1H-四唑衍生物的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供以叠氮化合物和氰化物为原料，使用流动反应器而高收率地制造1H‑四唑衍生物的方法。本发明专利技术的1H‑四唑衍生物的制造方法是使下述式(2)(式中，Y1表示烷基等)表示的叠氮化合物与下述式(3)(式中，Z表示‑CO‑等，R12表示无取代的或具有取代基的芳基)表示的氰化物在流动反应器内反应而制造下述式(1)表示的1H‑四唑衍生物的制造方法，相对于式(2)表示的叠氮化合物，以0.8～1.2摩尔当量的范围使用式(3)表示的氰化物，且使式(2)表示的叠氮化合物在反应液中的初始浓度为5质量％以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】1H-四唑衍生物的制造方法
本专利技术涉及使用流动反应器的1H-四唑衍生物的制造方法。
技术介绍
已知有使下述式(II)表示的叠氮化合物与下述式(III)表示的氰化物在流动反应器内反应而制造下述式(I)表示的化合物的1H-四唑衍生物的制造方法。Y-N3(II)(上述式(II)中，Y表示烷基、芳基、芳基烷基、具有取代基的甲硅烷基、或者具有取代基的甲硅烷基烷基。)(上述式(III)中，Z表示-CO-、-SO2-、或者-CRaRb-(式中，Ra和Rb各自独立地表示氢原子、烷基、或者无取代的或具有取代基的芳基)，p表示0或者1，q表示0或者1，r表示0或者1，R1在q为0时表示烷基或者氢原子，R1在q为1时表示亚烷基，R2表示无取代的或具有取代基的芳基。其中，p为0时，q为1，r为0时，q为1。)(上述式(I)中，Y与式(II)中的Y相同，Z、R1、R2、p、q和r与上述式(III)中的Z、R1、R2、p、q和r相同。)(参照专利文献1)现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2013/187327号公报
技术实现思路
在上述方法中，虽以收率为60～80％的中等程度获得1H-四唑衍生物，但使用了大量过剩(140～400mol％)的危险性高的叠氮基甲烷，在工业上无法满足。本专利技术的目的在于以叠氮化合物和氰化物为原料，并使用流动反应器而高收率地制造1H-四唑衍生物的方法。本专利技术人等为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现通过控制所使用的叠氮化合物与氰化物的比率、以及叠氮化合物在反应液中的初始浓度，能够高收率地制造1H-四唑衍生物，从而完成了本专利技术。即，本专利技术涉及下述方案：[1]一种式(1)表示的1H-四唑衍生物的制造方法，是使下述式(2)表示的叠氮化合物与下述式(3)表示的氰化物在流动反应器内反应而得到的下述式(1)表示的1H-四唑衍生物的制造方法，其中，相对于上述式(2)表示的叠氮化合物，以0.8～1.2摩尔当量的范围使用上述式(3)表示的氰化物，且使上述式(2)表示的叠氮化合物在反应液中的初始浓度为5质量％以上，Y1-N3(2)(上述式(2)中，Y1表示烷基、无取代或具有取代基的芳基、无取代或具有取代基的芳基烷基、具有取代基的甲硅烷基、或者具有取代基的甲硅烷基烷基。)(上述式(3)中，Z1表示-CO-、-SO2-、或者-CRa1Rb1-(左侧式中，Ra1和Rb1各自独立地表示氢原子、烷基、或者无取代的或具有取代基的芳基，也可以相互键合而形成环)，p1表示0或者1，q1表示0或者1，r1表示0或者1，R11在q1为0时表示烷基或者氢原子，R11在q1为1时表示亚烷基，R12表示无取代的或具有取代基的芳基。其中，p1为0时，q1为1，r1为0时，q1为1。)(上述式(1)中，Y1与上述式(2)中的Y1相同，Z1、R11、R12、p1、q1和r1与上述式(3)中的Z1、R11、R12、p1、q1和r1相同)，[2]根据[1]所述的式(1)表示的1H-四唑衍生物的制造方法，其中，使上述式(2)表示的叠氮化合物在反应液中的初始浓度为10质量％以上，[3]根据[1]或[2]所述的式(1)表示的1H-四唑衍生物的制造方法，其中，上述Y1表示烷基，[4]根据[1]～[3]中任一项所述的式(1)表示的1H-四唑衍生物的制造方法，其中，上述R12为下述式(s11)表示的基团，(上述式(s11)中，A1表示卤素原子、烷基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、烷基磺酰基、无取代的或具有取代基的芳基、氰基、或者硝基，n1表示0～5中的任一个整数。n1为2以上时，A1彼此可以相互相同，也可以不同。在上述式(3)中，p1为1时，＊与R11键合，p1为0且r1为1时，＊与Z1键合，p1和r1为0时，＊与氰基的碳原子键合)，[5]根据[1]～[4]中任一项所述的式(1)表示的1H-四唑衍生物的制造方法，其中，上述反应的反应温度为150～250℃。[6]根据[1]～[5]中任一项所述的式(1)表示的1H-四唑衍生物的制造方法，其中，反应液的溶剂为甲苯或者N-甲基吡咯烷酮。通过使用本专利技术的方法，能够以在工业上也能令人满意的收率制造式(1)表示的1H-四唑衍生物。附图说明图1是表示本专利技术的制造方法中使用的流动反应器的一个实施方式的示意图。