一种抗衰减多晶硅片制造技术

本发明专利技术提供了一种抗衰减多晶硅片，属于机械技术领域。它解决了现有多晶硅片性能易衰减的问题。本抗衰减多晶硅片，包括硅片主体，其特征在于，硅片主体呈矩形板状结构，且由下往上依次包括钢化玻璃层一、聚氟乙烯复合膜、N型硅片、导通层、P型硅片和钢化玻璃层二，硅片主体的外周边设置有保护边框，保护边框的一侧具有接线盒，接线盒内设置有第一转接头、第二转接头、第一输出电极和第二输出电极，第一电极和第二电极均垂直穿插在保护边框上。保护边框，即能对硅片主体进行保护，避免受磕碰损坏，同时能够对第一电极和第二电极进行辅助定位，并使接线更加方便，安装时省时省力，避免多晶硅片受损，降低多晶硅片的衰减。

【技术实现步骤摘要】
一种抗衰减多晶硅片
本专利技术属于太阳能
，涉及一种太阳能多晶硅片，特别是一种抗衰减多晶硅片。
技术介绍
多晶硅片，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅，多晶硅片多用于电子上和太阳能发电，是作为太阳能产业链的原料，用于铸锭或拉单晶硅棒，在切成硅片，生产成太阳能电池板，就是卫星、空间站上的太阳能帆板，大部分还是用在建太阳能电站了，自地球上生命诞生以来，就主要以太阳提供的热辐射能生存，而自古人类也懂得以阳光晒干物件，并作为制作食物的方法，如制盐和晒咸鱼等，太阳能是人类使用能源的重要组成部分，并不断得到发展，太阳能的利用有光热转换和光电转换两种方式，太阳能发电是一种新兴的可再生能源。现如今的多晶硅片表面处理不够，及多晶硅片在安装和使用时的不规范，导致多晶硅片在使用后易衰减，所以，如何设计一种抗衰减多晶硅片，成为我们当前要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种抗衰减多晶硅片，它所要解决的技术问题是如何保证太阳能多晶硅片的性能。本专利技术的目的可通过下列技术方案来实现：一种抗衰减多晶硅片，包括硅片主体，其特征在于，所述硅片主体呈矩形板状结构，且由下往上依次包括钢化玻璃层一、聚氟乙烯复合膜、N型硅片、导通层、P型硅片和钢化玻璃层二，所述聚氟乙烯复合膜通过EVA溶胶固连在N型硅片的底面上，所述钢化玻璃层一通过EVA溶胶固连在聚氟乙烯复合膜的底面上，所述钢化玻璃层二通过EVA溶胶固连在P型硅片的顶面上，所述P型硅片的侧面连接有第一电极，所述N型硅片的侧面连接有第二电极，所述硅片主体的外周边设置有保护边框，所述保护边框的一侧具有接线盒，所述接线盒内设置有第一转接头、第二转接头、第一输出电极和第二输出电极，所述第一电极和第二电极均垂直穿插在保护边框上，且第一电极通过第一转接头和第一输出电极相连通，第二电极通过第二转接头与第二输出电极相连通。阳光照射在P型硅片表面，在表面形成电子和空穴对，在P-N结电场的作用下，空穴由P型硅片经过导通层流向N型硅片，电子由N型硅片经过导通层流向P型硅片，并通过第一电极和第二电极输出电流；保护边框，即能对硅片主体进行保护，避免受磕碰损坏，同时能够对第一电极和第二电极进行辅助定位，并使第一电极、第二电极与接线盒的连接更加方便，安装时省时省力，避免多晶硅片受损，降低多晶硅片的衰减。在上述的抗衰减多晶硅片中，所述保护边框为矩形框，包括框杆一、框杆二、框杆三和框杆四，所述框杆二的左端固连在框杆一的上端，所述框杆四的左端固连在框杆二的下端，所述框杆三的上端可拆卸连接在框杆二的右端，且框杆三的下端可拆卸连接在框杆四的右端，所述框杆三具有用于穿插第一电极的第一定位孔和用于穿插第二电极的第二定位孔，所述接线盒可拆卸连接在框杆三上。连接更加方便，同时由于各个框杆的结构及相互之间的连接方式不同，辨识度高，不易混淆。在上述的抗衰减多晶硅片中，所述框杆三的外侧壁具有向外凸出的弹性插接件，所述接线盒具有用于与弹性插接件相配合的插接孔，所述插接孔的一侧开口位于接线盒与框杆三相抵靠的内壁面上，插接孔的另一侧开口位于接线盒的底面上。接线盒与框杆三的连接均由框杆三上向外凸出的插接件或电极进行校准，安装更加方便。在上述的抗衰减多晶硅片中，所述第二转接头包括接头主体二，所述接头主体二的前端具有用于插入第二电极的开口，所述第二输出电极连接在接头主体二的后端，且由接线盒的底面穿出，所述接头主体二呈管状，且接头主体二的后端底面具有向下开口的通孔二，具有接头主体二内设置有通过扭簧二连接的转板二，当第二电极插在接头主体二内时，转板二在第二电极作用下，转板二的后端底面抵靠在弹性插接件的顶面上。当第二电极与接线盒相连时，第二电极能够进一步对弹性插接件进行施力，提高结合强度；当要将接线盒取下时，按压弹性插接件时，弹性插接件能够迫使第二电极脱离第二转接头，可以避免第二电极与第二转接头黏连而损坏，拆卸效果好。在上述的抗衰减多晶硅片中，所述转板二的顶面上设置有压块二，所述第二电极包括杆状的电极主体二和制为球状的球头二，所述球头二的直径大于电极主体二的直径。压迫转板及在转板作用下收缩效果更好。在上述的抗衰减多晶硅片中，所述第一转接头包括接头主体一，所述接头主体一的前端具有用于插入第一电极的开口，所述第一输出电极连接在接头主体一的后端，且由接线盒的底面穿出，所述接头主体一呈管状，且接头主体一的后端底面具有向下开口的通孔一，具有接头主体一内设置有通过扭簧一连接的转板一，当第一电极插在接头主体一内时，转板一的后端穿出通孔一，所述转板一的顶面上设置有压块一，所述第一电极包括杆状的电极主体一和制为球状的球头一，所述球头一的直径大于电极主体一的直径。第一电极和第一转接头的结构与第二电机及第二转接头相近似，连接稳定性好，且脱出时效果好。在上述的抗衰减多晶硅片中，所述框杆三顶面具有向外侧延伸的防护板，所述接线盒的顶面抵靠在防护板的底面上。当接线盒与保护边框相连后，接线盒藏匿在框杆三的防护板下，则接线盒与第一电极及第二电极的连接部不会由于两个部件之间的间隙而外露，可以避免露天使用时雨水的不良影响，减少衰减，延长使用寿面。在上述的抗衰减多晶硅片中，所述硅片主体和保护边框之间设置有海绵垫圈，所述海绵垫圈的内壁面具有用于嵌装硅片主体的定位槽一，所述保护边框的内壁具有定位槽二，所述海绵垫圈的外壁面具有向外凸出且用于嵌设在定位槽二内的环形定位部。硅片主体与海绵垫圈、海绵垫圈与保护边框之间配合紧密，不易松动。在上述的抗衰减多晶硅片中，所述钢化玻璃层一具有向下凸起且呈矩形的定位块一，所述海绵垫圈下部的内壁面抵靠在定位块一的外周壁上，所述钢化玻璃层二具有向上凸起且呈矩形的定位块二，所述海绵垫圈上部的内壁面抵靠在定位块二的外周壁上。钢化玻璃层一的上部边缘和钢化玻璃层二的下部边缘均嵌设在定位槽一，密封性更好。在上述的抗衰减多晶硅片中，所述钢化玻璃层一的底面与保护边框的底面相齐平，定位块一和保护边框之间存在间隙且填充有无机硅填料层一，钢化玻璃层二的顶面与保护边框的顶面相齐平，定位块二和保护边框之间存在间歇且填充有无机硅填料层二。无机硅填料层以保证钢化玻璃层与保护边框之间的结合强度和密封性，避免漏水而影响电极。与现有技术相比，本专利技术通过设置保护边框，并将接线盒集成在保护边框上，不仅能够避免多晶硅片受损，对输出的电极进行定位和进一步保护，使得电极的连接更加方便，而且还能够避免电极在使用时受到雨水侵蚀漏电，避免衰减，延长使用寿命。附图说明图1是本专利技术的俯视结构图。图2是本专利技术的分解结构示意图。图3是图1中A-A截面图。图4是图1中B-B截面图。图5是图3中C处放大图。图6是图5中E处放大图图7是图4中D处放大图图8是图7中F处放大图图中，1、硅片主体；11、钢化玻璃层一；111、定位块一；12、聚氟乙烯复合膜；13、N型硅片；14、导通层；15、P型硅片；16、钢化玻璃层二；161、定位块二；17、机硅填料层一；18、无机硅填料层二；保护边框；21、框杆一；22、框杆二；23、框杆三；231、第一定位孔；232、第二定位孔；23本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗衰减多晶硅片，包括硅片主体(1)，其特征在于，所述硅片主体(1)呈矩形板状结构，且由下往上依次包括钢化玻璃层一(11)、聚氟乙烯复合膜(12)、N型硅片(13)、导通层(14)、P型硅片(15)和钢化玻璃层二(16)，所述聚氟乙烯复合膜(12)通过EVA溶胶固连在N型硅片(13)的底面上，所述钢化玻璃层一(11)通过EVA溶胶固连在聚氟乙烯复合膜(12)的底面上，所述钢化玻璃层二(16)通过EVA溶胶固连在P型硅片(15)的顶面上，所述P型硅片(15)的侧面连接有第一电极(9)，所述N型硅片(13)的侧面连接有第二电极(10)，所述硅片主体(1)的外周边设置有保护边框(2)，所述保护边框(2)的一侧具有接线盒(4)，所述接线盒(4)内设置有第一转接头(5)、第二转接头(6)、第一输出电极(7)和第二输出电极(8)，所述第一电极(9)和第二电极(10)均垂直穿插在保护边框(2)上，且第一电极(9)通过第一转接头(5)和第一输出电极(7)相连通，第二电极(10)通过第二转接头(6)与第二输出电极(8)相连通。

【技术特征摘要】
1.一种抗衰减多晶硅片，包括硅片主体(1)，其特征在于，所述硅片主体(1)呈矩形板状结构，且由下往上依次包括钢化玻璃层一(11)、聚氟乙烯复合膜(12)、N型硅片(13)、导通层(14)、P型硅片(15)和钢化玻璃层二(16)，所述聚氟乙烯复合膜(12)通过EVA溶胶固连在N型硅片(13)的底面上，所述钢化玻璃层一(11)通过EVA溶胶固连在聚氟乙烯复合膜(12)的底面上，所述钢化玻璃层二(16)通过EVA溶胶固连在P型硅片(15)的顶面上，所述P型硅片(15)的侧面连接有第一电极(9)，所述N型硅片(13)的侧面连接有第二电极(10)，所述硅片主体(1)的外周边设置有保护边框(2)，所述保护边框(2)的一侧具有接线盒(4)，所述接线盒(4)内设置有第一转接头(5)、第二转接头(6)、第一输出电极(7)和第二输出电极(8)，所述第一电极(9)和第二电极(10)均垂直穿插在保护边框(2)上，且第一电极(9)通过第一转接头(5)和第一输出电极(7)相连通，第二电极(10)通过第二转接头(6)与第二输出电极(8)相连通。2.根据权利要求1所述的抗衰减多晶硅片，其特征在于，所述保护边框(2)为矩形框，包括框杆一(21)、框杆二(22)、框杆三(23)和框杆四(24)，所述框杆二(22)的左端固连在框杆一(21)的上端，所述框杆四(24)的左端固连在框杆二(22)的下端，所述框杆三(23)的上端可拆卸连接在框杆二(22)的右端，且框杆三(23)的下端可拆卸连接在框杆四(24)的右端，所述框杆三(23)具有用于穿插第一电极(9)的第一定位孔(231)和用于穿插第二电极(10)的第二定位孔(232)，所述接线盒(4)可拆卸连接在框杆三(23)上。3.根据权利要求2所述的抗衰减多晶硅片，其特征在于，所述框杆三(23)的外侧壁具有向外凸出的弹性插接件(235)，所述接线盒(4)具有用于与弹性插接件(235)相配合的插接孔(41)，所述插接孔(41)的一侧开口位于接线盒(4)与框杆三(23)相抵靠的内壁面上，插接孔(41)的另一侧开口位于接线盒(4)的底面上。4.根据权利要求3所述的抗衰减多晶硅片，其特征在于，所述第二转接头(6)包括接头主体二(61)，所述接头主体二(61)的前端具有用于插入第二电极(10)的开口，所述第二输出电极(8)连接在接头主体二(61)的后端，且由接线盒(4)的底面穿出，所述接头主体二(61)呈管状，且接头主体二(61)的后端底面具有向下开口的通孔二(611)，具有接头主体二(61)内设置有通过扭簧二(62)连接的转板二(63)，...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋春桥，张树华，龙文文，李有，
申请(专利权)人：嘉兴能发电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33