The invention provides a semiconductor device and a packaging method thereof. The packaging method comprises the following steps: providing a chip and a substrate, plating a metal layer on one side of the chip, and plating a metal layer on the pre-bonded area between the substrate and the chip; pre-sintering process: pre-sintering the metal film with the metal layer and the substrate of the chip by low temperature and low pressure sintering process; The metal layers of metal films, chips and substrates are the same metal; sintering process: using high-temperature and high-pressure sintering process, sintered by chip, metal film and substrate pre-sintered into a whole; lead packaging process: sintered chip, metal film and substrate connected to the lead frame; die sealing and cutting Reinforcement process: the die sealing, and after the die-sealed lead frame for cutting ribs, to get the semiconductor device packaging structure.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其封装方法
本专利技术涉及半导体器件领域,特别涉及一种半导体器件及其封装方法。
技术介绍
封装对于半导体器件来说是必须的,也是至关重要的。封装包括芯片切割、芯片粘接、引线封装过程和模封切筋过程,其中芯片粘接工艺是将芯片固定于衬底的过程。传统的芯片粘接工艺是利用银胶或银膏实现芯片与衬底的粘接。然而,无论是银胶还是银膏中均包含较多有机成分,在烧结过程中,这些有机成分在较高的温度下与氧气反应而产生大量二氧化碳气体,一部分二氧化碳气体逸出,在逸出时使衬底与芯片之间产生空洞,另一部分二氧化碳气体未逸出留存在衬底与芯片之间,因此使得芯片与衬底之间存在大量空洞,严重影响芯片与衬底之间的热传导以及电传导等功能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其封装方法,以解决现有技术中的问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种半导体器件的封装方法,包括:镀金属层过程:提供芯片和衬底,在所述芯片的其中一面镀上金属层,在所述衬底上与所述芯片预粘合的区域镀上金属层;预烧结过程:利用低温低压烧结工艺,将金属薄膜与所述芯片的金属层、所述衬底的金属层预烧结在一起,使所述芯片、所述金属薄膜和所述衬底联合成一个整体,所述金属薄膜、所述芯片的金属层和所述衬底的金属层由同一种金属材料形成;烧结过程:利用高温高压烧结工艺,烧结由所述芯片、所述金属薄膜和所述衬底预烧结而成的整体;引线封装过程:将烧结完成的所述芯片、所述金属薄膜和所述衬底连接至引线框架上;模封切筋过程:利用模封工艺对所述芯片、所述金属薄膜、所述衬底和所述引线框架进行模封,并对模封后的引线框架进行切筋,以得到半导 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的封装方法,其特征在于,包括:镀金属层过程:提供芯片和衬底,在所述芯片的其中一面镀上金属层,在所述衬底上与所述芯片预粘合的区域镀上金属层;预烧结过程:利用低温低压烧结工艺,将金属薄膜与所述芯片的金属层、所述衬底的金属层预烧结在一起,使所述芯片、所述金属薄膜和所述衬底联合成一个整体,所述金属薄膜、所述芯片的金属层和所述衬底的金属层由同一种金属材料形成;烧结过程:利用高温高压烧结工艺,烧结由所述芯片、所述金属薄膜和所述衬底预烧结而成的整体;引线封装过程:将烧结完成的所述芯片、所述金属薄膜和所述衬底连接至引线框架上;模封切筋过程:利用模封工艺对所述芯片、所述金属薄膜、所述衬底和所述引线框架进行模封,并对模封后的引线框架进行切筋,以得到半导体器件封装结构。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的封装方法,其特征在于,包括:镀金属层过程:提供芯片和衬底,在所述芯片的其中一面镀上金属层,在所述衬底上与所述芯片预粘合的区域镀上金属层;预烧结过程:利用低温低压烧结工艺,将金属薄膜与所述芯片的金属层、所述衬底的金属层预烧结在一起,使所述芯片、所述金属薄膜和所述衬底联合成一个整体,所述金属薄膜、所述芯片的金属层和所述衬底的金属层由同一种金属材料形成;烧结过程:利用高温高压烧结工艺,烧结由所述芯片、所述金属薄膜和所述衬底预烧结而成的整体;引线封装过程:将烧结完成的所述芯片、所述金属薄膜和所述衬底连接至引线框架上;模封切筋过程:利用模封工艺对所述芯片、所述金属薄膜、所述衬底和所述引线框架进行模封,并对模封后的引线框架进行切筋,以得到半导体器件封装结构。2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述金属薄膜为银薄膜,所述芯片和所述衬底上镀的金属层均为银层;或者,所述金属薄膜为金薄膜,所述芯片和所述衬底上镀的金属层均为金层。3.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述烧结过程在上模具和下模具中进行,所述上模具和所述下模具对由所述芯片、所述金属薄膜和所述衬底预烧结而成的整体进行施压和加热;所述上模具和所述下模具施加的压力大于15Mpa,加热的温度为200...
【专利技术属性】
技术研发人员:揭丽平,周福鸣,赵清清,朱贤龙,
申请(专利权)人:深圳赛意法微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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