具体实施方式[上述式(2)表示的叠氮化合物]上述式(2)中，Y1表示烷基、无取代的或具有取代基的芳基、无取代的或具有取代基的芳基烷基、具有取代基的甲硅烷基、或者具有取代基的甲硅烷基烷基。作为烷基，可以为直链烷基，也可以为支链烷基，还可以为环状烷基。作为上述烷基，优选为碳原子数1～8的直链烷基、碳原子数3～8的支链烷基、或者碳原子数3～8的环状烷基。具体而言，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。无取代的或具有取代基的芳基可以为单环，也可以为多环。多环芳基只要至少一个环为芳香环即可，剩余的环可以为饱和环、不饱和环或者芳香环中的任一种。上述式(2)中的Y1为具有取代基的芳基时，作为上述取代基，只要是化学上允许的，就没有特别限定，具体而言，可举出后述的(1)～(85)中例示的取代基。芳基中，优选为碳原子数6～10的芳基，更优选为苯基、1-萘基、2-萘基、基、茚满基、或者四氢化萘基(1,2,3,4-四氢萘基)，进一步优选为苯基。无取代的或具有取代基的芳基烷基是指烷基的至少1个氢原子被无取代的或具有取代基的芳基取代的基团。被芳基取代的烷基可以为直链烷基，也可以为支链烷基，还可以为环状烷基。作为上述烷基，优选为碳原子数1～8的直链烷基、碳原子数3～8的支链烷基、或者碳原子数3～8的环状烷基，更优选为碳原子数1～8的直链烷基。另外，对于成为烷基的取代基的芳基可举出与上述的无取代的或具有取代基的芳基相同的芳基。其中，优选为碳原子数1～8的直链烷基的1个氢原子被无取代的或具有取代基的碳原子数6～10的芳基取代的基团，更优选为碳原子数1～8的直链烷基的1个氢原子被无取代的或具有取代基的苯基取代的基团，进一步优选为碳原子数1～8的直链烷基的1个氢原子被无取代的苯基取代的基团，更进一步优选为苄基。具有取代基的甲硅烷基是甲硅烷基的至少1个氢原子被取代的基团。作为上述取代基，只要是化学上允许的，就没有特别限定。具体而言，可举出后述的(1)～(85)中例示的取代基。另外，2个或3个氢原子被取代时，取代基彼此可以相互相同，也可以不同。其中，优选为1～3个氢原子被相同或不同的烷基取代的甲硅烷基，更优选为3个氢原子被相同或不同的烷基取代的甲硅烷基，进一步优选为三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、或者叔丁基二甲基甲硅烷基，更进一步优选为三甲基甲硅烷基。具有取代基的甲硅烷基烷基是烷基的至少1个氢原子被具有取代基的甲硅烷基取代的基团。被甲硅烷基取代的烷基可以为直链烷基，也可以为支链烷基，还可以为环状烷基。作为上述烷基，优选为碳原子数1～8的直链烷基、碳原子数3～8的支链烷基、或者碳原子数3～8的环状烷基，更优选为碳原子数1～8的直链烷基。另外，对于成为烷基的取代基的甲硅烷基，可举出与上述的具有取代基的甲硅烷基相同的甲硅烷基。其中，优选为碳原子数1～8的直链烷基的1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种式(1)表示的1H‑四唑衍生物的制造方法，是使下述式(2)表示的叠氮化合物与下述式(3)表示的氰化物在流动反应器内反应而得到的下述式(1)表示的1H‑四唑衍生物的制造方法，其中，相对于所述式(2)表示的叠氮化合物，以0.8～1.2摩尔当量的范围使用所述式(3)表示的氰化物，且使所述式(2)表示的叠氮化合物在反应液中的初始浓度为5质量％以上，Y1‑N3   (2)所述式(2)中，Y1表示烷基、无取代或具有取代基的芳基、无取代或具有取代基的芳基烷基、具有取代基的甲硅烷基、或者具有取代基的甲硅烷基烷基，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.29 JP 2016-0167271.一种式(1)表示的1H-四唑衍生物的制造方法，是使下述式(2)表示的叠氮化合物与下述式(3)表示的氰化物在流动反应器内反应而得到的下述式(1)表示的1H-四唑衍生物的制造方法，其中，相对于所述式(2)表示的叠氮化合物，以0.8～1.2摩尔当量的范围使用所述式(3)表示的氰化物，且使所述式(2)表示的叠氮化合物在反应液中的初始浓度为5质量％以上，Y1-N3(2)所述式(2)中，Y1表示烷基、无取代或具有取代基的芳基、无取代或具有取代基的芳基烷基、具有取代基的甲硅烷基、或者具有取代基的甲硅烷基烷基，所述式(3)中，Z1表示-CO-、-SO2-或者-CRa1Rb1-，在-CRa1Rb1-式中，Ra1和Rb1各自独立地表示氢原子、烷基、或者无取代的或具有取代基的芳基，也可以相互键合而形成环，p1表示0或者1，q1表示0或者1，r1表示0或者1，R11在q1为0时表示烷基或者氢原子，R11在q1为1时表示亚烷基，R12表示无取代的或具有取代基的芳基，其中，p1为0时，q1为1，r1为0时，q1为1，所述式(1)中，Y1与所述式(2)中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：市成大辅，今川务，广川贤一，增井史考，
申请(专利权)人：日本曹达株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP