一种增加晶圆扫描面积的方法技术

本发明专利技术提供了一种增加晶圆扫描面积的方法，包括：收集晶圆的扫描数据建立数据库源；扫描待测试晶圆的边缘区域的Die与数据库源进行对比，所述边缘区域的Die少于3个。在本发明专利技术提供的增加晶圆扫描面积的方法中，通过收集晶圆的扫描数据建立数据库源，在待测试晶圆的边缘区域的Die少于3个时，扫描边缘区域的Die与数据库源进行对比，对边缘区域的Die的扫描进一步确认晶圆的缺陷情况，从而增加了晶圆的扫描面积。

A method to increase the scan area of wafer

The invention provides a method for increasing the wafer scanning area, including: collecting the scanning data of the wafer to establish a database source; comparing the Die scanning the edge region of the wafer to be tested with the database source, the Die of the edge region is less than three. In the method of increasing the wafer scanning area provided by the invention, a database source is established by collecting the scanning data of the wafer. When the Die of the edge region of the wafer to be tested is less than 3, the Die of the scanning edge region is compared with the database source, and the Die scanning of the edge region further confirms the defect of the wafer, and so on. The scan area of the wafer has been increased.

【技术实现步骤摘要】
一种增加晶圆扫描面积的方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种增加晶圆扫描面积的方法。
技术介绍
在半导体
中，随着技术的不断发展，对于半导体器件的要求也越来越高，半导体制造工艺一般都包含数百个工艺步骤，只要其中的一个步骤出现问题，就会引起晶圆上整个半导体芯片的缺陷发生，严重的还可能导致整个芯片的失效。从而使得缺陷检测已经成为保证半导体芯片良率一项不可或缺的手段。目前业界对于晶圆的的缺陷检测包括扫描测试，普遍会使用邻近单元像素比较的方法来捕获缺陷，从而可及时予以处理。但目前已有的扫描机台原理是通过Die与Die之间的对比来抓取缺陷，也就是与相邻的横向的两个Die进行对比，这就会出现：当位于晶圆的边缘区域的一排Die小于3个就无法进行缺陷扫描，需要将其排除(Mask)掉，最终这排Die没有缺陷信息，无法预知DieYield情况，增加晶圆低产出率(waferlowyield)风险。如图1所示，为目前晶圆上Die之间进行对比查找缺陷的方法，目标Die通过其两侧的Die进行对比得出Die上的缺陷，也就是图1中下方图示出的缺陷。因此，为了能够充分增加晶圆扫描的面积，确保晶圆缺陷的情况，如何提供一种晶圆扫描方法是本领域技术人员努力的方向。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种增加晶圆扫描面积的方法，以解决现有技术中对晶圆的边缘区域不便检测的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种增加晶圆扫描面积的方法，包括：收集晶圆的扫描数据建立数据库源；扫描待测试晶圆的边缘区域的Die与数据库源进行对比，所述边缘区域的Die少于3个。可选的，在所述增加晶圆扫描面积的方法中，收集100片以上晶圆的扫描数据。可选的，在所述增加晶圆扫描面积的方法中，针对100片以上晶圆的扫描数据进行分析整合建立数据库源。可选的，在所述增加晶圆扫描面积的方法中，所述分析整合包括记录缺陷种类和缺陷位置。可选的，在所述增加晶圆扫描面积的方法中，还包括：建立数据库源后，确认整合晶圆的缺陷情况。可选的，在所述增加晶圆扫描面积的方法中，如果晶圆的缺陷情况不符合要求，则重新收集扫描数据。可选的，在所述增加晶圆扫描面积的方法中，分多层扫描待测试晶圆的边缘区域的Die。可选的，在所述增加晶圆扫描面积的方法中，通过光学和/电子扫描待测试晶圆的边缘区域的Die与数据库源进行对比。综上所述，在本专利技术提供的增加晶圆扫描面积的方法中，通过收集晶圆的扫描数据建立数据库源，在待测试晶圆的边缘区域的Die少于3个时，扫描边缘区域的Die与数据库源进行对比，对边缘区域的Die的扫描进一步确认晶圆的缺陷情况，从而增加了晶圆的扫描面积。