等离子体处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例中的等离子体处理装置包含：收容被处理基板的处理室、与被收容在所述处理室内的所述被处理基板相对地配置的天线结构体、在所述天线结构体和所述处理室之间配置的窗及支承所述窗的框架结构体，所述天线结构体包含包含第一外侧边部、与所述第一外侧边部形成台阶并与所述第一外侧边部相比位于内侧的第一内侧边部及连接所述第一外侧边部和所述第一内侧边部的第一边部连接部的第一天线导线，所述第一边部连接部位于所述框架结构体的上部。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本技术涉及等离子体处理装置，特别是生成等离子体并对显示面板等的基板实施处理的等离子体处理装置。
技术介绍
在使用等离子体对基板实施CVD、蚀刻等处理的装置中，比较多地使用对包含天线的装置施加高频电力，从而在天线周围形成感应电场，并产生等离子体的方式。另一方面，随着被处理基板的大型化，处理装置也逐渐大型化，为了对大型化的基板实施均匀的处理，使用具有多个天线的基板处理装置渐渐变得普遍。当具有多个天线的情况下，由于天线的阻抗不均衡或装置内的环境问题，可能会导致施加到各天线的高频电力互不相同，以至等离子体在各区域不均匀地生成，即使施加到各天线的高频电力几乎相同，也会由于处理装置内的环境问题等，而导致等离子体在各区域不均匀地生成或导致对基板的处理不均匀。
技术实现思路
技术问题本技术的目的在于，提供一种能够生成均匀的等离子体的等离子体处理装置。本技术的目的不限于上述提及的目的，本领域普通技术人员可通过下面的记载明确地理解没有提及的其他目的。技术方案为解决上述问题，本技术实施例中的等离子体处理装置包含收容被处理基板的处理室、与被收容在所述处理室内的所述被处理基板相对地配置的天线结构体、在所述天线结构体和所述处理室之间配置的窗及支承所述窗的框架结构体，所述天线结构体包含第一外侧边部、与所述第一外侧边部形成台阶并与所述第一外侧边部相比位于内侧的第一内侧边部及连接所述第一外侧边部和所述第一内侧边部的第一边部连接部的第一天线导线，所述第一边部连接部位于所述框架结构体的上部。所述框架结构体包含以十字状交叉的横框和纵框，所述第一边部连接部可以位于所述横框及所述纵框中的至少一个的上部。所述天线结构体还包含第二外侧边部、与所述第二外侧边部形成台阶并与所述第二外侧边部相比位于内侧的第二内侧边部及连接所述第二外侧边部和所述第二内侧边部的第二边部连接部的第二天线导线，所述第二边部连接部位于所述框架结构体的上部。所述框架结构体包含以十字状交叉的横框和纵框，所述第一边部连接部及所述第二边部连接部可以位于所述横框及所述纵框中的至少一个的上部。所述第一内侧边部可以位于所述第二外侧边部的内侧。所述第一外侧边部中的至少一部分可以与所述第二外侧边部中的至少一部分位于同一直线上。所述第一天线导线包含至少一个与所述第一外侧边部及所述第一内侧边部相比位于外侧的角部。所述第一外侧边部及所述第一内侧边部可以与所述被处理基板重叠。所述角部为了不与被收容在所述处理室内的所述被处理基板重叠，可以位于所述被处理基板的角的外侧。所述高频电力可以通过所述第一外侧边部的端部施加并通过所述第一内侧边部的端部流出。所述高频电力可以通过所述第一内侧边部的端部施加并通过所述第一外侧边部的端部流出。本技术的其他具体事项包含在详细描述及附图中。有益效果根据本技术的实施例至少具有下述的效果。在等离子体处理装置中，将天线的由外侧向内侧曲折的部分置于框架上，使在曲折的部分(边部连接部)产生的电场不对处理室产生影响并被框架遮断，从而提高等离子体的均匀性。本技术的效果不限于上述提及的内容，本说明书将包含其他更多样的效果。附图说明图1是表示本技术的一个实施例的等离子体处理装置的概要图。图2是表示图1的框架结构体及窗的平面图。图3是表示本技术的一个实施例的天线结构体的概要平面图。图4是表示图3的天线结构体和被处理基板的相互配置关系的概要平面图。图5是表示图3的天线结构体和框架结构体的相互配置关系的概要平面图。图6是表示本技术的一个实施例的等离子体处理装置的电力供应及监测部结构的概要架构图。【附图标记】1：感应耦合等离子体处理装置10：腔室20：底座支承部件30：底座50：框架结构体51：纵框52：横框53：四角框61、71：供电线62、72：高频电源63、73：匹配器71a、71b、71c：副供电线80：监测部90：控制部100：天线结构体110：中央天线部111、112：中央天线导线120：中间天线部121、131：第一天线导线122、132：第二天线导线130：边缘天线部133：第三天线导线134：第四天线导线C1、C2、C3：可变电容器S：被处理基板T1、T2、T3：输出口W、W1、W2、W3、W4：窗具体实施方式参照附图和以下详细记述的实施例，会更明确地了解本技术的优点及特点并达成这些的方法。