower transistor is a beam structure having a top face and two sides, and the gate of the source-follower transistor covers at least one side of the top face and two sides; the source-follower transistor is a NMOS transistor, which isolates the source-follower transistor through a N-type doping region. The P-doped region at the bottom of the source-follower transistor and the P-doped region of the photodiode reduce the process difficulty, and because the distance between the P-doped region at the bottom of the source-follower transistor and the P-doped region of the photodiode is relatively large, the connection between the two can be effectively avoided, thus ensuring the performance of the image sensor.
【技术实现步骤摘要】
背照式图像传感器
本技术涉及一种背照式图像传感器。
技术介绍
图像传感器是将光信号转化为电信号的半导体器件。与CCD的制造工艺相比,CMOS图像传感器的制造工艺与标准的CMOS工艺兼容,具备低功耗、易集成、低成本等特点,因此CMOS图像传感器被越来越广泛的应用在各种电子设备中。典型的CMOS图像传感器的结构,通常包括用于感光的光电二极管,以及转移晶体管、浮置扩散区、源跟随晶体管、复位晶体管等。传统的CMOS图像传感器采用正面照射,但是采用这种机制在光电二极管的上方存在着各种金属层或氧化层等等,会导致很大的光损失。因此,背照式CMOS图像传感器,也就是采用从衬底的远离电路层的一侧进行照射的机制的图像传感器为业界广泛使用,以增加光线的光通量,并防止相邻图像传感器像素单元件的光线串扰。图1示出一种现有的背照式图像传感器的部分结构,该背照式图像传感器包括:半导体材料层10;位于半导体材料层10的光电二极管20,所述光电二极管20为N型掺杂区域;以及源跟随晶体管50,所述源跟随晶体管50为NMOS晶体管,包括栅极53,沟道区区域52为平面结构,栅极53于沟道区区域52上方。其中,所述源跟随晶体管50的N型掺杂区域(N阱)51与所述光电二极管的N型掺杂区域20之间由P型掺杂区域进行隔离。然而,由于P型掺杂区域的面积及深度较大,对离子注入工艺要求较高,工艺上常常难以实现,并且由于源跟随晶体管50底部的N型掺杂区域(N阱)51与光电二极管的N型掺杂区域20的间距较小,非常容易造成连通,从而对图像传感器性能造成影响。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种背照式图像传感器,降低工艺 ...
【技术保护点】
1.一种背照式图像传感器,其特征在于,包括:半导体材料层;位于半导体材料层的光电二极管;转移晶体管、浮置扩散区、源跟随晶体管、复位晶体管;其中,所述光电二极管为P型掺杂区域;所述源跟随晶体管为鳍式场效应晶体管,所述源跟随晶体管的沟道区区域为横梁结构,所述横梁结构具有顶面和两个侧面,源跟随晶体管的栅极覆盖所述顶面和两个侧面的至少其中一面;所述源跟随晶体管为NMOS晶体管。
【技术特征摘要】
1.一种背照式图像传感器,其特征在于,包括:半导体材料层;位于半导体材料层的光电二极管;转移晶体管、浮置扩散区、源跟随晶体管、复位晶体管;其中,所述光电二极管为P型掺杂区域;所述源跟随晶体管为鳍式场效应晶体管,所述源跟随晶体管的沟道区区域为横梁结构,所述横梁结构具有顶面和两个侧面,源跟随晶体管的栅极覆盖所述顶面和两个侧面的至少其中一面;所述源跟随晶体管为NMOS晶体管。2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵立新,李杰,
申请(专利权)人:格科微电子上海有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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