晶圆局部处理方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆局部处理方法，其涉及半导体技术领域，所述晶圆局部处理方法包括以下步骤：将待处理的晶圆的一个表面与形成有所述凹槽道的第一腔室部的表面相贴合；将用于对晶圆表面进行处理的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中；向所述第一通孔中通入动力流体以使所述动力流体推动所述腐蚀液在所述凹槽道中流动，同时控制所述凹槽道中的所述腐蚀液以预设速度流动；通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道。本发明专利技术中的晶圆局部处理方法能够有效控制腐蚀液的运动，进而控制晶圆表面局部的腐蚀深度，进而能够对晶圆材料内部给定的深度范围内的污染杂质进行提取与检测。

Wafer local processing method

The invention discloses a wafer local processing method, which relates to the semiconductor technical field. The wafer local processing method comprises the following steps: a surface of the wafer to be treated is bonded to the surface of the first chamber forming the groove channel; and a preset amount of corrosion liquid to be used for treating the wafer surface From the first through hole into the groove channel, power fluid is introduced into the first through hole so that the power fluid drives the corrosion fluid to flow in the groove channel, while controlling the corrosion fluid in the groove channel to flow at a preset speed, and the corrosion in the groove channel is corroded by the power fluid. The liquid is pushed to the second through-hole to discharge the groove way. The wafer local treatment method of the invention can effectively control the movement of the corrosion liquid, thereby controlling the local corrosion depth of the wafer surface, and then can extract and detect contaminated impurities within a given depth range within the wafer material.

