薄膜与其形成方法及铜箔基板技术

一种薄膜，包括一聚合物，该聚合物由(a)对羟基苯甲酸；(b)6‑羟基‑2‑萘甲酸；以及(c)支链型单体反应形成，其中(c)支链型单体的结构为：

Thin film and its forming method and copper foil substrate

A thin film comprises a polymer formed by (a) p-hydroxybenzoic acid; (b) 6-hydroxy-2-naphthalic acid; and (c) branched-chain monomer reaction, wherein (c) branched-chain monomer is structured as:

【技术实现步骤摘要】
薄膜与其形成方法及铜箔基板
本专利技术涉及薄膜与铜箔基板。
技术介绍
液晶聚合物(LCP)膜具高耐热、低介电常数/低介电常数损失、高尺寸安定、低吸湿、难燃、热塑及可回收等特性，可取代热固型聚酰亚胺薄膜(PI膜)作为次世代软板。现有的LCP膜的热膨胀系数过大，无法与铜箔匹配形成铜箔基板。综上所述，目前亟需低热膨胀系数的LCP膜以用于铜箔基板。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的薄膜，包括一聚合物，该聚合物由(a)对羟基苯甲酸；(b)6-羟基-2-萘甲酸；以及(c)支链型单体反应形成，其中(c)支链型单体的结构为：或上述的组合，R为芳基、杂芳基或环烷基，每一R1各自独立地为-OH、-NH2或-COOH；其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的摩尔比例介于50∶50至90∶10之间；其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的总和与(c)支链型单体的摩尔比介于100∶0.25至100∶0.5之间。该聚合物的固有粘度介于4dL/g至6dL/g之间。本专利技术一实施例提供的薄膜的形成方法，包括：取(a)对羟基苯甲酸、(b)6-羟基-2-萘甲酸与(c)支链型单体进行聚合反应；熔融聚合物以成薄膜；以及热处理该薄膜，其中(c)支链型单体的结构为：或上述的组合，R为芳基、杂芳基或环烷基，每一R1各自独立地为-OH、-NH2或-COOH；其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的摩尔比例介于50∶50至90∶10之间；其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的总和与(c)支链型单体的摩尔比介于100∶0.25至100∶0.5之间。该聚合物的固有粘度介于4dL/g至6dL/g之间。本专利技术一实施例提供的铜箔基板，包括：薄膜；以及铜箔，贴合至薄膜上，其中薄膜包括一聚合物，该聚合物由(a)对羟基苯甲酸；(b)6-羟基-2-萘甲酸；以及(c)支链型单体反应形成，其中(c)支链型单体的结构为：或上述的组合，R为芳基、杂芳基或环烷基，每一R1各自独立地为-OH、-NH2或-COOH；其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的摩尔比例介于50∶50至90∶10之间；其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的总和与(c)支链型单体的摩尔比介于100∶0.25至100∶0.5之间，该聚合物的固有粘度介于4dL/g至6dL/g之间。附图说明图1为本专利技术一实施例中薄膜的储能模量与损耗模量曲线。图2为本专利技术实施例中不同薄膜的储能模量与损耗模量曲线。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术作进一步的详细说明。本专利技术一实施例提供的薄膜，包括一聚合物，该聚合物由(a)对羟基苯甲酸；(b)6-羟基-2-萘甲酸；以及(c)支链型单体反应形成，其中(c)支链型单体的结构为：或上述的组合，R为芳基、杂芳基或环烷基，每一R1各自独立地为-OH、-NH2或-COOH。在一实施例中，(c)支链型单体为均苯三酸(trimesicacid，TMA)。(a)对羟基苯甲酸的结构为而(b)6-羟基-2-萘甲酸的结构为在一实施例中，可将上述(a)、(b)与(c)单体与醋酸酐混合后进行乙酰化反应(或酰胺化反应，若R1为-NH2)、聚合反应。上述的乙酰化反应温度可约介于150℃至180℃之间，乙酰化反应时间可约介于3小时至4小时之间，聚合反应温度可约介于280℃至300℃之间，且聚合反应时间可约介于1小时至2小时之间。若乙酰化反应温度过低或时间过短，则容易造成单体乙酰化不完全无法进行聚合反应。若乙酰化反应温度过高或时间过长，则单体材料产生裂解现象无法进行聚合反应。若聚合反应温度过低或时间过短，则容易造成聚合物分子量过低，机械强度不足。若聚合反应温度过高或时间过长，则容易造成聚合物产生黄变及裂解现象，造成色泽不佳及机械强度不足。在一实施例中，(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的摩尔比例介于50∶50至90∶10之间。在另一实施例中，(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的摩尔比例约介于60∶40至80∶20之间。在又一实施例中，(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的摩尔比例约介于70∶30至80∶20之间。若(a)对羟基苯甲酸的比例过低，则容易造成聚合物无液晶相形成，机械强度差。若(a)对羟基苯甲酸的比例过高，则容易造成聚合物易脆且熔点过高，无法进行加工应用。上述(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的总和与(c)支链型单体的摩尔比约介于100∶0.25至100∶0.5之间。若(c)支链型单体的比例过低，则容易造成聚合物熔融强度不足，制膜加工应用性差。若(c)支链型单体的比例过高，则容易造成聚合反应不易进行，材料聚合度低，机械强度差。在一实施例中，上述聚合物的固有粘度(IV)约介于4dL/g至6dL/g之间。若聚合物的固有粘度(IV)过低，则聚合物易产生脆性，机械强度差。若聚合物的固有粘度(IV)过高，则容易造成聚合物流动性差，加工应用性不佳。上述聚合物的热膨胀系数约介于30ppm/℃至20ppm/℃之间，属于低热膨胀材料。上述聚合物可熔融成薄膜，其熔融的温度介于100℃至160℃之间。在一实施例中，薄膜厚度介于30μm至100μm之间，根据需求而定。在一实施例中，上述薄膜可进一步热处理，热处理温度约250℃至300℃，热处理时间约为2小时至6小时。热处理方式亦可为先以约250℃至280℃处理约2小时至3小时，再将温度升高至约285℃至300℃处理约2小时至3小时；或者先经热处理温度约250℃至280℃，热处理时间约为2小时后，再将温度升高至290℃热处理2小时。在一实施例中，薄膜经热处理可以增加其熔融温度、延伸率与断裂强度。举例来说，热处理后的薄膜的熔融温度约介于310℃至400℃之间，延伸率约介于13％至25％之间，而断裂强度约介于8kgf/mm2至10kgf/mm2之间。熔融强度约介于1.4cN至1.9cN之间。在一实施例中，薄膜具有低热膨胀性、高熔融强度、高熔融温度、高延伸率与高断裂强度，因此可作为高频可挠印刷电路板(FPC)的板材，比如铜箔基板。本专利技术一实施例提供的铜箔基板，包括：薄膜；以及铜箔，贴合至薄膜上，其中薄膜包括一聚合物，该聚合物由(a)对羟基苯甲酸；(b)6-羟基-2-萘甲酸；以及(c)支链型单体反应形成，其中(c)支链型单体的结构为：或上述的组合，R为芳基、杂芳基或环烷基，每一R1各自独立地为-OH、-NH2或-COOH；其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的摩尔比例介于50∶50至90∶10之间；其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的总和与(c)支链型单体的摩尔比介于100∶0.25至100∶0.5之间，该聚合物的固有粘度介于4dL/g至6dL/g之间。为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特列举数实施例配合所附附图，作详细说明如下：实施例比较例1取73摩尔份的(a)对羟基苯甲酸、27摩尔份的(b)6-羟基-2-萘甲酸与120摩尔份的醋酸酐加热至150℃进行乙酰化反应3.5小时，之后抽真空并加热至300℃进行聚合反应，并确认搅拌叶马达的扭力达到220w后，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜，其包括：一聚合物，该聚合物由(a)对羟基苯甲酸；(b)6‑羟基‑2‑萘甲酸；以及(c)支链型单体反应形成，其中(c)支链型单体的结构为：

