【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化合物、树脂、组合物、抗蚀图案形成方法和电路图案形成方法
本专利技术涉及具有特定结构的化合物、树脂和含有它们的组合物。另外涉及使用该组合物的图案形成方法(抗蚀图案形成方法和电路图案形成方法)。
技术介绍
半导体器件的制造中,进行了基于使用光致抗蚀剂材料的光刻的微细加工,但近年来,伴随着LSI的高集成化和高速度化,要求基于图案规则的进一步微细化。另外,抗蚀图案形成时使用的光刻用的光源已经从KrF准分子激光(248nm)短波长化至ArF准分子激光(193nm),也可以预期超紫外光(EUV、13.5nm)的导入。然而,使用以往的高分子系抗蚀剂材料的光刻中,其分子量大至1万~10万左右,分子量分布也宽,因此,在图案表面产生粗糙度,图案尺寸的控制变困难,微细化存在限度。因此,迄今为止,为了提供分辨率更高的抗蚀图案,提出了各种低分子量抗蚀剂材料。低分子量抗蚀剂材料由于分子尺寸小,因此,可以期待提供分辨率高、粗糙度小的抗蚀图案。目前,作为这样的低分子系抗蚀剂材料,已知有多种。例如提出了使用低分子量多核多酚化合物作为主成分的碱显影型的负型辐射敏感组合物(例如参照专利文献1和专利文献2),作为具有高耐热性的低分子量抗蚀剂材料的候补,还提出了使用低分子量环状多酚化合物作为主成分的碱显影型的负型辐射敏感组合物(例如参照专利文献3和非专利文献1)。另外,作为抗蚀剂材料的基础化合物,已知多酚化合物为低分子量并且能够赋予高耐热性,对于改善抗蚀图案的分辨率、粗糙度是有用的(例如参照非专利文献2)。作为耐蚀刻性优异、且可溶于溶剂且能应用湿式工艺的材料,本专利技术人等提出了含有特定结构的化 ...
【技术保护点】
1.一种下述式(0)所示的化合物,
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.25 JP 2015-2544331.一种下述式(0)所示的化合物,式(0)中,RY为碳数1~30的直链状、支链状或环状的烷基或碳数6~30的芳基,RZ为碳数1~60的N价的基团或单键,RT各自独立地为任选具有取代基的碳原子数1~30的烷基、任选具有取代基的碳原子数6~40的芳基、任选具有取代基的碳原子数2~30的烯基、任选具有取代基的碳数1~30的烷氧基、卤素原子、硝基、氨基、氰基、巯基、羟基或羟基的氢原子被酸解离性基团所取代的基团,此处,所述烷基、所述烯基和所述芳基任选包含醚键、酮键或酯键,此处,RT中的至少1个为羟基或羟基的氢原子被酸解离性基团所取代的基团,X表示氧原子、硫原子或为无桥接,m各自独立地为0~9的整数,此处,m中的至少1个为1~9的整数,N为1~4的整数,此处,N为2以上的整数的情况下,N个[]内的结构式任选相同或不同,r各自独立地为0~2的整数。2.根据权利要求1所述的化合物,其中,所述式(0)所示的化合物为下述式(1)所示的化合物,式(1)中,R0与所述RY为相同含义,R1为碳数1~60的n价的基团或单键,R2~R5各自独立地为碳数1~30的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6~30的芳基、碳数2~30的烯基、碳数1~30的烷氧基、卤素原子、氰基、巯基、羟基或羟基的氢原子被酸解离性基团所取代的基团,此处,R2~R5中的至少1个为羟基或羟基的氢原子被酸解离性基团所取代的基团,m2和m3各自独立地为0~8的整数,m4和m5各自独立地为0~9的整数,其中,m2、m3、m4和m5不同时成为0,n与所述N为相同含义,此处,n为2以上的整数的情况下,n个[]内的结构式任选相同或不同,p2~p5与所述r为相同含义。3.根据权利要求1所述的化合物,其中,所述式(0)所示的化合物为下述式(2)所示的化合物,式(2)中,R0A与所述RY为相同含义,R1A为碳数1~60的nA价的基团或单键,R2A各自独立地为碳数1~30的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6~30的芳基、碳数2~30的烯基、卤素原子、氰基、羟基或羟基的氢原子被酸解离性基团所取代的基团,此处,R2A中的至少1个为羟基或羟基的氢原子被酸解离性基团所取代的基团,nA与所述N为相同含义,此处,nA为2以上的整数的情况下,nA个[]内的结构式任选相同或不同,XA表示氧原子、硫原子或为无桥接,m2A各自独立地为0~7的整数,其中,至少1个m2A为1~7的整数,qA各自独立地为0或1。4.根据权利要求2所述的化合物,其中,所述式(1)所示的化合物为下述式(1-1)所示的化合物,式(1-1)中,R0、R1、R4、R5、n、p2~p5、m4和m5与所述为相同含义,R6~R7各自独立地为碳数1~30的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6~30的芳基、碳数2~30的烯基、碳数1~30的烷氧基、卤素原子、巯基,R10~R11各自独立地为氢原子或酸解离性基团,m6和m7各自独立地为0~7的整数,其中,m4、m5、m6和m7不同时成为0。5.根据权利要求4所述的化合物,其中,所述式(1-1)所示的化合物为下述式(1-2)所示的化合物,式(1-2)中,R0、R1、R6、R7、R10、R11、n、p2~p5、m6和m7与所述为相同含义,R8~R9与所述R6~R7为相同含义,R12~R13与所述R10~R11为相同含义,m8和m9各自独立地为0~8的整数,其中,m6、m7、m8和m9不同时成...
【专利技术属性】
技术研发人员:樋田匠,佐藤隆,越后雅敏,
申请(专利权)人:三菱瓦斯化学株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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