半导体封装及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体封装及其制造方法，该半导体封装包括：重分布层结构，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；半导体晶粒，布置在所述重分布层结构的第一表面上并电耦合到所述重分布层结构；模塑料，覆盖所述半导体晶粒和所述重分布层结构的第一表面；以及支撑件，位于所述半导体晶粒旁边并且与重分布层结构的第一表面接触。这种结构可以帮助提高半导体封装的机械强度；在移除基板后支撑件可防止生产中的翘曲和散焦的问题，因此，本发明专利技术可提高半导体封装的良品率，并且提高半导体封装的可靠性和质量。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体封装及其制造方法。
技术介绍
为了确保电子产品和通信设备的小型化和多功能性，业界希望半导体封装尺寸小，以支持多引脚连接、高速和高实用性。这种冲击将给半导体封装制造商以压力，促使他们开发扇出型(fan-out)半导体封装。然而，扇出型半导体封装的制造工艺可能会导致封装翘曲、重分布层(RDL，redistributionlayer)结构的光刻(photolithography)工艺散焦等问题。上述这些问题可能会影响产品的可靠性和质量。因此，一种新颖的半导体封装是亟需的。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种半导体封装组件及其制造方法，以减少翘曲和散焦的问题，提高半导体封装的可靠性和质量。根据本专利技术的第一方面，公开一种半导体封装，包括：重分布层结构，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；半导体晶粒，布置在所述重分布层结构的第一表面上并电耦合到所述重分布层结构；模塑料，覆盖所述半导体晶粒和所述重分布层结构的第一表面；以及支撑件，位于所述半导体晶粒旁边并且与重分布层结构的第一表面接触。根据本专利技术的第二个方面，公开一种半导体封装，包括：重分布层结构，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；半导体晶粒，布置在所述重分布层结构的第一表面上并电耦合到所述重分布层结构；模塑料，覆盖所述半导体晶粒和所述重分布层结构的第一表面；以及支撑件，沿半导体晶粒的边界延伸，其中所述支撑件与所述半导体晶粒和所述重分布层结构电绝缘。根据本专利技术的第三个方面，公开一种半导体封装的制造方法，包括：将半导体晶粒安装在基板上；将支撑件安装在基板上，并且支撑件位于所述半导体晶粒旁边；将模塑料施加到所述基板，其中所述模塑料覆盖所述半导体晶粒和所述支撑件；在所述模塑料上形成重分布层结构并且耦合到所述半导体晶粒；以及在所述重分布层结构上形成导电结构。本专利技术提供的半导体封装由于包括靠近半导体晶粒设置的支撑件，这种结构可以帮助提高半导体封装的机械强度；在移除基板后支撑件可防止生产中的翘曲和散焦的问题，因此，本专利技术可提高半导体封装的良品率，并且提高半导体封装的可靠性和质量。在阅读了随后以不同附图展示的优选实施例的详细说明之后，本专利技术的这些和其它目标对本领域普通技术人员来说无疑将变得明显。附图说明图1-7是根据本专利技术的一些实施例的半导体封装的制造过程的横截面图；图8A-8D是根据本专利技术的一些实施例的沿着半导体封装的半导体晶粒的边界布置的支撑件的形状的平面图。具体实施方式在说明书和随后的权利要求书中始终使用特定术语来指代特定组件。正如本领域技术人员所认识到的，制造商可以用不同的名称指代组件。本文件无意于区分那些名称不同但功能相同的组件。在以下的说明书和权利要求中，术语“包含”和“包括”被用于开放式类型，因此应当被解释为意味着“包含，但不限于...”。此外，术语“耦合”旨在表示间接或直接的电连接。因此，如果一个设备耦合到另一设备，则该连接可以是直接电连接，或者经由其它设备和连接的间接电连接。以下描述是实施本专利技术的最佳设想方式。这一描述是为了说明本专利技术的一般原理而不是用来限制的本专利技术。本专利技术的范围通过所附权利要求书来确定。下面将参考特定实施例并且参考某些附图来描述本专利技术，但是本专利技术不限于此，并且仅由权利要求限制。所描述的附图仅是示意性的而并非限制性的。在附图中，为了说明的目的，一些组件的尺寸可能被夸大，而不是按比例绘制。在本专利技术的实践中，尺寸和相对尺寸不对应于实际尺寸。图1-7是根据本专利技术的一些实施例的半导体封装500的制造过程的横截面图。在一些实施例中，半导体封装500是扇出型晶圆级半导体封装(FOWLP，fan-outwafer-levelsemiconductorpackage)。例如，半导体封装500可以包括纯粹的系统级芯片(SOC，system-on-chip)封装或混合的系统级芯片(SOC)封装(包括动态随机存取存储器(DRAM，dynamicrandomaccessmemory)，功率管理集成电路(PMIC，powermanagementintegratedcircuit)，闪存，全球定位系统(GPS，globalpositioningsystem)设备或射频(RF，radiofrequency)设备)。