【技术特征摘要】
2017.02.23 TW 106106104;2017.12.29 TW 1061464931.一种薄膜，其包括：一聚合物，该聚合物由(a)对羟基苯甲酸；(b)6-羟基-2-萘甲酸；以及(c)支链型单体反应形成，其中(c)支链型单体的结构为：或上述的组合，R为芳基、杂芳基或环烷基，每一R1各自独立地为-OH、-NH2或-COOH；其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的摩尔比例介于50∶50至90∶10之间；其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的总和与(c)支链型单体的摩尔比介于100∶0.25至100∶0.5之间，该聚合物的固有粘度介于4dL/g至6dL/g之间。2.根据权利要求1所述的薄膜，其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的摩尔比例介于60∶40至80∶20之间。3.根据权利要求1所述的薄膜，其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的摩尔比例介于70∶30至80∶20之间。4.根据权利要求1所述的薄膜，其中(c)支链型单体为均苯三酸。5.根据权利要求1所述的薄膜，其熔融强度约介于1.4cN至1.9cN之间。6.根据权利要求1所述的薄膜，其延伸率介于13％至25％之间。7.根据权利要求1所述的薄膜，其断裂强度介于8kgf/mm2至10kgf/mm2之间。8.一种薄膜的形成方法，包括：取(a)对羟基苯甲酸；(b)6-羟基-2-萘甲酸；以及(c)支链型单体进行聚合反应；熔融该聚合物以成一薄膜；以及热处理该薄膜，其中(c)支链型单体的结构为：或上述的组合，R为芳...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈孟歆，林志祥，邱仁军，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71