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耐等离子体性部件制造技术

技术编号:18737028 阅读:72 留言:0更新日期:2018-08-22 05:28
本发明专利技术在于提供一种耐等离子体性部件,其特征在于,具备基材以及在所述基材的表面形成的包含氧化钇多结晶体且具有耐等离子体性的层状结构物,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体所包含的结晶彼此并不介由异相而接合,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体具有仅包含立方晶的结晶结构或者立方晶与单斜晶混在的结晶结构,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体中的相对于立方晶的单斜晶的比例的平均值大于0%、60%以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】耐等离子体性部件
本专利技术的方式一般涉及耐等离子体性部件,具体而言涉及在腔室内进行干法蚀刻、灰化、溅射及CVD等处理的半导体制造装置所使用的耐等离子体性部件。
技术介绍
在半导体的制造过程中,寻求所制造的设备不佳的降低所带来的产量的提高与产量的稳定性。相对于此,存在腔室的顶板部由石英玻璃构成,且在顶板部的内面所形成的微小凹凸部的平均表面粗糙度为0.2~5μm的电子设备的制造装置(专利文献1)。另外,有不存在孔隙、粒界层且抑制·降低了从耐等离子体性部件发生脱粒的耐等离子体性部件(专利文献2)。在半导体的制造过程中,为了实现所制造的设备不佳的降低所带来的产量提高,在腔室的内壁涂布耐等离子体性优异的氧化钇膜,从而减少微粒的产生。进而,目前在寻求半导体设备进一步的微细图案化,且在纳米水平稳定控制微粒。专利文献1:日本专利第3251215号公报专利文献2:日本专利第3864958号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术课题在于提供能够减少微粒,且可稳定维持腔室条件的耐等离子体性部件。根据本专利技术的一个方式,提供一种耐等离子体性部件,其特征在于,具备基材以及在所述基材的表面形成的包含氧化钇多结晶体且具有耐等离子体性的层状结构物,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体所包含的结晶彼此并不介由异相而接合,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体具有仅包含立方晶的结晶结构或者立方晶与单斜晶混在的结晶结构,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体中的相对于立方晶的单斜晶的比例的平均值大于0%、60%以下。附图说明图1为表示本专利技术的实施方式所涉及的具备耐等离子体性部件的半导体制造装置的示意性剖视图。图2为表示在耐等离子体性部件的表面所形成的层状结构物表面的照片图。图3为表示在耐等离子体性部件表面所形成的层状结构物的结构与耐化学性的关系的表。图4为表示在耐等离子体性部件的表面所形成的层状结构物表面的照片图。图5为说明3维表面性状参数的示意图。符号说明100:半导体制造装置;110:腔室;120:耐等离子体性部件;123:层状结构物;125:结晶;160:静电吸盘;191:区域;210:晶片;221:微粒。具体实施方式第1专利技术为一种耐等离子体性部件,其特征在于,具备基材,以及在所述基材的表面形成的包含氧化钇多结晶体且具有耐等离子体性的层状结构物,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体所包含的结晶彼此并不介由异相而接合,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体具有仅包含立方晶的结晶结构或者立方晶与单斜晶混在的结晶结构,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体中的相对于立方晶的单斜晶的比例的平均值大于0%、60%以下。根据该耐等离子体性部件,层状结构物与氧化钇烧成体或氧化钇溶射膜等相比具有致密的结构。据此,耐等离子体性部件的耐等离子体性比烧成体、溶射膜等的耐等离子体性高。另外,耐等离子体性部件成为微粒发生源的概率比烧成体或溶射膜等成为微粒发生源的概率低。据此,在维持耐等离子体性部件的耐等离子体性的同时可减少微粒。另外,在层状结构物中,通过使相对于立方晶的单斜晶的比例的平均值为60%以下,在保养时的化学清洗后可保持层状结构物的耐化学性。通过保持腔室内所配备的耐等离子体性部件的耐化学性,由于不会因侵蚀而改变表面状态,故而能够使腔室内产生的等离子体的状态稳定化。据此,能够减少在半导体的制造过程中产生的微粒,且可稳定维持腔室条件。第2专利技术为在第1专利技术中的耐等离子体性部件,其特征在于,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体中的相对于立方晶的单斜晶的所述比例分布的标准偏差为0%以上、15%以下。根据该耐等离子体性部件,构成层状结构物的氧化钇多结晶体的偏差小且具有致密的结晶结构。据此,可进一步提高保养时化学清洗中的层状结构物的耐化学性。第3专利技术为一种耐等离子体性部件,其特征在于,具备基材,以及在所述基材的表面形成的包含氧化钇多结晶体且具有耐等离子体性的层状结构物,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体所包含的结晶彼此并不介由异相而接合,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体具有仅包含立方晶的结晶结构或者立方晶与单斜晶混在的结晶结构,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体中的相对于立方晶的单斜晶的比例的平均值为25%以下。根据该耐等离子体性部件,层状结构物与氧化钇烧成体或氧化钇溶射膜等相比具有致密的结构。据此,耐等离子体性部件的耐等离子体性比烧成体、溶射膜等的耐等离子体性高。另外,耐等离子体性部件成为微粒发生源的概率比烧成体或溶射膜等成为微粒发生源的概率低。据此,在维持耐等离子体性部件的耐等离子体性的同时可减少微粒。另外,在层状结构物中,通过使相对于立方晶的单斜晶的比例的平均值为25%以下,在保养时的化学清洗后可保持层状结构物的耐化学性。通过保持腔室内所配备的耐等离子体性部件的耐化学性,由于不会因侵蚀而改变表面状态,故而能够使腔室内产生的等离子体的状态稳定化。据此,能够减少在半导体的制造过程中产生的微粒,且可稳定维持腔室条件。第4专利技术为在第1~第3的任一专利技术中的耐等离子体性部件,其特征在于,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体的平均结晶尺寸为12纳米以上、40纳米以下。根据该耐等离子体性部件,氧化钇多结晶体的平均结晶尺寸非常小。通过由这样致密的氧化钇多结晶体来构成层状结构物,在半导体的制造过程中可进一步减少在腔室内产生的微粒。第5专利技术为第4专利技术中的耐等离子体性部件,其特征在于,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体的结晶尺寸分布的标准偏差为0.1纳米以上、1.1纳米以下。根据该耐等离子体性部件,氧化钇多结晶体的平均结晶尺寸及该氧化钇多结晶体中的结晶尺寸分布的标准偏差均非常小。通过由这样致密的氧化钇多结晶体来构成层状结构物,在半导体的制造过程中可进一步减少在腔室内产生的微粒。第6专利技术为第1~第5的任一专利技术中的耐等离子体性部件,其特征在于,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体的平均晶格应变为0.2%以上、0.5%以下。根据该耐等离子体性部件,氧化钇多结晶体的平均晶格应变非常小。据此,在将构成层状结构物的氧化钇多结晶体的结晶尺寸维持为微细的大小的同时,在保养时的化学清洗后可保持层状结构物的耐化学性。据此,能够减少在半导体的制造过程中产生的微粒,且可稳定维持腔室条件。第7专利技术为第6专利技术中的耐等离子体性部件,其特征在于,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体的晶格应变的分布的标准偏差为0.003%以上、0.04%以下。根据该耐等离子体性部件,氧化钇多结晶体的平均晶格应变及该氧化钇多结晶体的晶格应变分布的标准偏差均非常小。据此,在将构成层状结构物的氧化钇多结晶体的结晶尺寸维持为微细的大小的同时,在保养时的化学清洗后可保持层状结构物的耐化学性。据此,能够减少在半导体的制造过程中产生的微粒,且可稳定维持腔室条件。第8专利技术为第1~第7的任一专利技术中的耐等离子体性部件,其特征在于,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体中的相对于钇即Y的原子数浓度的氧即O的原子数浓度之比即O/Y为1.3以上、1.8以下。根据该耐等离子体性部件,由于氧化钇粒子间的结合变得更加牢固,故而可减少微粒。另外,由于为更致密的结构,在保养时的化学清洗后能够抑制药剂向层状结构物内部的浸透,故而可保持层状结构物的耐化学性。据此,能够减少在半导体的制造过程中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耐等离子体性部件,其特征在于,具备:基材;以及在所述基材的表面形成的包含氧化钇多结晶体且具有耐等离子体性的层状结构物,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体所包含的结晶彼此并不介由异相而接合,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体具有仅包含立方晶的结晶结构或者立方晶与单斜晶混在的结晶结构,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体中的相对于立方晶的单斜晶的比例的平均值大于0%、60%以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.24 JP 2015-2518731.一种耐等离子体性部件,其特征在于,具备:基材;以及在所述基材的表面形成的包含氧化钇多结晶体且具有耐等离子体性的层状结构物,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体所包含的结晶彼此并不介由异相而接合,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体具有仅包含立方晶的结晶结构或者立方晶与单斜晶混在的结晶结构,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体中的相对于立方晶的单斜晶的比例的平均值大于0%、60%以下。2.根据权利要求1所述的耐等离子体性部件,其特征在于,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体中的相对于立方晶的单斜晶的所述比例分布的标准偏差为0%以上、15%以下。3.一种耐等离子体性部件,其特征在于,具备:基材;以及在所述基材的表面形成的包含氧化钇多结晶体且具有耐等离子体性的层状结构物,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体所包含的结晶彼此并不介由异相而接合,构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体具有仅包含立方晶的结...

【专利技术属性】
技术研发人员:岩泽顺一
申请(专利权)人:TOTO株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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