附图说明图1是现有技术在晶圆扫描时邻近Die之间对比缺陷方法的示意图；图2是现有技术在晶圆扫描时两种Die种类无法检测的示意图；图3是现有技术在晶圆扫描时DieMask减少扫描面积示意图；图4是本专利技术的增加晶圆扫描面积的方法的流程图；图5是本专利技术实施例的数据库源收集的流程图；图6是本专利技术实施例的数据库源中标准Die的示意图；图7是本专利技术实施例的边缘区域的Die与数据库源中标准Die对比的示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。本专利技术提供的增加晶圆扫描面积的方法，针对现有的扫描机台由于是通过Die(封装前的单个单元的裸片)与Die之间的对比来抓取缺陷，当晶圆的边缘区的Die少于3个时，如图2所示，当只有1个Die(附图中左边)或只有两个Die(附图中右边)时，现有的扫描机台无法正常进行缺陷扫描，从而使得如图3所示的第一片晶圆和第二片晶圆由于DieMask而减少了扫描面积，只有第三片晶圆能全部进行缺陷扫描，而通过本专利技术可实现晶圆的边缘区域的Die的扫描。如图4所示，本专利技术提供一种增加晶圆扫描面积的方法，包括：步骤1、收集晶圆的扫描数据建立数据库源；步骤2、扫描待测试晶圆的边缘区域Die与数据库源进行对比，所述边缘区域的Die少于3个。下面结合图5所示的数据库源收集的流程图，更详细的介绍本专利技术的内容。在本实施例中，首先建立数据库源，例如，可通过形成一片虚拟的完美晶圆数据来作为基准，将待扫描晶圆与虚拟晶圆的数据源进行比较进行测试，可在机台端建立标准数据库源，在机台端收集晶圆的扫描数据，如图6所示，在数据库源中形成的标准Die用来与待测试晶圆进行对比。可选的，收集100片以上晶圆的扫描数据，可系统的收集相应站点100片晶圆上Die的信息，当然在收集不到100片晶圆上Die的信息如50片、80片同样可以建立数据库源，通过100片以上的晶圆可较佳的收集到种可能出现的缺陷，随着晶圆数量的增加，数据库源就越完善，可根据产品的生产状况选择150片、200片、300片等数目。为了形成更好的数据库源，针对100片以上晶圆的扫描数据进行分析整合建立数据库源，例如可针对100片晶圆相同位置进行分析整合，分析整合也就是对扫描数据进行进一步的处理，例如对同一类缺陷整合成一个分类，并根据产品的需要进行各种分析，可对扫描数据进行归纳分类等，以便更好的扫描出缺陷情况。可选的，所述分析整合包括记录缺陷种类和缺陷位置，通过对缺陷种类和缺陷位置的确定，可对重要区域、重大缺陷及出现概率等罗列出来，形成较佳的数据库源。在本实施例中，所述增加晶圆扫描面积的方法还包括：在建立数据库源后，确认整合晶圆的缺陷情况，也就是进行进一步的验证整合后晶圆的缺陷情况完成人数据库源符合生产或工艺需要，可由工程师等进一步的进行确定，使数据库源匹配或适应于产线上待扫描晶圆，例如，在收集晶圆的扫描数据时出现异常情况如人为缺陷或伪缺陷等，人为缺陷可能是由于失误等产生的单次缺陷状况，伪缺陷即为不影响产品质量或性能的假性缺陷等，就可以在确认整合晶圆的缺陷情况时进行处理。可选的，如果晶圆的缺陷情况不符合要求，则重新收集扫描数据，也就是换一批晶圆然后再收集晶圆的扫描数据建立数据库源，杜绝如人为缺陷或伪缺陷等的影响，当然，如果晶圆的缺陷情况符合要求，就可以正常进行晶圆的检测。在本实施例中，分多层扫描待测试晶圆的边缘区域的Die，通过分层扫描各层之间的缺陷，半导体器件通过是层叠的立体结构，分多层扫描可得到更佳的测试结果。在扫描方式上，通过光学和/或电子扫描待测晶圆的边缘区域的Die，例如，可通过光学扫描得到尺寸数据等，还可通过扫描电子显微镜(SEM，ScanningElectronMicroscope)获得器件的形貌结构等，通过不同的扫描方式对待扫描晶圆各方面都进行检测，满足不同产品的实际需要。如上所述，结合图7所示，在建立数据库源后，在晶圆的边缘区域的盲区Die通过与源数据库中的标准Die进行对比，则可得到对比缺陷(defect)，从而可完成待扫描晶圆的检测。综上所述，在本专利技术提供的增加晶圆扫描面积的方法中，通过收集晶圆的扫描数据建立数据库源，在待测试晶圆的边缘区域的D本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增加晶圆扫描面积的方法，其特征在于，所述增加晶圆扫描面积的方法包括：收集晶圆的扫描数据建立数据库源；扫描待测试晶圆的边缘区域的Die与数据库源进行对比，所述边缘区域的Die少于3个。

【技术特征摘要】
1.一种增加晶圆扫描面积的方法，其特征在于，所述增加晶圆扫描面积的方法包括：收集晶圆的扫描数据建立数据库源；扫描待测试晶圆的边缘区域的Die与数据库源进行对比，所述边缘区域的Die少于3个。2.根据权利要求1所述增加晶圆扫描面积的方法，其特征在于，收集100片以上晶圆的扫描数据。3.根据权利要求2所述增加晶圆扫描面积的方法，其特征在于，针对100片以上晶圆的扫描数据进行分析整合建立数据库源。4.根据权利要求3所述增加晶圆扫描面积的方法，其特征在于，所述分析整合包括记录缺陷种类、缺陷位置和...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩俊伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31