偏光膜、其制造方法以及显示元件技术

一种偏光膜，包括：设置于基板上的无机氮化硅层、设置于无机氮化硅层上的无机氧化硅层、以及设置于无机氧化硅层上的金属层，且无机氧化硅层为富含硅的氧化硅层。

Polarizing film, manufacturing method and display element thereof

A polarizing film comprises an inorganic silicon nitride layer arranged on a substrate, an inorganic silicon oxide layer arranged on an inorganic silicon nitride layer, and a metal layer arranged on an inorganic silicon oxide layer, and an inorganic silicon oxide layer rich in silicon.

【技术实现步骤摘要】
偏光膜、其制造方法以及显示元件
本专利技术是有关于一种偏光膜，且特别是有关于一种用于上发光式主动有机发光二极管的偏光膜。
技术介绍
在有机发光二极管的
中，主动有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，AMOLED)被广泛应用于显示设备中。其中，上发光式主动有机发光二极管(top-viewOLED)的结构中，因其开口率较高，且不受薄膜晶体管数目增加的影响，故较为常见。但因其结构中具有高反射率的金属层，而需于封装盖板外贴附圆偏光片降低外界光反射，以防止影响对比。然而，圆偏光片的价格昂贵，因此使得显示设备的制造成本也跟着提高，且现有的圆偏光片的光穿透率过低，因而衍生出发光二极管的亮度不足的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种偏光膜，其能够取代实质偏光片的作用，而能简便地达成降低外界光反射的影响的效果，以降低制作成本。本专利技术的偏光膜设置于基板上，包括：无机氮化硅层、设置于无机氮化硅层上的无机氧化硅层、以及设置于无机氧化硅层上的金属层，且无机氧化硅层为富含硅的氧化硅层。在本专利技术的一实施例中，上述的金属层含有钼。在本专利技术的一实施例中，上述的偏光膜更包括：设置于金属层上的钝化层。在本专利技术的一实施例中，上述的钝化层为无机氧化硅层。在本专利技术的一实施例中，上述的偏光膜在波长440nm的光源下的穿透率为39％以上，在波长550nm的光源下的穿透率为44％以上，在波长610nm的光源下的穿透率为44％以上。在本专利技术的一实施例中，上述的金属层的厚度为50至在本专利技术的一实施例中，上述的金属层的厚度为50至在本专利技术的一实施例中，上述的无机氧化硅层的厚度为25至在本专利技术的一实施例中，上述的钝化层的厚度为50至本专利技术也提供一种偏光膜的制造方法，包括：于基板上积层无机氮化硅层的步骤、于无机氮化硅层上积层无机氧化硅层的步骤、以及于无机氧化硅层上积层金属层的步骤，且无机氧化硅层为富含硅的氮化硅层。在本专利技术的一实施例中，上述的积层无机氧化硅层的步骤是透过化学气相沉积法进行。在本专利技术的一实施例中，上述的偏光膜的制造方法更包括：于金属层上积层钝化层的步骤。本专利技术另提供一种显示元件，包括：薄膜晶体管基板、设置于薄膜晶体管基板上的有机电致发光层、设置于有机电致发光层上的基板、以及如上述的偏光膜，设置于基板上，且位于基板与有机电致发光层之间。基于上述，本专利技术的偏光膜能够取代实质偏光片的作用，而能简便地达成降低外界光反射的影响的效果，以降低制作成本。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1是本专利技术的一实施例的偏光膜的剖面图。图2是本专利技术的另一实施例的偏光膜的剖面图。图3A至图3D是本专利技术的偏光膜的制造方法的流程图。图4是本专利技术的一实施例的显示元件的剖面图。其中，附图标记：1：基板12：无机氮化硅层14：无机氧化硅层16：金属层18：钝化层20、21：偏光膜30：薄膜晶体管基板40：有机电致发光层50：支撑体100：显示元件hv：外部入射光源T：内部出射光源具体实施方式本文的示意图仅是用以示意本专利技术部分的实施例。因此，示意图中所示的各个元件的形状、数量及比例大小不应被用来限制本专利技术。举例来说，示意图中的各膜层的实际厚度以及形状仅是用来作为示意，并不代表本专利技术的各膜层的实际厚度以及形状一定要如图中所示。图1是本专利技术的偏光膜的剖面图。本专利技术的偏光膜20可设置于基板1上，偏光膜20包括：无机氮化硅层12、设置于无机氮化硅层12上的无机氧化硅层14、以及设置于无机氧化硅层14上的金属层16，且无机氧化硅层14为富含硅的氧化硅层。基板1的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或其他可以透光的材质。在本实施例中，基板1例如为用于有机发光二极管的封装的封装盖板。偏光膜20设置在基板1的一表面上。在本实施例中，偏光膜20设置在基板1的下表面上，以做为发光二极管的封装盖板的抗反射层。偏光膜20在波长440nm的光源下的穿透率为39％以上，在波长550nm的光源下的穿透率为44％以上，在波长610nm的光源下的穿透率为44％以上。藉由将偏光膜20对特定光源的穿透率设为上述范围，能够大幅提升偏光膜20的对于内部出射光源T的整体穿透率，同时也能降低外部入射光源hv的反射率。无机氮化硅层12设置于基板1上，无机氮化硅层12的设置方法例如是采用化学气相沉积法(Chemicalvapordeposition，CVD)在基板1上沉积无机氮化硅层12。藉由设置无机氮化硅层12，可做为外部入射光源hv进入抗反射层的折射/反射的薄膜干涉。无机氧化硅层14设置于无机氮化硅层12上，无机氧化硅层14的设置方法例如是采用化学气相沉积法在无机氮化硅层12上沉积做为无机氧化硅层14的富含硅的氧化硅层。在一实施例中，无机氧化硅层14的厚度为25至藉由设置富含硅的氧化硅层做为无机氧化硅层14，可提升蓝光范围区段的光源的穿透率，进而能够提升内部出射光源T全波长的穿透率，无须额外调整外部的操作电压。金属层16设置于无机氧化硅层14上，金属层16中所使用的金属例如是钼(Mo)。金属层16的设置方法例如是采用溅镀沉积技术。且例如是在0.215～0.744W/cm2的溅镀功率下进行金属层16的溅镀制程。藉由设置金属层16，可做为偏光膜的抗反射层，而能够阻挡来自外部入射光源hv的光反射。在一实施例中，金属层16的厚度可为50至此时偏光膜20的内部出射光源T的穿透率可达50％以上。于另一实施例中，金属层16的厚度为50至此时偏光膜20能同时在制程上拥有较佳的良率表现。在一实施例中，如同本案图2所示，偏光膜21更包括设置于金属层16上的钝化层18。钝化层18例如是无机氧化硅层。钝化层18的设置方法例如是采用化学气相沉积法在金属层16上沉积做为钝化层18的无机氧化硅层。藉由设置钝化层18，可保护偏光膜21的结构，避免在进行发光二极管的封装时对偏光层21造成损伤，而造成偏光膜21的功能丧失。在一实施例中，钝化层18的厚度为50至以下说明本专利技术的偏光膜的制造方法。图3A至图3D为本案的偏光膜的制造方法的流程图。在此必须说明的是，以下省略了相同
技术实现思路
的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。首先，如图3A所示，于基板1上透过化学气相沉积法沉积无机氮化硅层12。接着，如图3B所示，于无机氮化硅层12上透过化学气相沉积法沉积做为无机氧化硅层14的富含硅的氧化硅层。最后，如图3C所示，于无机氮化硅层14上透过低功率的溅镀沉积技术沉积含有钼的金属层16。另外，也可如图3D所示，在金属层16的积层步骤之后，更可于金属层16上透过化学气相沉积法沉积做为钝化层18的无机氧化硅层。以上述方法制得的附有偏光膜的封装盖板，相较于目前量产所使用的附有圆偏光片的封装盖板而言，其光穿透率由约44％提升至52％，大幅增加发光二极管的出光效率，且其反射率也能够维持与现有量产品相同的水平。图4为本专利技术的一实施例的显示元件的剖面图。本专利技术的显示元件100包括：薄膜晶体管基板30、有机电致发光层40、基板1以及偏光膜21。薄膜晶体管基板30以及有机电致发光层40可依据需求设置。有机电致发光层40设置于薄膜晶体管基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种偏光膜，设置于一基板上，该偏光膜包括：一无机氮化硅层，设置于该基板上；一无机氧化硅层，设置于该无机氮化硅层上；以及一金属层，设置于该无机氧化硅层上，且该无机氧化硅层为富含硅的氧化硅层。

