半导体传感器装置制造方法及图纸

本发明专利技术通过提高半导体传感器元件的粘接性，能够提供可靠性较高的半导体传感器装置。半导体传感器装置具备陶瓷封装件、配置于上述陶瓷封装件的开口空间内的平面上且检测压力介质的压力的半导体传感器元件、以及以覆盖上述开口空间的方式设置且向上述开口空间内引导上述压力介质的喷嘴，其中，在上述平面上的上述半导体传感器元件的配置位置形成有台座，上述半导体传感器元件在载置于上述台座上的状态下粘接于上述平面上。

【技术实现步骤摘要】
半导体传感器装置
本专利技术涉及半导体传感器装置。
技术介绍
以往，已知有半导体传感器装置，其使半导体传感器元件根据压力介质(例如，气体等)的压力与大气压的差产生物理性的形变，通过检测随着变化的半导体传感器元件的电阻值，从而检测出压力介质的压力与大气压的差。这样的半导体传感器装置要求较高的气密性，以便压力介质不会漏出到外部。例如，在下记的专利文献1中公开了以下技术：在通过传感器元件检测被测量压力与大气压的差的压力传感器中，在热膨胀率与传感器元件近似的金属制的压力导入筒的凸缘部通过粘接剂直接粘接传感器元件，将传感器元件的周围密闭，从而在传感器元件的表面背面之间不会泄漏气体。根据该技术，不仅能够极度提高对气密性的可靠性，而且因热形变而引起的应力几乎不会传导至传感器元件，能够进行准确的测量。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2000－171319号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，在如上述专利文献1公开的技术那样采用粘接半导体传感器元件的结构的情况下，若半导体传感器元件的粘接不充分，则存在以下问题：由于压力介质从该粘接部分漏出到外部，或者针对半导体传感器元件进行引线接合时得不到充分的耐性等，所以半导体传感器装置的可靠性降低。本专利技术为了解决上述的现有技术的课题，目的在于通过提高半导体传感器元件的粘接性，能够提供可靠性较高的半导体传感器装置。用于解决课题的方案为了解决上述的课题，本专利技术的半导体传感器装置100，具备：陶瓷封装件110；半导体传感器元件112，其配置于上述陶瓷封装件110的开口空间111内的平面上，且检测压力介质的压力；以及喷嘴120，其以覆盖上述开口空间111的方式设置，且向上述开口空间111内引导上述压力介质，上述半导体传感器装置100的特征在于，在上述平面上的上述半导体传感器元件112的配置位置形成有台座115，上述半导体传感器元件112在载置于上述台座115上的状态下粘接于上述平面上。此外，上述参照符号是为了使理解变得容易而标注的，只是一例，并非限定于图示的方案。专利技术效果根据本专利技术，能够提高半导体传感器元件的粘接性，因此能够提供可靠性较高的半导体传感器装置。附图说明图1是本专利技术的一实施方式的半导体传感器装置的外观立体图。图2是本专利技术的一实施方式的半导体传感器装置的分解立体图。图3是图1所示的半导体传感器装置的剖视图。图4是表示本专利技术的一实施方式的陶瓷封装件的具体的结构的图。图5是图4所示的台座的X－X'剖视图。图6是表示本专利技术的一实施方式的陶瓷封装件中的半导体传感器元件及集成电路的配置例的一部分放大剖视图。图7是表示本专利技术的一实施方式(变形例)的陶瓷封装件的具体的结构的图。图8是图7所示的台座的X－X'剖视图。图9是表示本专利技术的一实施方式(变形例)的陶瓷封装件中的半导体传感器元件及集成电路的配置例的一部分放大剖视图。图10是表示本专利技术的一实施方式的喷嘴的具体的结构的图。图11是本专利技术的一实施方式的喷嘴的外观立体图。图12是表示本专利技术的一实施方式的半导体传感器装置中的陶瓷封装件与喷嘴的粘接部分的结构的一部分放大剖视图。图13使表示本专利技术的一实施方式的半导体传感器装置中的陶瓷封装件与喷嘴的粘接部分的结构(填充有粘接树脂的状态)的一部分放大剖视图。图中：100—半导体传感器装置，110、110X—陶瓷封装件，111—开口空间，112—半导体传感器元件，113—集成电路，114—贯通孔，115、117—台座，116、118—台座(第二台座)，119L、119R—凹陷部，120—喷嘴，121—基部，122—导入部，123—开口空间，124—贯通孔，125、126—插入部，127—突起部，128—阶差部，131—第一粘接树脂，132—第二粘接树脂，133—金属线，134—保护胶。具体实施方式以下，参照附图，对本专利技术的一实施方式进行说明。〔半导体传感器装置100的概略结构〕首先，参照图1～图3，对半导体传感器装置100的概略结构进行说明。