但是本技术并不局限于以下公开的实施例，而是可以对其作出其他多样的变形，以下多个的实施例旨在完整地公开本技术，为本领域技术人员提供完整的技术范畴，本技术的范畴仅被权利要求所限定。说明书全文中同一参照符号指定同一构成要素。另外，本说明书所记述的实施例会参照作为本技术的理想的示例图的截面图及/或概要图进行说明。因此，示例图的形态可以根据制造技术及/或允许误差有所变形。另外，为了便于说明各构成要素，本技术所图示的附图多少有扩大或缩小的情况。在说明书全文中同一参照符号指定同一构成要素。以下，将参照用以说明本技术的一个实施例的等离子体处理装置及天线结构体的附图，对本技术进行说明。图1是表示本技术的一个实施例的等离子体处理装置的概要图，图2是表示图1的框架结构体及窗的平面图。本技术的一个实施例的等离子体处理装置1是通过腔室10内部供给工序用气体并产生等离子体，对位于腔室10内部的被处理基板S进行处理工序的装置。如图1所示，本技术的一个实施例的等离子体处理装置1包含腔室10、底座30、窗W、框架结构体50及天线结构体100。天线结构体100是指用于产生等离子体的天线结构体。腔室10的内部形成为形成有可以设置底座30、窗W、框架结构体50及天线结构体100的空间的密封结构。腔室10可以是由内壁被阳极氧化处理过的铝构成。如图1所示，底座30位于腔室10内部的下部。底座30构成为支承被搬入腔室10内部的被处理基板S，通过供电线61与偏置用的高频电源62电连接，将等离子体中的离子引入基板S。偏置用的高频电源62可以对底座30施加6MHz的高频电力。偏置用的高频电源62与底座30之间可以配置匹配器63。匹配器63通过供电线61可以在偏置用高频电源62与底座30之间进行阻抗匹配。底座30内，为了控制处理中的被处理基板S的温度，可以设置有加热器及/或制冷剂流路等的温度控制机构。底座30可以由底座支承部件20支承，底座支承部件20在维持腔室10的气密状态下贯通腔室10的下部面，并向腔室10的外部延长。底座支承部件20可以通过配置在腔室10的外部的升降机构，在腔室10内部升降底座30。为了即使底座30升降，也能够维持腔室10内部的气密状态并防止外部异物流入到腔室10内部，可以在底座30与腔室10的下部面之间以包围底座支承部件20方式配置波纹管40。另一方面，腔室10内部的上部设置有窗W。窗W可以将腔室10内的上部空间区划成设置有天线结构体100的天线设置空间和生成等离子体的处理空间。从而，窗W既是天线设置空间的底部，同时也是处理空间的顶部。窗W可以由陶瓷、石英等电介质构成，或者由例如铝或铝合金的导电体构成。如图1所示，窗W由框架结构体50支承，固定在腔室10的内部。如图2所示，框架结构体50包含以十字状交叉的横框52本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含：收容被处理基板的处理室；与被收容在所述处理室内的所述被处理基板相对地配置的天线结构体；在所述天线结构体和所述处理室之间配置的窗；及支承所述窗的框架结构体，所述天线结构体包含第一外侧边部、与所述第一外侧边部形成台阶并与所述第一外侧边部相比位于内侧的第一内侧边部及连接所述第一外侧边部和所述第一内侧边部的第一边部连接部的第一天线导线，所述第一边部连接部位于所述框架结构体的上部。

【技术特征摘要】
2016.10.04 KR 10-2016-01278161.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含：收容被处理基板的处理室；与被收容在所述处理室内的所述被处理基板相对地配置的天线结构体；在所述天线结构体和所述处理室之间配置的窗；及支承所述窗的框架结构体，所述天线结构体包含第一外侧边部、与所述第一外侧边部形成台阶并与所述第一外侧边部相比位于内侧的第一内侧边部及连接所述第一外侧边部和所述第一内侧边部的第一边部连接部的第一天线导线，所述第一边部连接部位于所述框架结构体的上部。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述框架结构体包含以十字状交叉的横框和纵框，所述第一边部连接部位于所述横框及所述纵框中的至少一个的上部。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述天线结构体还包含第二外侧边部、与所述第二外侧边部形成台阶并与所述第二外侧边部相比位于内侧的第二内侧边部及连接所述第二外侧边部和所述第二内侧边部的第二边部连接部的第二天线导线，所述第二边部连接部位于所述框架结构体的上部。4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴宇钟，崔正秀，
申请(专利权)人：INVENIA有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR