A method of providing a conductive structure on a substrate includes: setting a lower sublayer on the substrate containing a conductive metal oxide material containing indium and zinc, wherein the indium and zinc contents in the bottom sublayer basically define the first indium to zinc content ratio, and performing the first hydrogen on the exposed surface of the lower sublayer A hydrogen content is introduced therein; an intermediate layer is provided on the lower sub-layer, which contains a metal material; and an upper sub-layer is provided on the middle sub-layer, which contains a conductive metal oxide material containing indium and zinc, wherein the indium and zinc contents in the upper sub-layer are substantially defined to be less than the said. The second indium to zinc content ratio of an indium to zinc content ratio, and the patterned multilayer conductive structure to form a composite side etching profile.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制备导电结构和薄膜晶体管阵列面板的方法相关申请的交叉引用本申请主张2016年1月14日提交的美国临时申请62/278448、62/278467和62/278469的优先权,该些美国临时申请通过引用文献加入本文。
本专利技术总体上涉及显示技术,具体涉及薄膜晶体管(TFT)阵列面板。
技术介绍
在平板显示装置中,薄膜晶体管(TFT)被用作像素电极的开关元件。薄型显示面板装置通常包括被布置为传送用于控制薄膜晶体管的扫描信号的栅极线和被布置为传送施加到像素电极的信号的数据线。研究工作致力于提高信号传导能力以实现更高的面板装置的性能。附图说明现在将参照附图仅以举例的方式描述本技术的实现。图1示出了根据本公开的一些实施例的薄膜晶体管(TFT)阵列面板的一部分的示意性平面布局。图2示出了根据本公开的一些实施例的示例性阵列面板中的TFT器件的横截面图。图3至图6示出了经历图案化处理的多层导电层中的不同示意性蚀刻轮廓。图7示出了根据本公开的一些实施例的示例性阵列面板中的TFT器件的横截面图。图8至图14示出了根据本公开的一些实施例的示例性TFT器件在制造过程的各个阶段。具体实施方式应该理解的是,为了说明的简单和清楚,在适当的情况下,在不同附图中重复使用附图标号来指代对应或类似的元件。此外,许多具体细节被阐述以便提供对本文描述的实施例的透彻理解。然而,本领域的普通技术人员将会理解,可以在没有这些具体细节的情况下实践本文描述的实施例。在其他实例中,方法、工艺和组件未被详细描述以免混淆所描述的相关特征。且,该描述不被认为是限制本文描述的实施例的范围。附图不一定按比例绘制,并且某些 ...
【技术保护点】
1.一种在基底上提供导电结构的方法,包括:在所述基底上设置下子层,所述下子层包含含有铟和锌的导电金属氧化物材料,其中所述底部子层中的铟和锌含量基本上定义为第一铟与锌含量比;在所述下子层的暴露表面上进行第一次氢处理以在其中引入氢含量;在所述下子层上设置中间子层,所述中间子层包含金属材料;在所述中间子层上设置上子层,所述上子层包含含有铟和锌的导电金属氧化物材料,其中所述上子层中的铟和锌含量基本上定义为小于所述第一铟与锌含量比的第二铟与锌含量比;以及图案化所述多层导电结构以形成复合侧面蚀刻轮廓。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.14 US 62/278469;2016.01.14 US 62/278467;201.一种在基底上提供导电结构的方法,包括:在所述基底上设置下子层,所述下子层包含含有铟和锌的导电金属氧化物材料,其中所述底部子层中的铟和锌含量基本上定义为第一铟与锌含量比;在所述下子层的暴露表面上进行第一次氢处理以在其中引入氢含量;在所述下子层上设置中间子层,所述中间子层包含金属材料;在所述中间子层上设置上子层,所述上子层包含含有铟和锌的导电金属氧化物材料,其中所述上子层中的铟和锌含量基本上定义为小于所述第一铟与锌含量比的第二铟与锌含量比;以及图案化所述多层导电结构以形成复合侧面蚀刻轮廓。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述第一和所述第三子层之间的所述铟与锌含量比差异被设置为不小于20%。3.如权利要求2所述的方法,其特征在于:图案化所述多层导电结构包括实行湿法蚀刻工艺,其中所述下和所述上子层之间的所述铟与锌含量比的差异影响所述侧面蚀刻轮廓,其中与所述上子层中的蚀刻轮廓相关联的间隙宽度大于与下子层中的蚀刻轮廓相关联的间隙宽度。4.如权利要求3所述的方法,其特征在于:实行湿法蚀刻工艺包括定义半导体器件的源极和漏极,其中所述下和所述上子层之间的所述铟与锌含量比的差异影响所述源极和所述漏极之间的基本平滑且逐渐变细的侧面蚀刻轮廓的形成。5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:实行第一次氢处理包括实行氨等离子体处理以使第一子层中的氢含量增加约20%。6.如权利要求1所述的方法,其特征在于:实行第一次氢处理包括实行氨等离子体处理以使第一子层中的导电率增加约20%。7.如权利要求1所述的方法,进一步包括在设置上子层之后实行第二次氢退火处理用于在其中引入氢含量。8.如权利要求1所述的方法,其特征在于:设置下子层包括提供约25%至约80%范围内的铟与锌含量比。9.如权利要求8所述的方法,进一步包括提供约45%至约70%范围内的铟与锌含量比。10.如权利要求1所述的方法,其特征在于:设置上子层包括提供约5%至约40%范围内的铟与锌含量比。11.如权利要求10所述的方法,进一步包括提供约10%至约35%范围内的铟与锌含量比。12.如权利要求1所述的方法,其特征在于:设置...
【专利技术属性】
技术研发人员:林欣桦,施博理,高逸群,万昌峻,张炜炽,吴逸蔚,
申请(专利权)人:鸿富锦精密工业深圳有限公司,鸿海精密工业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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