发光二极管显示器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种发光二极管显示器，包括至少一发光二极管芯片。发光二极管芯片包括第一基板、多个发光二极管、第一绝缘层以及多个开关元件。多个发光二极管配置在第一基板上。第一绝缘层覆盖多个发光二极管。多个开关元件配置在第一绝缘层上且与多个发光二极管电性连接。此外，上述发光二极管显示器的制造方法也被提出。利用上述发光二极管显示器的制造方法制造的发光二极管显示器的良率高。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管显示器及其制造方法
本专利技术涉及一种显示器及其制造方法，尤其涉及一种发光二极管显示器及其制造方法。
技术介绍
发光二极管显示器包括多个发光二极管以及具有开关元件的驱动电路基板。在发光二极管显示器的制程中，需将多个发光二极管转置在驱动电路基板上，且使多个发光二极管与驱动电路基板电性连接。转置发光二极管的方法包括巨量转移法以及晶圆转移法。巨量转移法使用弹性转置头将生长基板上的多个发光二极管转置在驱动电路基板上。然而，弹性转置头需具有特殊的结构设计，且需执行多次提出及置放动作才能完成发光二极管的转置。此外，已提取发光二极管的弹性转置头与驱动电路基板需精准的对位，而影响发光二极管显示器的良率。晶圆转移法是将晶圆以及成长于晶圆上的多个发光二极管一起转置到驱动电路基板上，并使晶圆上的多个发光二极管与驱动电路基板电性连接。然而，在晶圆上的多个发光二极管与驱动电路基板电性连接后，需去除晶圆(例如：蓝宝石基板)，而使发光二极管显示器的良率低。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管显示器及其制造方法，良率高。本专利技术的发光二极管显示器包括至少一发光二极管芯片。每一发光二极管芯片包括第一基板、配置在第一基板上的多个发光二极管、覆盖多个发光二极管的第一绝缘层以配置在第一绝缘层上且与多个发光二极管电性连接的多个开关元件。在本专利技术的一实施例中，上述的第一绝缘层具有暴露多个发光二极管的多个第一接触孔，多个开关元件通过多个第一接触孔与多个发光二极管电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的每一发光二极管包括第一型半导体层、相对于第一型半导体层的第二型半导体层以及位于第一型半导体层与第二型半导体层之间的发光层。开关元件通过多个第一接触孔与多个发光二极管的多个第一型半导体层电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的每一发光二极管芯片还包括多个导电图案。多个导电图案配置在第一绝缘层上。第一绝缘层还具有暴露发光二极管且与第一接触孔分离的多个第二接触孔。导电图案通过第二接触孔与发光二极管的第二型半导体层电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的第一基板具有凹槽，而发光二极管配置在凹槽中。在本专利技术的一实施例中，上述的每一发光二极管芯片还包括第二基板。发光二极管形成于第二基板上。第二基板与发光二极管配置在第一基板上，且第二基板位于发光二极管与第一基板之间。在本专利技术的一实施例中，上述的第一基板具有凹槽，而第二基板与发光二极管配置在凹槽中。在本专利技术的一实施例中，上述的第一绝缘层全面覆盖第一基板。在本专利技术的一实施例中，上述的第一绝缘层局部覆盖第一基板。在本专利技术的一实施例中，上述的相邻两个发光二极管之间存在间隙，以使多个发光二极管分离。间隙对应第一基板的一部分，而第一绝缘层不覆盖第一基板的所述部分。在本专利技术的一实施例中，上述的每一发光二极管芯片还包括覆盖开关元件的第二绝缘层。在本专利技术的一实施例中，上述的每一发光二极管芯片还包括覆盖第二绝缘层的第三基板。本专利技术的发光二极管显示器的制造方法，包括下列步骤：提供第一基板以及配置在第一基板上的多个发光二极管；形成第一绝缘层，以覆盖发光二极管；以及在第一绝缘层上形成多个开关元件，其中开关元件与发光二极管电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管显示器的制造方法，还包括：在第二基板上形成多个发光二极管；以及令第二基板以及发光二极管配置在第一基板上，其中第二基板位于发光二极管与第一基板之间。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管显示器的制造方法，还包括：在第二基板上形成多个发光二极管；令第三基板提取发光二极管以及第二基板；去除第二基板；以及令第三基板将发光二极管配置在第一基板上。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管显示器的制造方法，还包括：形成第二绝缘层，以覆盖多个开关元件。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管显示器的制造方法，还包括：令第二绝缘层、开关元件、第一绝缘层、发光二极管以及第一基板固定在第四基板上，其中第二绝缘层位于第四基板与第一绝缘层之间；以及去除第一基板。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管显示器的制造方法，还包括：在去除第一基板后，令第四基板与第二绝缘层分离。基于上述，在本专利技术一实施例的发光二极管显示器的制造方法中，在承载多个发光二极管的基板上形成绝缘层，以覆盖多个发光二极管；然后，在绝缘层上形成与多个发光二极管电性连接的多个开关元件。藉此，发光二极管不需被转置到具有开关元件的驱动电路基板上，从而提升发光二极管显示器的良率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所示附图作详细说明如下。附图说明图1A至图1H为本专利技术一实施例的发光二极管显示器的制造方法的剖面示意图。图2A至图2F为本专利技术一实施例的发光二极管显示器的制造方法的剖面示意图。图3为本专利技术一实施例的发光二极管显示器的剖面示意图。图4为本专利技术一实施例的发光二极管显示器的剖面示意图。图5为本专利技术一实施例的发光二极管显示器的剖面示意图。图6为本专利技术一实施例的发光二极管显示器的剖面示意图。附图标记说明：10、10-1、10-2、10-3、10A～10D：发光二极管芯片；100、100-1～100-3、100A～100D：发光二极管显示器；110：第二基板；110a：下表面；110b：上表面；110c：侧壁；120：发光二极管；120a：下表面；120b上表面；120c：侧壁；121：第一型半导体层；122：第二型半导体层；123：发光层；130、130D：第一基板；132：凹槽；130b：上表面；140、140B、140C：第一绝缘层；141：第一接触孔；142：第二接触孔；150：开关元件；160：导电图案；170：第二绝缘层；180：第四基板；190：第三基板；192：导线；g：间隙。具体实施方式图1A至图1H为本专利技术一实施例的发光二极管显示器的制造方法的剖面示意图。请参照图1A，首先，在第二基板110上形成多个发光二极管120。发光二极管120即俗称的微型发光二极管(Micro-LED)。在本实施例中，第二基板110可为生长基板(例如：蓝宝石基板)。在提供第二基板110后，可在第二基板110上磊晶，以形成相堆叠的多个膜层(未示出)；然后，图案化所述多个膜层(意即，令所述多个膜层的内部具有间隙g)，进而形成彼此分离的多个发光二极管120。每一发光二极管120具有下表面120a、相对于下表面120a的上表面120b以及连接在下表面120a与上表面120b之间的侧壁120c，其中侧壁120c是由间隙g所定义。每一发光二极管120包括第一型半导体层121、相对于第一型半导体层121的第二型半导体层122以及位于第一型半导体层121与第二型半导体层122之间的发光层123。在本实施例中，第一型半导体层121例如为P型半导体层，而第二型半导体层122例如为N型半导体层。但本专利技术不以此为限，在其他实施例中，第一型半导体层121也可为N型半导体层，而第二型半导体层122也可为P型半导体层。请参照图1B，接着，可将第二基板110及第二基板110上的多个发光二极管120配置在第一基板130上。此时，第二基板110位于多个发光二极管120与第一基板130之间，而每一发光二极管120的下表面120a面向第一基板130。第二基板1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管显示器，其特征在于，包括：至少一发光二极管芯片，每一发光二极管芯片包括：第一基板；多个发光二极管，配置在所述第一基板上；第一绝缘层，覆盖所述多个发光二极管；以及多个开关元件，配置在所述第一绝缘层上且与所述多个发光二极管电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管显示器，其特征在于，包括：至少一发光二极管芯片，每一发光二极管芯片包括：第一基板；多个发光二极管，配置在所述第一基板上；第一绝缘层，覆盖所述多个发光二极管；以及多个开关元件，配置在所述第一绝缘层上且与所述多个发光二极管电性连接。2.根据权利要求1所述的发光二极管显示器，其特征在于，所述第一绝缘层具有暴露所述多个发光二极管的多个第一接触孔，所述多个开关元件通过所述多个第一接触孔与所述多个发光二极管电性连接。3.根据权利要求2所述的发光二极管显示器，其特征在于，每一所述发光二极管包括：第一型半导体层；第二型半导体层，相对于所述第一型半导体层；以及发光层，位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间，所述多个开关元件通过所述多个第一接触孔与所述多个发光二极管的多个第一型半导体层电性连接。4.根据权利要求3所述的发光二极管显示器，其特征在于，每一所述发光二极管芯片还包括：多个导电图案，配置在所述第一绝缘层上，其中所述第一绝缘层还具有暴露所述多个发光二极管且与所述多个第一接触孔分离的多个第二接触孔，所述多个导电图案通过所述多个第二接触孔与所述多个发光二极管的多个第二型半导体层电性连接。5.根据权利要求1所述的发光二极管显示器，其特征在于，所述第一基板具有凹槽，而所述多个发光二极管配置在所述凹槽中。6.根据权利要求1所述的发光二极管显示器，其特征在于，每一所述发光二极管芯片还包括：第二基板，其中所述多个发光二极管形成在所述第二基板上，所述第二基板与所述多个发光二极管配置在所述第一基板上，且所述第二基板位于所述多个发光二极管与所述第一基板之间。7.根据权利要求6所述的发光二极管显示器，其特征在于，所述第一基板具有凹槽，而所述第二基板与所述多个发光二极管配置在所述凹槽中。8.根据权利要求1所述的发光二极管显示器，其特征在于，所述第一绝缘层全面覆盖所述第一基板。9.根据权利要求1所述的发光二极管显示器，其特征在于，所述第一绝缘层局部覆盖所述第一基板。10.根据权利要求1所述的发光二极管显示器，其特征在于，相邻的两个发光二极管之间存在间隙，...

【专利技术属性】
技术研发人员：向瑞杰，曾绪祥，陈志强，
申请(专利权)人：宏碁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71