【技术特征摘要】
2018.02.12 TW 1071049291.一种偏光膜，设置于一基板上，该偏光膜包括：一无机氮化硅层，设置于该基板上；一无机氧化硅层，设置于该无机氮化硅层上；以及一金属层，设置于该无机氧化硅层上，且该无机氧化硅层为富含硅的氧化硅层。2.根据权利要求1所述的偏光膜，其特征在于，该金属层含有钼。3.根据权利要求1所述的偏光膜，其特征在于，更包括：一钝化层，设置于该金属层上。4.根据权利要求3所述的偏光膜，其特征在于，该钝化层为无机氧化硅层。5.根据权利要求1所述的偏光膜，其特征在于，该偏光膜在波长440nm的光源下的穿透率为39％以上，在波长550nm的光源下的穿透率为44％以上，在波长610nm的光源下的穿透率为44％以上。6.根据权利要求1所述的偏光膜，其特征在于，该金属层的厚度为50至7.根据权利要求1所述的偏光膜，其特征在于，该金属层的厚度为50至8.根据权利要求1所述的偏光膜，其特征在于，该无机氧化硅层的厚度为25至9.根据权利要求3所述的偏光膜，其特征在于，该钝化层的厚度为50至10.一种偏光膜的制造方法，其特征在于，包括：于一基板上积层一无机氮化硅层的步骤；于...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖葳，陈加明，黄彦士，陈亦伟，叶佳元，李文仁，沈永裕，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71