半导体封装500可以通过接合工艺(bondingprocess)安装在底座(图未示)上，底座例如为由聚丙烯(PP，polypropylene)形成的印刷电路板(PCB，printedcircuitboard)。在一些实施例中，半导体封装500包括半导体晶粒，支撑件，模塑料，重分布层(RDL)结构和多个导电结构。如图1所示提供了基板(carrier)700。基板700可设置为提供结构刚性(structuralrigidity)或用于沉积随后的非刚性层的底部。接下来，将彼此分离的多个半导体晶粒200通过介电层或粘合层(未示出)附接到基板700的晶粒附接表面701，在一些实施例中，基板700由硅或玻璃形成。在如图1所示的一些实施例中，每个半导体晶粒200具有背面表面201和与背面表面201相对的正面表面203。每个半导体晶粒200的正面表面203可以面向基板700的晶粒附着表面701。每个半导体晶粒200的背面表面201可以背对基板700。在一些实施例中，半导体晶粒200是系统级芯片(SOC)晶粒或存储器晶粒。例如，系统级芯片(SOC)晶粒可以包括逻辑晶粒(包括中央处理单元(CPU)，图形处理单元(GPU)，动态随机存取存储器(DRAM)控制器或上述这些的任意组合)。例如，存储器晶粒可以包括动态随机存取存储器(DRAM)晶粒。此外，半导体晶粒200可以通过倒装芯片技术制造。在一些实施例中，每个半导体晶粒200包括晶粒焊盘204、至少一个介电层208和对应的导电通孔206。在一些实施例中，晶粒焊盘204靠近正面表面203形成。此外，晶粒焊盘204电连接到对应的半导体晶粒200的电路(图未示)。在一些实施例中，晶粒焊盘204属于半导体晶粒200的互连结构(interconnectionstructure；图未示)的最上面的金属层。在一些实施例中，介电层208形成为覆盖对应的半导体晶粒200的正面表面203和晶粒焊盘204的一部分。介电层208的顶表面207可以与基板700的晶粒附着表面701接触。导电通孔206位于对应的晶粒焊盘204的位置，导电通孔206设置在每个半导体晶粒200的正面表面203上。导电通孔206穿过介电层208。导电通孔206与半导体晶粒200的晶粒焊盘204接触并且电耦合。接下来，根据图2所示的一些实施例，在基板700上设置多个支撑件214。在一些实施例中，每个支撑件214位于对应的半导体晶粒200旁边。支撑件214的表面215可以与基板700的晶粒附接表面701接触。每个支撑件214可以安装于围绕对应的半导体晶粒200。支撑件214可以与对应的半导体晶粒200的边界205分开距离D。支撑件214可以具有宽度W1，并且半导体晶粒200可以具有大于支撑件214的宽度W1的宽度W2。支撑件214可具有高度H1，并且半导体晶粒200可具有与支撑件214的高度H1相同或不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装，其特征在于，包括：重分布层结构，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；半导体晶粒，布置在所述重分布层结构的第一表面上并电耦合到所述重分布层结构；模塑料，覆盖所述半导体晶粒和所述重分布层结构的第一表面；以及支撑件，位于所述半导体晶粒旁边并且与重分布层结构的第一表面接触。

【技术特征摘要】
2017.02.13 US 62/458,044;2018.01.26 US 15/881,0301.一种半导体封装，其特征在于，包括：重分布层结构，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；半导体晶粒，布置在所述重分布层结构的第一表面上并电耦合到所述重分布层结构；模塑料，覆盖所述半导体晶粒和所述重分布层结构的第一表面；以及支撑件，位于所述半导体晶粒旁边并且与重分布层结构的第一表面接触。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述支撑件与所述半导体晶粒和所述重分布层结构电绝缘。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述支撑件沿着所述半导体晶粒的至少一侧延伸。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述支撑件围绕所述半导体晶粒。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述模塑料位于覆盖所述支撑件的位置。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述模塑料的高度大于所述支撑件的高度。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括：膏状物，位于所述重分布层结构的第一表面上以及，并位于所述半导体晶粒与所述支撑件之间。8.根据权利要求7所述的半导体封装，其特征在于，所述膏状物围绕所述半导体晶粒，并且所述支撑件围绕所述膏状物。9.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：于达人，许文松，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71