一种机台制造技术

本实用新型专利技术涉及一种机台，用于加热晶圆，包括：承载结构以及多根灯管，所述多根灯管围绕所述承载结构设置，以使所述多根灯管的照射范围足以覆盖所述承载结构上所承载的晶圆。所述机台内围绕所述承载结构设置有多根灯管，用于给晶圆加热升温，既能使所述机台内所有的晶圆升温，又能使晶圆整体受热均匀。所述机台侧体壁上设置有通气孔和排气孔，所述通气孔通入的气体将灯管的温度带入所述机台内，使晶圆充分接触到热气流，从而使晶圆受热均匀，降低由于晶圆单侧温度过低导致水汽凝结物和变性光刻胶结合产生污染物的可能性。所述机台设置有温度检测装置，用于检测所述机台内晶圆的升温情况，使升温过程更加精确。

A machine table

The utility model relates to a machine for heating wafers, including a load-bearing structure and a plurality of lamp tubes, which are arranged around the load-bearing structure so that the illumination range of the multiple lamp tubes is sufficient to cover the wafers loaded on the load-bearing structure. A plurality of lamp tubes are arranged around the bearing structure in the machine table for heating the wafer, which can not only make all the wafers in the machine table warm up, but also make the wafer heat uniformly as a whole. A vent hole and a vent hole are arranged on the side wall of the machine table, and the air through the vent hole brings the temperature of the lamp tube into the machine table, so that the wafer fully contacts the hot air flow, thus making the wafer uniformly heated, and reducing the possibility of water vapor condensate and degenerative photoresist combining to produce pollutants due to the low temperature on the one side of the wafer. Ability. The machine is equipped with a temperature detecting device for detecting the temperature rising of the wafer in the machine to make the heating process more accurate.

【技术实现步骤摘要】
一种机台
本技术涉及半导体领域，特别涉及一种机台。
技术介绍
随着集成电路工艺的发展，半导体工艺也越来越复杂，离子注入已经成为超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。而伴随该工艺的产生，晶圆缺陷也随之而来。28nm以下的产品由于低温注入离子有纯度高、能量单一和避免高温热等优点，因此被广泛应用。由于工艺的低温特性，在晶圆作业完毕后需要在机台内升温至室温。现有技术中，如图5所示，机台11采用单根灯管21照射升温，会使晶圆51一侧升温较快，而另一侧升温速度较慢，从机台中取出晶圆51时会有水汽凝结物产生，水汽凝结物与变性后的光刻胶结合生成污染物，在后续的干法和湿法刻蚀过程中也无法去除，对晶圆51的良率造成巨大的影响。针对上述问题，急需一种新的机台，以解决晶圆受热不均匀，导致污染严重，影响产品良率的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种机台，以解决现有技术中低温工艺后的晶圆受热不均匀，导致污染严重，影响产品良率的问题。为了解决现有技术中存在的问题，本技术提供了一种机台，用于加热晶圆，包括：承载结构以及多根灯管，所述多根灯管围绕所述承载结构设置，以使所述多根灯管的照射范围足以覆盖所述承载结构上所承载的晶圆。可选的，在所述机台中，所述机台为中空的多棱柱机台，所述承载结构设置于所述多棱柱机台的中心，所述多根灯管设置于所述多棱柱机台的内侧棱角处，每个所述内侧棱角处设置有至少一根灯管。可选的，在所述机台中，所述机台为中空的多棱柱机台，所述承载结构设置于所述多棱柱机台的中心，所述多根灯管设置于所述多棱柱机台的内侧体壁上，每个所述内侧体壁上设置有至少一根灯管。可选的，在所述机台中，所述机台为中空的圆柱形机台，所述承载结构设置于所述圆柱形机台的中心。可选的，在所述机台中，所述机台的体壁上开设有至少一个通气孔和至少一个排气孔。可选的，在所述机台中，所述通气孔靠近所述灯管设置。可选的，在所述机台中，所述机台还包括至少一个温度检测装置，所述温度检测装置设置于所述机台内或所述机台外体壁上并靠近所述排气孔。可选的，在所述机台中，所述多根灯管相互并联。可选的，在所述机台中，所述机台的体壁上还开设有通道口，所述通道口足以通过所述晶圆。一种低温高电流离子注入机台，包括如权利要求1～9中任一项所述的机台。在本技术所提供的机台中，所述机台设置成壳体结构，使晶圆在机台内充分升温，加快升温速度。所述机台内围绕所述承载结构设置多根灯管，用于给晶圆加热升温，既能使所述机台内所有的晶圆升温，又能使晶圆整体受热均匀。所述机台侧体壁上设置有通气孔和排气孔，所述通气孔通入的气体将灯管的温度带入所述机台内，使晶圆充分接触到热气流，从而使晶圆受热均匀，降低由于晶圆单侧温度过低导致水汽凝结物和变性光刻胶结合产生污染物的可能性。所述机台设置有温度检测装置，用于检测所述机台内晶圆的升温情况，使升温过程更加精确。本技术中避免了所述晶圆因受热不均，导致被污染的可能，提高了晶圆的良率。附图说明图1为本技术实施例提供的机台结构示意图；图2为本技术实施例提供的图1侧视示意图；图3为本技术实施例提供的图1另一侧视示意图；图4为本技术实施例提供的图1俯视示意图；图5为本技术实施例提供的现有机台的结构示意图；其中，11-机台；21-灯管；22-灯罩；31-通气孔；32-排气孔；33-温度检测装置；41-通道口；51-晶圆；52-承载结构。具体实施方式下面将结合示意图对本技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。请参考图1、图2、图3和图4，其中，图1为本技术实施例提供的机台结构示意图；图2为本技术实施例提供的图1侧视示意图；图3为本技术实施例提供的图1另一侧视示意图；图4为本技术实施例提供的图1俯视示意图。本技术提供了一种机台11，用于加热晶圆51，所述机台11为一个壳体结构，使晶圆51在机台11内充分升温，加快升温速度。所述机台11包括：承载结构52以及多根灯管21，所述多根灯管21围绕所述承载结构52设置，以使所述多根灯管21的照射范围足以覆盖所述承载结构52上所承载的晶圆51。所述承载结构52设置在所述机台11的中心，以使所述晶圆51受热均匀。从多个角度照射晶圆51，使所述晶圆51的周围同时升温，从而避免晶圆51一边温度过高，一边温度过低的情况产生；进一步的，在所述机台11内可以从上到下设置多根灯管21，多根所述灯管21呈上下关系设置在所述机台11内，使机台11内所有的晶圆51都受热均匀，不至于形成上下晶圆51受热较好，中间晶圆51受热困难的情况。较佳的，所述承载结构52有多个层次，多层承载结构52呈上下关系设置，多层所述承载结构52用于承载所述晶圆51，每层承载结构52上放置一片晶圆51，使所述晶圆51在所述机台11内各自分开，增大所述晶圆51接触空气的面积，任意上下相邻的两层承载结构52之间的间隙足以移动晶圆51。如图1、4所示，所述灯管21外可以设置灯罩22。由于所述灯管21用于加热，因此所述灯管21的光线是非常强烈的，为了避免所述晶圆51靠近所述灯管21的地方温度过高，本技术中可以采用所述灯罩22来遮挡强光，增加所述灯光的柔和性。进一步的，所述灯罩22还起到保护所述灯管21的作用；能够防止灰尘和污染物的侵袭，从而延长所述灯管21的使用寿命。实施例一：本实施例提供了一种机台11，所述机台11为中空的多棱柱机台11，所述承载结构52设置于所述多棱柱机台11的中心，所述多根灯管21设置于所述多棱柱机台11的内侧棱角处，每个所述内侧棱角处设置有至少一根灯管21。所述机台11可以为三棱柱、四棱柱以及其他任何形状的柱状体。所述灯管21可以纵向或横向设置在所述机台11的内侧棱角处，优选纵向设置。纵向可以设置多根灯管21首尾相连，以便根据晶圆51的数量调整所述灯管21通电的数量；例如晶圆51较少的情况下，可以只开最下面的灯管21，以节约资源。实施例二：本实施例提供了一种机台11，所述机台11为中空的多棱柱机台11，所述承载结构52设置于所述多棱柱机台11的中心，所述多根灯管21设置于所述多棱柱机台11的内侧体壁上，每个所述内侧体壁上设置有至少一根灯管21。所述灯管21的照射范围足以覆盖所述承载结构52上所承载的晶圆51。如图1、3所示，本实施例优选用底面为正方形的长方体结构作为所述机台11的结构，所述机台11包括：多根灯管21，所述多根灯管21可以水平设置在所述机台11的内侧体壁上，每面内侧体壁上可以设置多根所述灯管21；所述多根灯管21还可以竖直设置在所述机台11的内侧体壁上，竖直设置灯管21时也可以使多根灯管21首尾相连，纵向设置，以便根据晶圆51的数量调整所述灯管21通电的数量。实施例三：本实施例提供了一种机台11，所述机台11为中空的圆柱形机台11，所述承载结构52设置于所述圆柱形机台11的中心，所述多根灯管21围绕所述承载结构52设置，以使所述多根灯管21的照射范围足以覆盖所述承载结构52上所承载的晶圆51。在本技术实施例所提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种机台，用于加热晶圆，其特征在于，包括：承载结构以及多根灯管，所述多根灯管围绕所述承载结构设置，以使所述多根灯管的照射范围足以覆盖所述承载结构上所承载的晶圆。

【技术特征摘要】
1.一种机台，用于加热晶圆，其特征在于，包括：承载结构以及多根灯管，所述多根灯管围绕所述承载结构设置，以使所述多根灯管的照射范围足以覆盖所述承载结构上所承载的晶圆。2.如权利要求1所述的机台，其特征在于，所述机台为中空的多棱柱机台，所述承载结构设置于所述多棱柱机台的中心，所述多根灯管设置于所述多棱柱机台的内侧棱角处，每个所述内侧棱角处设置有至少一根灯管。3.如权利要求1所述的机台，其特征在于，所述机台为中空的多棱柱机台，所述承载结构设置于所述多棱柱机台的中心，所述多根灯管设置于所述多棱柱机台的内侧体壁上，每个所述内侧体壁上设置有至少一根灯管。4.如权利要求1所述的机台，其特征在于，所述机台为中空的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡坤，范荣伟，王恺，倪棋梁，龙吟，陈宏璘，郭浩，沈萍，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31