一种无源器件堆叠结构制造技术

本实用新型专利技术实施例提供了一种无源器件堆叠结构，该无源器件堆叠结构包括：基底；至少两层金属层，位于基底的一侧，金属层依次堆叠设置，金属层包括第一无源器件；金属柱层，位于任意相邻两层金属层之间，每层金属柱层包括至少一个金属柱，不同金属层通过至少一个金属柱电连接。本实用新型专利技术的技术方案，通过依次堆叠设置多层金属层，减少了无源器件的占用面积，提高了无源器件堆叠结构的空间利用率，利于无源器件的高集成化。在任意两层金属层之间设置金属柱层，金属柱层中的金属柱可以实现不同金属层之间的电连接，金属柱层的厚度可以根据需要进行设置，从而降低不同金属层之间的信号干扰，优化了无源器件堆叠结构的性能。

A passive device stacking structure

The embodiment of the utility model provides a passive device stacking structure, the passive device stacking structure includes: a substrate; at least two metal layers located on one side of the substrate; the metal layers are stacked in turn; the metal layers include the first passive device; and the metal column layers are located between any two adjacent metal layers, each layer of metal column. The layer comprises at least one metal column, and different metal layers are electrically connected through at least one metal column. The technical scheme of the utility model reduces the occupied area of the passive device, improves the space utilization ratio of the stacking structure of the passive device, and facilitates the high integration of the passive device by stacking multi-layer metal layers sequentially. In order to reduce the signal interference between different metal layers and optimize the performance of stacking structure of passive devices, a metal column layer between any two metal layers can be set, and the thickness of metal column layer can be set according to the need.