图1是本专利技术的一实施方式的半导体传感器装置100的外观立体图。图2是本专利技术的一实施方式的半导体传感器装置100的分解立体图。图3是图1所示的半导体传感器装置100的剖视图。图1～图3所示的半导体传感器装置100是检测压力介质(例如，气体等)的压力的装置。如图1～图3所示，半导体传感器装置100具备陶瓷封装件110和喷嘴120，通过陶瓷封装件110和喷嘴120相互粘接而构成。此外，为了便于说明，以下的说明中，将图中Z轴方向设为上下方向，特别是将陶瓷封装件110侧(图中Z轴负侧)设为下侧，将喷嘴120侧(图中Z轴正侧)设为上侧。另外，将图中X轴方向设为前后方向，将图中Y轴方向设为左右方向。陶瓷封装件110整体上呈长方体形状。在陶瓷封装件110的上表面110A形成有以矩形状开设的开口空间111。开口空间111构成为具有两阶段的空间形状，该两阶段空间为上侧的第一空间111a和下侧的第二空间111b。第一空间111a及第二空间111b均具有矩形状的开口形状。但是，第二空间111b具有比第一空间111a小的开口尺寸。在开口空间111(第二空间111b部分)的底面111A并排配置有半导体传感器元件112和集成电路113。另外，如图3所示，在底面111A，在半导体传感器元件112的配置位置的中心形成有贯通至陶瓷封装件110的外部(下侧)的贯通孔114。半导体传感器元件112检测压力介质的压力。具体而言，半导体传感器元件112具有作为压力检测面发挥功能的膜片。半导体传感器元件112使该膜片根据从喷嘴120导入的压力介质的压力与从贯通孔114导入的大气压的差产生变形，通过检测随之变化的电阻值，从而将压力介质的压力与大气压的差作为压力介质的压力而检测。半导体传感器元件112通过引线接合的金属线133与集成电路113及形成于陶瓷封装件110的配线图案连接。集成电路113控制半导体传感器元件112。例如，集成电路113放大半导体传感器元件112的检测信号、根据由温度传感器检测到的温度补正半导体传感器元件112的检测信号。集成电路113通过引线接合的金属线133与半导体传感器元件112及形成于陶瓷封装件110的配线图案连接。来自集成电路113的输出信号经由金属线133、形成于陶瓷封装件110的配线图案以及外部连接端子(省略图示及说明)，向半导体传感器装置100的外部输出。本实施方式中，作为半导体传感器元件112，使用了所谓的表压型的半导体传感器元件，其使用从外部经由贯通孔114导入的大气压，但不限于此，例如，也可以使用在半导体传感器元件内具有真空空间的所谓的绝对压力型的半导体传感器元件。即，本实施方式的陶瓷封装件110能够对表压型的半导体传感器元件和绝对压力型的半导体传感器元件通用。此外，在设为绝对压力型的半导体传感器元件专用的情况下，陶瓷封装件110也可以采用无贯通孔114的结构。此外，如图3所示，本实施方式中，陶瓷封装件110构成为具有层叠了第一～第五层的层叠构造。第一、第二层是形成上述第一空间111a的部分。第三、第四层是形成上述第二空间111b的部分。第五层是形成上述底面111A的部分，即，配置半导体传感器元件112及集成电路113的部分。另外，如图3所示，在配置了半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体传感器装置，具备：陶瓷封装件；半导体传感器元件，其配置于上述陶瓷封装件的开口空间内的平面上，且检测压力介质的压力；以及喷嘴，其以覆盖上述开口空间的方式设置，且向上述开口空间内引导上述压力介质，上述半导体传感器装置的特征在于，在上述平面上的上述半导体传感器元件的配置位置形成有台座，上述半导体传感器元件在载置于上述台座上的状态下粘接于上述平面上。

【技术特征摘要】
2017.02.22 JP 2017-0315661.一种半导体传感器装置，具备：陶瓷封装件；半导体传感器元件，其配置于上述陶瓷封装件的开口空间内的平面上，且检测压力介质的压力；以及喷嘴，其以覆盖上述开口空间的方式设置，且向上述开口空间内引导上述压力介质，上述半导体传感器装置的特征在于，在上述平面上的上述半导体传感器元件的配置位置形成有台座，上述半导体传感器元件在载置于上述台座上的状态下粘接于上述平面上。2.根据权利要求1所述的半导体传感器装置，其特征在于，在上述平面上，在与上述半导体传感器元件的四角对应的...

【专利技术属性】
技术研发人员：桐山裕之，田岛修，满留义博，
申请(专利权)人：三美电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP