A semiconductor device and a manufacturing method thereof comprise a semiconductor substrate and a passive element formed on the semiconductor substrate comprising a first polysilicon layer, a silicide blocking layer and a first self-aligned silicide layer formed therein. The first polysilicon layer covers at least a portion of the upper surface of the first polysilicon layer, and the first self-aligned silicide layer covers the upper surface of the silicide prevention layer. The invention can reduce parasitic electrical signals generated by passive components by forming a first self-aligned silicide layer on the upper surface of the silicide prevention layer. Therefore, interference generated by passive components can be reduced.
【技术实现步骤摘要】
半导体设备及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体设备及其制造方法,特别是涉及一种具有自对准硅化物(salicide)层的半导体设备及其制造方法。
技术介绍
常见的电子设备包括无源组件和电路。无源组件通常会产生寄生电信号(Parasiticelectricity),例如寄生电阻、寄生电容和/或寄生电感。然而,此类寄生电信号或者寄生元件会对电路产生干扰。因此,减少由无源组件产生的干扰十分重要。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体设备及其制造方法,以解决上述问题。本专利技术提供了一种半导体设备,包括:半导体基板;以及形成在所述半导体基板上的无源元件,上述无源元件包括:第一多晶硅层、硅化物阻止层和第一自对准硅化物层,所述硅化物阻止层形成于所述第一多晶硅层上并覆盖所述第一多晶硅层的上表面的至少一部分,所述第一自对准硅化物层覆盖所述硅化物阻止层的上表面。本专利技术提供了一种半导体设备制造方法,包括:提供半导体基板;在所述半导体基板的绝缘部上形成第一多晶硅层,在所述第一多晶硅层上形成硅化物阻止层,在所述硅化物阻止层上形成第二多晶硅层,所述硅化物阻止层覆盖所述第一多晶硅层的上表面的至少一部分;形成反应层,所述反应层覆盖所述第二多晶硅层;通过所述第二多晶硅层与所述反应层反应,形成第一自对准硅化物层。本专利技术通过在半导体基板上的无源组件中形成覆盖第一多晶硅层的硅化物阻止层,且在硅化物阻止层的上表面形成第一自对准硅化物层,从而可以减小无源组件产生的寄生电信号。因此,本专利技术可以减小无源组件产生的干扰。在结合附图阅读本专利技术的实施例的以下详细描述之后,本专利技术的各种目的、 ...
【技术保护点】
1.一种半导体设备,包括:半导体基板;以及形成在所述半导体基板上的无源元件,包括:第一多晶硅层、硅化物阻止层和第一自对准硅化物层,所述硅化物阻止层形成于所述第一多晶硅层上并覆盖所述第一多晶硅层的上表面的至少一部分,所述第一自对准硅化物层覆盖所述硅化物阻止层的上表面。
【技术特征摘要】
2017.02.20 US 62/460,933;2017.08.15 US 15/677,1901.一种半导体设备,包括:半导体基板;以及形成在所述半导体基板上的无源元件,包括:第一多晶硅层、硅化物阻止层和第一自对准硅化物层,所述硅化物阻止层形成于所述第一多晶硅层上并覆盖所述第一多晶硅层的上表面的至少一部分,所述第一自对准硅化物层覆盖所述硅化物阻止层的上表面。2.如权利要求1所述的半导体设备,其特征在于,所述第一自对准硅化物层还覆盖所述第一多晶硅层的上表面中未被所述硅化物阻止层覆盖的部分。3.如权利要求2所述的半导体设备,其特征在于,所述第一自对准硅化物层包括第一硅化部、第二硅化部和第三硅化部,其中所述第一硅化部覆盖所述硅化物阻止层的上表面,所述第二硅化部和所述第三硅化部覆盖所述第一多晶硅层的上表面中未被所述硅化物阻止层覆盖的部分。4.如权利要求3所述的半导体设备,其特征在于,所述第二硅化部和所述第三硅化部位于所述硅化物阻止层的相对两侧并通过所述硅化物阻止层相隔离。5.如权利要求3所述的半导体设备,其特征在于,所述第一硅化部通过所述硅化物阻止层的一个侧表面与所述第二硅化部分离,所述第一硅化部通过所述硅化物阻止层的另一个侧表面与所述第三硅化部分离。6.如权利要求1所述的半导体设备,其特征在于,还包括第一触点,所述第一触点形成于所述第一自对准硅化物层,与控制器电连接以向所述无源元件提供恒定或可控电压。7.如权利要求3所述的半导体设备,其特征在于,还包括第二触点和/或第三触点,所述第二触点形成于所述第二硅化部和/或所述第三触点形成于所述第三硅化部上,所述第二触点和/或所述所述第三触点与控制器电连接以向所述无源元件提供恒定或可控电压。8.如权利要求1所述的半导体设备,其特征在于,还包括:金属氧化物半导体,形成于所述半导体基板上;第二自对准硅化物层,形成于所述金属氧化物...
【专利技术属性】
技术研发人员:季彦良,林振华,邱志钟,
申请(专利权)人:联发科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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