半导体元件和半导体装置制造方法及图纸

本申请实施例提供一种半导体元件和半导体装置，该半导体元件的表面呈四边形，该半导体元件具有用于接收控制信号的栅极焊盘，其中，栅极焊盘的数量为至少两个，其中，至少两个所述栅极焊盘被分别设置在所述四边形的一边的两端部。根据本申请，在制造半导体装置时，不需要准备栅极焊盘位置不同的半导体元件，从而降低了制造半导体装置的复杂度。

Semiconductor devices and semiconductor devices

The embodiment of the present application provides a semiconductor element and a semiconductor device having a quadrilateral surface having a gate pad for receiving control signals, wherein the number of gate pads is at least two, wherein at least two of the gate pads are respectively provided in the quadrilateral. The ends of one side. According to the present application, in manufacturing a semiconductor device, it is not necessary to prepare a semiconductor element with different grid pad positions, thereby reducing the complexity of manufacturing a semiconductor device.

【技术实现步骤摘要】
半导体元件和半导体装置
本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体元件和半导体装置。
技术介绍
在半导体技术中，半导体装置可以具有多个半导体元件，半导体元件的表面通常设置有电极焊盘(pad)，电极焊盘可以与半导体元件的电极连接，并且，电极焊盘上可以焊接引线，从而将该半导体元件的电极与其它电子元件进行电连接。专利文献1(日本特开2008-252115)公开了一种半导体装置。图1是专利文献1公开的半导体装置的一个示意图，如图1所示，半导体装置50具有控制元件40和位于控制元件40左右两侧的半导体元件2和半导体元件4。半导体元件2和半导体元件4的表面都具有发射极焊盘E，栅极焊盘G，以及二极管焊盘24，并且，栅极焊盘G通过引线连接到控制元件40。如图1所示，在半导体元件2中，栅极焊盘G形成在半导体元件2的靠近控制元件40的一侧，并且位于半导体元件2的中部靠上侧的位置；在半导体元件4中，栅极焊盘G形成在半导体元件4的靠近控制元件40的一侧，并且位于半导体元件4的中部靠上侧的位置。应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本技术的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
本申请的专利技术人发现，在专利文献1中，半导体元件2和半导体元件4分别位于控制元件40的左右两侧的情况下，为了便于半导体元件2的栅极焊盘G、半导体元件4的栅极焊盘G与控制元件40连接，半导体元件2的栅极焊盘G需要设置在右侧，半导体元件4的栅极焊盘G需要设置在左侧，因此，在制造半导体装置50时，无论半导体元件的电学特性是否相同，都需要准备栅极焊盘位置不同的两种半导体元件，从而增加了制造半导体装置的复杂度。本申请提供一种半导体元件和半导体装置，该半导体元件的表面呈四边形，至少两个栅极焊盘被分别设置在四边形的一边的两端部，由此，在半导体元件与控制元件的位置关系发生改变时，都能够使栅极焊盘方便地连接到控制元件，所以，在制造半导体装置时，不需要准备栅极焊盘位置不同的半导体元件，从而降低了制造半导体装置的复杂度。根据本申请实施例的第一方面，提供一种半导体元件，其具有用于接收控制信号的栅极焊盘，所述半导体元件的表面呈四边形，所述栅极焊盘的数量为至少两个，其中，至少两个所述栅极焊盘被分别设置在所述四边形的一边的两端部。根据本申请实施例的第二方面，其中，所述半导体元件还具有二极管焊盘，所述二极管焊盘被设置在所述四边形的与所述一边相对的另一边。根据本申请实施例的第三方面，其中，所述二极管焊盘比所述栅极焊盘承受的电压高。根据本申请实施例的第四方面，其中，所述半导体元件还具有发射极焊盘，所述发射极焊盘位于所述二极管焊盘和所述栅极焊盘之间，并且，在平行于所述一边的方向上，所述发射极焊盘位于所述两个所述栅极焊盘之间。根据本申请实施例的第五方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置具有如上述第一方面至第四方面中任一方面所述的半导体元件。根据本申请实施例的第六方面，其中，所述半导体装置具有沿垂直于所述一边的方向排列的2个以上所述半导体元件，至少一个所述半导体元件的从所述二极管焊盘指向所述栅极焊盘的方向不同于其它所述半导体元件的从所述二极管焊盘指向所述栅极焊盘的方向。根据本申请实施例的第七方面，其中，所述半导体装置还具有产生控制信号的控制元件，所述控制元件通过引线连接于所述半导体元件的栅极焊盘。