【技术实现步骤摘要】
高隔离度TR组件结构
本技术属于接收发射组件
，具体涉及一种高隔离度TR组件结构。
技术介绍
现有的TR组件均为一体式结构，即在一个安装壳内设置接收模块、发射模块和控制模块，并将它们通过线路板连接，这样的一体式结构存在如下问题：(1)收发隔离度较低，只能达到80-90dB；(2)体积较大，不易移动和放置；(3)部分模块损坏后需要进行整体更换，不便于维修，增大了使用成本。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题便是针对上述现有技术的不足，提供一种体积小，收发隔离度高且便于维修的高隔离度TR组件结构。本技术所采用的技术方案是：一种高隔离度TR组件结构，包括发射单元模块、电源控制单元模块和接收单元模块，所述发射单元模块放置在密闭的发射外壳内，电源控制单元模块放置在密闭的电源外壳内，接收单元模块放置在密闭的接收外壳内，所述发射外壳、电源外壳和接收外壳重叠设置，电源外壳位于发射外壳与接收外壳之间，所述电源外壳底面通过低频接口和数个射频接口与发射外壳连接，电源外壳顶面通过低频接口和数个射频接口与接收外壳连接，电源外壳相对的两侧还设有与电源控制模块连接的传输接口和低频连接器，所述发射外壳和接收外壳的相对两侧分别连接有传输接口。作为优选，所述发射外壳、电源外壳和接收外壳的大小形状相同。作为优选，所述低频接口包括低频插脚和低频插口，所述低频插脚位于电源外壳的顶面和底面，并与电源控制模块连接，所述低频插口位于发射外壳和接收外壳上，并分别与发射单元模块和接收单元模块连接。作为优选，所述射频接口包括射频公口和射频母口，射频公口位于电源外壳的顶面和底面，并与电源控制模块连接，射频...
【技术保护点】
1.一种高隔离度TR组件结构，包括发射单元模块(1)、电源控制单元模块(3)和接收单元模块(2)，其特征在于：所述发射单元模块(1)放置在密闭的发射外壳(4)内，电源控制单元模块(3)放置在密闭的电源外壳(5)内，接收单元模块(2)放置在密闭的接收外壳(6)内，所述发射外壳(4)、电源外壳(5)和接收外壳(6)重叠设置，电源外壳(5)位于发射外壳(4)与接收外壳(6)之间，所述电源外壳(5)底面通过低频接口(7)和数个射频接口(8)与发射外壳(4)连接，电源外壳(5)顶面通过低频接口(7)和数个射频接口(8)与接收外壳(6)连接，电源外壳(5)相对的两侧还设有与电源控制模块连接的传输接口(9)和低频连接器(10)，所述发射外壳(4)和接收外壳(6)的相对两侧分别连接有传输接口(9)。
【技术特征摘要】
1.一种高隔离度TR组件结构，包括发射单元模块(1)、电源控制单元模块(3)和接收单元模块(2)，其特征在于：所述发射单元模块(1)放置在密闭的发射外壳(4)内，电源控制单元模块(3)放置在密闭的电源外壳(5)内，接收单元模块(2)放置在密闭的接收外壳(6)内，所述发射外壳(4)、电源外壳(5)和接收外壳(6)重叠设置，电源外壳(5)位于发射外壳(4)与接收外壳(6)之间，所述电源外壳(5)底面通过低频接口(7)和数个射频接口(8)与发射外壳(4)连接，电源外壳(5)顶面通过低频接口(7)和数个射频接口(8)与接收外壳(6)连接，电源外壳(5)相对的两侧还设有与电源控制模块连接的传输接口(9)和低频连接器(10)，所述发射外壳(4)和接收外壳(6)的相对两侧分别连接有传输接口(9)。2.根据权利要求1所述的高隔离度TR组件结构，其特征在于：所述发射外壳(4)、电源外壳(5)和接收外壳(6)的大小形状相同。3.根据权利要求1所述的高隔离度TR组件结构，其特征在于：所述低频接口(7)包括低频插脚(71)和低频插口(72)，所述低...
【专利技术属性】
技术研发人员：兰俊斌，
申请(专利权)人：成都华芯微波技术有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51
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