【技术实现步骤摘要】
一种无源器件堆叠结构
本技术实施例涉及集成器件技术，尤其涉及一种无源器件堆叠结构。
技术介绍
随着电子产品的日益发展，各类元器件的研发都朝着高集成化、多功能的方向发展，因此，对集成器件中无源器件的高集成化的要求也在日益提高。在集成器件中一般采用平铺的方式设置无源器件，而这种设置方式会使集成器件的占用面积较大，不利于无源器件的高集成化。此外，在现有技术中，一般采用焊球连接各无源器件，但是焊球的寄生电阻会大幅降低电容和电感等无源器件的品质因数，影响无源器件的性能。
技术实现思路
本技术提供一种无源器件堆叠结构，以实现减小无源器件的占用面积，优化无源器件堆叠结构的性能的目的。本技术实施例提出了一种无源器件堆叠结构，包括：基底；至少两层金属层，位于所述基底的一侧，所述金属层依次堆叠设置，所述金属层包括第一无源器件；金属柱层，位于任意相邻两层所述金属层之间，每层所述金属柱层包括至少一个金属柱，不同所述金属层通过至少一个所述金属柱电连接。可选的，所述金属柱层的厚度至少是所述金属层的厚度的两倍。可选的，同一层所述金属柱层中部分或全部所述金属柱之间电连接，和/或至少一个所述金属柱与所述第一无源器件电连接。可选的，相邻两层所述金属柱层中部分所述金属柱之间电连接。可选的，每层所述金属层中的所述第一无源器件包括至少一个第一子无源器件；同一层所述金属层中的部分或全部所述第一子无源器件之间电连接，或同一层所述金属层中的全部所述第一子无源器件之间电绝缘。可选的，每层所述金属层中的所述第一无源器件包括至少一个电感和/或至少一个电阻。可选的，所述的无源器件堆叠结构，还包括：第一绝缘层，位于任意相邻两层所述金属层之间，且填充于所述金属层中所述第一无源器件之间以及每层所述金属柱层中所述金属柱之间。可选的，所述的无源器件堆叠结构，还包括：第二无源器件以及覆盖或包裹所述第二无源器件的第二绝缘层；所述第二无源器件以及所述第二绝缘层位于所述基底与最靠近所述基底的所述金属层之间，或所述第二无源器件以及所述第二绝缘层位于任一所述第一绝缘层与上层金属层之间，所述上层金属层为位于该任一所述第一绝缘层远离所述基底一侧的且最靠近该任一所述第一绝缘层的所述金属层。可选的，所述第二无源器件包括电容。可选的，所述的无源器件堆叠结构，还包括：至少一个芯片，位于至少一个所述金属柱层中的所述金属柱之间。本技术实施例提供了一种无源器件堆叠结构，该无源器件堆叠结构包括：基底；至少两层金属层，位于基底的一侧，金属层依次堆叠设置，金属层包括第一无源器件；金属柱层，位于任意相邻两层金属层之间，每层金属柱层包括至少一个金属柱。通过依次堆叠设置包括第一无源器件的多层金属层，可以减少无源器件的占用面积，提高了无源器件堆叠结构的空间利用率，有利于无源器件的高集成化。在任意两层金属层之间设置金属柱层，金属柱层中的金属柱可以实现不同金属层(第一无源器件)之间的电连接，金属柱层的厚度可以根据需要进行设置，从而降低不同金属层之间的信号干扰，优化了无源器件堆叠结构的性能。附图说明图1是本技术实施例提供的一种无源器件堆叠结构的立体结构示意图；图2是本技术实施例提供的一种无源器件堆叠结构的剖面结构示意图；图3是本技术实施例提供的又一种无源器件堆叠结构的立体结构示意图；图4是本技术实施例提供的又一种无源器件堆叠结构的剖面结构示意图；图5是本技术实施例提供的又一种无源器件堆叠结构的剖面结构示意图；图6是本技术实施例提供的又一种无源器件堆叠结构的立体结构示意图；图7是本技术实施例提供的一种无源器件堆叠结构的制作方法的流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。图1是本技术实施例提供的一种无源器件堆叠结构的立体结构示意图；图2是本技术实施例提供的一种无源器件堆叠结构的剖面结构示意图。参见图1和图2，本技术实施例提出的无源器件堆叠结构，包括：基底1；至少两层金属层2，位于基底1的一侧，金属层2依次堆叠设置，金属层2包括第一无源器件21；金属柱层3，位于相邻两层金属层2之间，每层金属柱层3包括至少一个金属柱31，不同金属层2通过至少一个金属柱31电连接。其中，在图1中，金属层2的层数为三层仅是本申请中的一个具体示例，并非对本申请的限制。本申请中金属层2的层数可以是两层也可以是更多层，具体可根据无源器件平铺设置时的占用面积进行设置。金属层2依次堆叠设置，在任意相邻的两层金属层2之间设置金属柱层3，不同金属层2中的第一无源器件21可通过金属柱层3中的金属柱31电连接，以实现不同金属层2的电连接，且金属柱层的厚度可以根据需要进行设置，从而降低不同金属层之间的信号干扰。多层金属层2中可以部分金属层2包括第一无源器件21，也可以所有金属层2均包括第一无源器件21，第一无源器件21可以是多个相同或者不同种类的无源器件。可选的，每层金属层2中的第一无源器件21包括至少一个电感和/或至少一个电阻。第一无源器件21可以与金属层2通过同一制程形成，示例性地，第一无源器件21可以是在形成金属层2过程中，通过设置金属螺旋盘绕形成在金属层2中的平面电感。本申请中，对金属层2中的第一无源器件21之间以及与金属柱层3中的金属柱31之间的连接关系并不做限制，具体可根据各元件的实际电连接关系进行设置，以此在金属层中形成对应的电路图案。本技术实施例提供的无源器件堆叠结构，通过依次堆叠设置多层包括第一无源器件的金属层，以此减少无源器件的堆叠面积，提高无源器件的空间利用率，利于无源器件的高集成化。在任意两层金属层之间设置金属柱层，金属柱层的厚度可以根据需要进行设置，从而降低不同金属层之间的信号干扰，金属柱可以实现不同金属层中第一无源器件之间的电连接，避免了引入焊球，降低了寄生电阻，可以提高电容或电感等无源器件的品质因数，优化了无源器件堆叠结构的性能。继续参见图1，可选的，金属柱层3的厚度至少是金属层2的厚度的两倍。由于金属层2中存在第一无源器件21，示例性地，当相邻两层的金属层2中的第一无源器件21均为电感时，若金属柱层的厚度较薄且相邻两层的金属层2中的电感在垂直方向上具有交叠部分，则电感之间会存在较大的相互作用，该相互作用会干扰堆叠结构的正常工作。考虑到金属层2之间的间距大于其厚度的两倍时，第一无源器件21之间的相互作用会大大降低，因此，可以设置金属柱层3的厚度至少是金属层2厚度的两倍。图3是本技术实施例提供的又一种无源器件堆叠结构的立体结构示意图。图3中给出了金属层2为三层，金属柱层3为两层时的结构示意图。参见图3，金属层2中包括第一无源器件21，该第一无源器件21可以由一种或者多种无源器件构成。可选的，每层金属层2中的第一无源器件21包括至少一个第一子无源器件；同一层金属层2中的部分或全部第一子无源器件之间电连接，或同一层金属层2中的全部第一子无源器件之间电绝缘。当同一层金属层2中的部分或全部第一子无源器件之间电连接时，可通过其中一个第一子无源器件通过金属柱31与其他金属层2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无源器件堆叠结构，其特征在于，包括：基底；至少两层金属层，位于所述基底的一侧，所述金属层依次堆叠设置，所述金属层包括第一无源器件；金属柱层，位于任意相邻两层所述金属层之间，每层所述金属柱层包括至少一个金属柱，不同所述金属层通过至少一个所述金属柱电连接。

【技术特征摘要】
1.一种无源器件堆叠结构，其特征在于，包括：基底；至少两层金属层，位于所述基底的一侧，所述金属层依次堆叠设置，所述金属层包括第一无源器件；金属柱层，位于任意相邻两层所述金属层之间，每层所述金属柱层包括至少一个金属柱，不同所述金属层通过至少一个所述金属柱电连接。2.根据权利要求1所述的无源器件堆叠结构，其特征在于，所述金属柱层的厚度至少是所述金属层的厚度的两倍。3.根据权利要求1所述的无源器件堆叠结构，其特征在于，同一层所述金属柱层中部分或全部所述金属柱之间电连接，和/或至少一个所述金属柱与所述第一无源器件电连接。4.根据权利要求3所述的无源器件堆叠结构，其特征在于，相邻两层所述金属柱层中部分所述金属柱之间电连接。5.根据权利要求1所述的无源器件堆叠结构，其特征在于，每层所述金属层中的所述第一无源器件包括至少一个第一子无源器件；同一层所述金属层中的部分或全部所述第一子无源器件之间电连接，或同一层所述金属层中的全部所述第一子无源器件之间电绝缘。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：左成杰，何军，
申请(专利权)人：安徽安努奇科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34