根据本申请实施例的第八方面，其中，所述控制元件位于所述2个以上所述半导体元件的沿所述一边方向的一侧。根据本申请实施例的第九方面，其中，所述控制元件位于沿垂直于所述一边的方向排列的2个所述半导体元件之间。根据本申请实施例的第十方面，其中，所述半导体装置还具有引线框架，所述半导体元件和所述控制元件被载置于所述引线框架。本技术的有益效果在于：在制造半导体装置时，不需要准备栅极焊盘位置不同的半导体元件，从而降低了制造半导体装置的复杂度。参照后文的说明和附图，详细公开了本技术的特定实施方式，指明了本技术的原理可以被采用的方式。应该理解，本技术的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本技术的实施方式包括许多改变、修改和等同。附图说明所包括的附图用来提供对本技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本技术的实施方式，并与文字描述一起来阐释本技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1是专利文献1公开的半导体装置的一个示意图；图2是本申请实施例1的半导体元件的一个俯视示意图；图3是图2的A-A断面的一个示意图；图4是图2的B-B断面的一个示意图；图5是图2的C-C断面的一个示意图；图6是本申请实施例2的半导体装置的一个示意图。具体实施方式参照附图，通过下面的说明书，本技术的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本技术的特定实施方式，其表明了其中可以采用本技术的原则的部分实施方式，应了解的是，本技术不限于所描述的实施方式，相反，本技术包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。另外，在本技术的下述说明中，为了说明的方便，将半导体元件的设置有栅极焊盘的表面称为“上表面”，将该半导体元件的与该“上表面”相对的表面称为“背面”，从“上表面”指向“背面”的方向称为“下”方向，与“下”方向相反的方向称为“上”方向。实施例1本申请实施例提供一种半导体元件。图2是本实施例的半导体元件的一个俯视示意图。如图2所示，半导体元件2的表面呈四边形，并且，半导体元件2的表面具有用于接收控制信号的栅极焊盘21。在本实施例中，栅极焊盘21的数量为至少两个，其中，至少两个栅极焊盘21被分别设置在四边形的一边2A的两端部2A1和2A2。根据本实施例，在半导体元件与控制元件的位置关系发生改变时，都能够使栅极焊盘方便地连接到控制元件，所以，在制造半导体装置时，不需要准备栅极焊盘位置不同的半导体元件，从而降低了制造半导体装置的复杂度。在本实施例中，如图2所示，栅极焊盘21位于整个半导体元件2的表面的角部，由此，栅极焊盘21能够不依赖于半导体元件2的内部布局而设置。在本实施例中，如图2所示，半导体元件2还可以具有二极管焊盘22，二极管焊盘22可以被设置在四边形的与一边2A相对的另一边2B。二极管焊盘22的数量也可以是两个以上，并且，二极管焊盘22也可以被设置在该另一边2B的两端部2B1和2B2。在本实施例中，由于二极管焊盘22和栅极焊盘21位于分别被设置于相对的一边2A和另一边2B，因此，二极管焊盘22和栅极焊盘21之间具有较远的距离，施加在二极管焊盘22上的电压不会对栅极焊盘21产生影响。在本实施例中，二极管焊盘22承受的电压可以比栅极焊盘21承受的电压高，例如，二极管焊盘22承受的电压可以是600V左右，栅极焊盘21承受的电压可以是3V-15V，二极管焊盘22和栅极焊盘21之间具有较远的距离，施加在二极管焊盘22上的高电压不会对栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，其具有用于接收控制信号的栅极焊盘，其特征在于：所述半导体元件的表面呈四边形，所述栅极焊盘的数量为至少两个，其中，至少两个所述栅极焊盘被分别设置在所述四边形的一边的两端部。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其具有用于接收控制信号的栅极焊盘，其特征在于：所述半导体元件的表面呈四边形，所述栅极焊盘的数量为至少两个，其中，至少两个所述栅极焊盘被分别设置在所述四边形的一边的两端部。2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述半导体元件还具有二极管焊盘，所述二极管焊盘被设置在所述四边形的与所述一边相对的另一边。3.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，所述二极管焊盘比所述栅极焊盘承受的电压高。4.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，所述半导体元件还具有发射极焊盘，所述发射极焊盘位于所述二极管焊盘和所述栅极焊盘之间，并且，在平行于所述一边的方向上，所述发射极焊盘位于所述两个所述栅极焊盘之间。5.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有如权利要求1-4中任一项所述的半导体元件。6.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：鸟居克行，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：新型
国别省市：日本,JP