一种改善low-k薄膜均一性的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种改善low‑k薄膜均一性的装置，包括反应室和狭缝阀，还包括一狭缝插块，所述狭缝插块设置有：一圆弧形块，所述圆弧形块与反应室相接面为圆弧形；一滑动块，所述滑动块与圆弧形块的底面连接，所述滑动块底部设左右两滑槽；两直线导轨，所述直线导轨与滑槽适配连接；一步进电机，与所述直线导轨一端连接；两竖直伸缩杆，所述竖直伸缩杆与所述直线导轨的底端连接。本实用新型专利技术通过设计优化反应室结构，从而降低了low‑k工艺的薄膜均匀性问题，提高了薄膜稳定性。所以在producer机台的狭缝阀及反应室中，加入狭缝插块，改善空间结构，使工艺较为平稳。

【技术实现步骤摘要】
一种改善low-k薄膜均一性的装置
本技术涉及一种半导体设备，尤其涉及一种改善low-k薄膜均一性的装置。
技术介绍
在半导体制造过程中，后段金属互联工艺中，low-k工艺淀积低介电常数薄膜，降低金属间的寄生电容，提高器件的传输速度。在实际工艺制程中，在使用producer机台的Low-K工艺中，薄膜均一性受反应室结构影响，薄膜在晶圆中生长厚度有固定偏单边情况，该情况并非加热器加热导致。如附图1和2的map图，其中，map图中最外圈部分产生固定方向高点与狭缝阀位置完全匹配。现有的反应室结构在狭缝阀与反应室内部之间空间较大，导致晶圆在工艺过程中受该缺陷影响，生成的薄膜均一性不好。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对现有技术的缺陷，提供一种能优化反应室结构，并使薄膜的生长厚度更为均一的改善low-k薄膜均一性的装置。本技术为解决上述技术问题采用以下技术方案：一种改善low-k薄膜均一性的装置，包括反应室和狭缝阀，还包括一狭缝插块，所述狭缝插块设置有：一圆弧形块，所述圆弧形块与反应室相接面为圆弧形；一滑动块，所述滑动块与圆弧形块的底面连接，所述滑动块底部设左右两滑槽；两直线导轨，所述直线导轨与滑槽适配连接；一步进电机，与所述直线导轨一端连接；两竖直伸缩杆，所述竖直伸缩杆与所述直线导轨的底端连接。为了进一步优化上述技术方案，本技术所采取的技术措施为：优选的，所述圆弧形块与滑动块之间滑轨连接。优选的，所述圆弧形块侧面设置微型电机。优选的，所述微型电机前端连接螺纹杆，所述螺纹杆连接圆弧形块。优选的，所述狭缝插块未升起时高度不高于所述狭缝阀下表面高度。优选的，所述狭缝插块升起时高度与反应室内的晶圆高度一致。本技术采用以上技术方案，与现有技术相比，具有如下技术效果：本技术通过设计优化反应室结构，从而降低了low-k工艺的薄膜均匀性问题，提高了薄膜稳定性。producer机台的工艺腔中主要是狭缝阀到反应室内部空间较大，在工艺过程中，有空间可以使气体进入，同时也有吸热等效应。所以在producer机台的狭缝阀及反应室中，加入狭缝插块，改善空间结构，使工艺较为平稳。附图说明图1为典型Low-k薄膜的THKmap示意图；图2为典型Low-k薄膜的THKmap示意图；图3为现有的Low-k工艺的腔体结构示意图；图4为现有的Low-k工艺的腔体结构示意图；图5为本技术的一种优选实施例的狭缝插块的结构示意图；图6为本技术的一种优选实施例的反应室的整体结构示意图；图7为本技术的一种优选实施例的狭缝插块的运动示意图；其中的附图标记为：1反应室；2狭缝阀；3狭缝插块；31圆弧形块；32滑动块；33滑槽；34直线导轨；35步进电机；36竖直伸缩杆；37滑轨；38微型电机；39螺纹杆。具体实施方式下面结合附图对本技术的技术方案做进一步的详细说明。本技术适用于producer机台。图1为典型Low-k薄膜的THKmap示意图；图2为典型Low-k薄膜的THKmap示意图；图3为现有的Low-k工艺的腔体结构示意图；图4为现有的Low-k工艺的腔体结构示意图；图5为本技术的一种优选实施例的狭缝插块的结构示意图；图6为本技术的一种优选实施例的反应室的整体结构示意图；图7为本技术的一种优选实施例的狭缝插块的运动示意图。如图5-7所示，本实施例的改善low-k薄膜均一性的装置，包括反应室1和狭缝阀2，还包括一狭缝插块3，所述狭缝插块3设置有：一圆弧形块31，所述圆弧形块31与反应室1相对的面为圆弧形；一滑动块32，所述滑动块32与圆弧形块31的底面连接，所述滑动块32底部设置左右两滑槽33；两直线导轨34，所述直线导轨34与滑槽33适配连接；一步进电机35，与所述直线导轨34一端连接；两竖直伸缩杆36，所述竖直伸缩杆36与所述直线导轨34的底端连接。本实施例的具体操作流程为：先将晶圆放入反应室内，关上反应室的出口，所述两个竖直伸缩杆36向上伸展，带动圆弧形块31等向上升，等圆弧形块31升到与晶圆高度一致的时候，竖直伸缩杆36停止运动；此时再启动步进电机35，所述步进电机35与直线导轨34的丝杆连接，步进电机35转动后，丝杆推动滑动块32向前滑动，一直滑动到圆弧形块31与晶圆侧面快接触的位置，将步进电机35停止，然后晶圆开始在反应室中反应，反应完后，步进电机35回转，带动滑动块32向后滑动，并带动圆弧形块31一并向后滑动，当滑动到初始升起位置时，步进电机35停止转动，此时竖直伸缩杆36开始回缩，一直到圆弧形块31降到初始位置，停止竖直伸缩杆36，再将晶圆从反应室中取出。进一步的，在一种较佳的实施例中，所述圆弧形块31与滑动块32之间滑轨37连接。更进一步的，在一种较佳的实施例中，所述圆弧形块31侧面设置微型电机38。再进一步的，在一种较佳的实施例中，所述微型电机38前端连接螺纹杆39，所述螺纹杆39连接圆弧形块31。再进一步的，在一种较佳的实施例中，所述狭缝插块3未升起时高度不高于所述狭缝阀2下表面高度。再进一步的，在一种较佳的实施例中，所述狭缝插块3升起时高度与反应室1内的晶圆高度一致。上述实施例的具体操作流程为：先将晶圆放入反应室内，关上反应室的出口，所述两个竖直伸缩杆36向上伸展，带动圆弧形块31等向上升，等圆弧形块31升到与晶圆高度一致的时候，竖直伸缩杆36停止运动；此时再启动步进电机35，所述步进电机35与直线导轨34的丝杆连接，步进电机35转动后，丝杆推动滑动块32向前滑动，一直滑动到圆弧形块31与晶圆侧面快接触的位置，将步进电机35停止，开启微型电机38，微调圆弧形块31的左右位置，使其与晶圆的位置最适配，然后晶圆开始在反应室中反应，反应完后，步进电机35回转，带动滑动块32向后滑动，并带动圆弧形块31一并向后滑动，当滑动到初始升起位置时，步进电机35停止转动，此时竖直伸缩杆36开始回缩，一直到圆弧形块31降到初始位置，停止竖直伸缩杆36，再将晶圆从反应室中取出。综上所述，本技术通过设计优化反应室结构，从而降低了low-k工艺的薄膜均匀性问题，提高了薄膜稳定性。producer机台的工艺腔中主要是狭缝阀到反应室内部空间较大，在工艺过程中，有空间可以使气体进入，同时也有吸热等效应。所以在producer机台的狭缝阀及反应室中，加入狭缝插块，改善空间结构，使工艺较为平稳。以上对本技术的具体实施例进行了详细描述，但其只作为范例，本技术并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对该实用进行的等同修改和替代也都在本技术的范畴之中。因此，在不脱离本技术的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本技术的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善low‑k薄膜均一性的装置，包括反应室(1)和狭缝阀(2)，其特征在于：还包括一狭缝插块(3)，所述狭缝插块(3)设置有：一圆弧形块(31)，所述圆弧形块(31)与反应室(1)相对的面为圆弧形；一滑动块(32)，所述滑动块(32)与圆弧形块(31)的底面连接，所述滑动块(32)底部设置左右两滑槽(33)；两直线导轨(34)，所述直线导轨(34)与滑槽(33)适配连接；一步进电机(35)，与所述直线导轨(34)一端连接；两竖直伸缩杆(36)，所述竖直伸缩杆(36)与所述直线导轨(34)的底端连接。

【技术特征摘要】
1.一种改善low-k薄膜均一性的装置，包括反应室(1)和狭缝阀(2)，其特征在于：还包括一狭缝插块(3)，所述狭缝插块(3)设置有：一圆弧形块(31)，所述圆弧形块(31)与反应室(1)相对的面为圆弧形；一滑动块(32)，所述滑动块(32)与圆弧形块(31)的底面连接，所述滑动块(32)底部设置左右两滑槽(33)；两直线导轨(34)，所述直线导轨(34)与滑槽(33)适配连接；一步进电机(35)，与所述直线导轨(34)一端连接；两竖直伸缩杆(36)，所述竖直伸缩杆(36)与所述直线导轨(34)的底端连接。2.根据权利要求1所述的改善low-k薄膜均一性的装置，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟飞，许隽，王科，韩晓刚，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31