【技术实现步骤摘要】
晶圆局部处理方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种晶圆局部处理方法。
技术介绍
随着半导体尺寸的进一步减小，晶圆硅材料本身所含有的杂质成为质量控制中需要检测监控的要求，然而目前的晶圆污染检测技术仅限于对晶圆表面杂质污染的提取检测或者对整个晶圆材料进行破坏性检测。中国专利申请号201210171681.9和201210088237.0公开了一种用于晶圆处理的微腔室处理装置，该微腔室处理装置均包括上腔室部和下腔室部，上腔室部和下腔室部可在一驱动装置的驱动下装载和/或移除该晶圆的打开位置和一用于容纳并处理该晶圆的关闭位置之间相对移动。上腔室部与下腔室部处于关闭位置时形成一微腔室，晶圆放置于微腔室内，上腔室部和/或下腔室部中包括一个或多个供处理流体进入的微腔室的入口和一个或多个供处理流体排出微腔室的出口。当处理流体通过微腔室的入口进入微腔室对晶圆进行处理时，处理流体流动的方向大体是按照固定方向的，但是缺乏相应的控制机制保证处理流体与晶圆的反应程度。现有的技术虽然在进行晶圆表面污染的提取与检测时，只要给定足量的反应时间，就能保证表面污染物的提取效率，但是在进行对晶圆材料内部的杂质的提取与检测时，由于需要液体对晶圆材料进行腐蚀，不同的反应程度会导致处理流体对晶圆表面的腐蚀深度误差较大且难以控制。如此，当对晶圆材料内部杂质进行污染检测时，对反应后收集的处理流体进行检测只能得到晶圆材料内部整体大致的杂质污染的定性情况，无法准确得到晶圆材料内部的给定深度范围内杂质污染的定量情况，进一步的更加无法得到晶圆内不同深度处杂质污染的分布情况。应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
为了克服现有技术的上述缺陷，本专利技术实施例所要解决的技术问题是提供了一种晶圆局部处理方法，其能够有效控制腐蚀液对晶圆表面局部的腐蚀深度，进而能够对晶圆材料内部给定的深度范围内的杂质污染进行提取与检测，实现定性定量分析。本专利技术实施例的具体技术方案是：一种晶圆局部处理方法，第一腔室部的表面凹陷形成有凹槽道，第一腔室部具有与所述凹槽道的第一位置连通的第一通孔和与所述凹槽道的第二位置连通的第二通孔；所述晶圆局部处理方法包括以下步骤：将待处理的晶圆的一个表面与形成有所述凹槽道的第一腔室部的表面相贴合，所述晶圆的表面与第一腔室的凹槽道的壁面形成允许气液流动的通道；将用于对晶圆表面进行腐蚀和/或提取的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中；向所述第一通孔中通入动力流体以使所述动力流体推动所述腐蚀液在所述凹槽道中流动，同时控制所述凹槽道中的所述腐蚀液以预设速度流动；通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道。在一种优选的实施方式中，所述凹槽道的第一位置位于所述凹槽道的一端，所述凹槽道的第二位置位于所述凹槽道的另一端。在一种优选的实施方式中，所述晶圆局部处理方法还包括：在所述通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道步骤之后，向所述凹槽道中通入提取液，再排出通入所述凹槽道中的所述提取液。在一种优选的实施方式中，所述晶圆局部处理方法还包括：在步骤向所述凹槽道中通入提取液，再排出通入所述凹槽道中的所述提取液之前，重复步骤将用于对晶圆表面进行腐蚀和/或提取的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中至步骤通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道，以使得所述腐蚀液腐蚀至所述晶圆表面预设深度。在一种优选的实施方式中，所述晶圆局部处理方法还包括：重复步骤将用于对晶圆表面进行腐蚀和/或提取的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中至步骤通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道，以使得所述腐蚀液腐蚀至所述晶圆表面预设深度。在一种优选的实施方式中，在重复步骤中通入所述第一通孔的预设量的腐蚀液为新的腐蚀液或上一次循环步骤中自所述凹槽道排出的所述腐蚀液。在一种优选的实施方式中，所述晶圆局部处理方法还包括：重复步骤将用于对晶圆表面进行腐蚀和/或提取的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中至步骤向所述凹槽道中通入提取液，再排出所述凹槽道中的所述提取液，分别收集每次排出所述凹槽道的所述腐蚀液和所述提取液并对所述腐蚀液和所述提取液进行检测，以得到晶圆表面局部污染杂质的纵向分布情况。在一种优选的实施方式中，所述晶圆局部处理方法还包括：多次重复所述重复步骤将用于对晶圆表面进行腐蚀和/或提取的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中至步骤通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道，分别收集多次重复下每次排出所述凹槽道的所述腐蚀液并对所述腐蚀液液进行检测，以得到晶圆表面局部污染杂质的纵向分布情况。在一种优选的实施方式中，通入所述凹槽道中腐蚀液流动的预设速度和所述腐蚀液与所述晶圆表面反应的速率具有预设对应关系。在一种优选的实施方式中，所述预设速度呈下降趋势。在一种优选的实施方式中，所述腐蚀液包括HF和HNO3的混合溶液或HF和H2CrO4的混合溶液。在一种优选的实施方式中，所述动力流体不与所述腐蚀液发生反应，和/或所述动力流体不与所述晶圆表面发生反应。在一种优选的实施方式中，所述预设量的腐蚀液能够在所述凹槽道中形成一段长度的液体，所述液体的长度小于所述凹槽道的长度。在一种优选的实施方式中，通入所述凹槽道中的所述腐蚀液能够与所述晶圆表面接触并对晶圆进行腐蚀。在一种优选的实施方式中，所述凹槽道为多个，每一个所述凹槽道都对应有一个第一通孔和一个第二通孔，不同的所述凹槽道的位置与待处理的晶圆表面的不同位置相对应。在一种优选的实施方式中，所述凹槽道环绕形成螺旋状，其中第一通孔位于所述螺旋状的凹槽道中心区域，第二通孔位于所述螺旋状的凹槽道周边区域，或者第一通孔位于所述螺旋状的凹槽道周边区域，第二通孔位于所述螺旋状的凹槽道中心区域。本专利技术的技术方案具有以下显著有益效果：1、本专利技术中的晶圆局部处理方法通过晶圆与第一腔室部表面的凹槽道相紧贴，与第一腔室部表面的凹槽道壁形成允许气液流动的通道；当腐蚀液流入凹槽道后，通过动力流体驱动以使腐蚀液在凹槽道中继续向前流动，如此，可以使得腐蚀液仅与凹槽道内的晶圆表面进行反应以将晶圆材料内部的硅材料和污染杂质溶解在腐蚀液中，实现对晶圆局部表面的腐蚀。同时，通过动力流体驱动可以控制腐蚀液在凹槽道中以预设速度流动，进而能够有效并精确地控制腐蚀液对晶圆表面局部的腐蚀深度，从而可以通过对腐蚀液的检测实现对晶圆材料内部给定的深度范围内的杂质污染进行定性和定量分析。进一步的，当所述凹槽道中的腐蚀液的预设速度呈特定的递减趋势时，腐蚀液在凹槽道流动过程中可以控制腐蚀液与晶圆表面前后均保持一致的反应程度，使得晶圆表面的腐蚀深度基本相同，从而可以通过对腐蚀液的检测实现对晶圆同一深度范围内的污染杂质进行定性和定量分析。再进一步的，可以在腐蚀过程结束后通入特定的提取液以提高个别难提取杂质的提取效率。更进一步的，通过对晶圆不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆局部处理方法，其特征在于，第一腔室部的表面凹陷形成有凹槽道，第一腔室部具有与所述凹槽道的第一位置连通的第一通孔和与所述凹槽道的第二位置连通的第二通孔；所述晶圆局部处理方法包括以下步骤：将待处理的晶圆的一个表面与形成有所述凹槽道的第一腔室部的表面相贴合，所述晶圆的表面与第一腔室的凹槽道的壁面形成允许气液流动的通道；将用于对晶圆表面进行腐蚀和/或提取的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中；向所述第一通孔中通入动力流体以使所述动力流体推动所述腐蚀液在所述凹槽道中流动，同时控制所述凹槽道中的所述腐蚀液以预设速度流动；通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆局部处理方法，其特征在于，第一腔室部的表面凹陷形成有凹槽道，第一腔室部具有与所述凹槽道的第一位置连通的第一通孔和与所述凹槽道的第二位置连通的第二通孔；所述晶圆局部处理方法包括以下步骤：将待处理的晶圆的一个表面与形成有所述凹槽道的第一腔室部的表面相贴合，所述晶圆的表面与第一腔室的凹槽道的壁面形成允许气液流动的通道；将用于对晶圆表面进行腐蚀和/或提取的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中；向所述第一通孔中通入动力流体以使所述动力流体推动所述腐蚀液在所述凹槽道中流动，同时控制所述凹槽道中的所述腐蚀液以预设速度流动；通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道。2.根据权利要求1所述的晶圆局部处理方法，其特征在于，所述凹槽道的第一位置位于所述凹槽道的一端，所述凹槽道的第二位置位于所述凹槽道的另一端。3.根据权利要求1所述的晶圆局部处理方法，其特征在于，通入所述凹槽道中的所述腐蚀液能够与所述晶圆表面接触并进行腐蚀。4.根据权利要求1所述的晶圆局部处理方法，其特征在于，所述晶圆局部处理方法还包括：在所述通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道步骤之后，向所述凹槽道中通入提取液，再排出通入所述凹槽道中的所述提取液。5.根据权利要求4所述的晶圆局部处理方法，其特征在于，所述晶圆局部处理方法还包括：在步骤向所述凹槽道中通入提取液，再排出通入所述凹槽道中的所述提取液之前，重复步骤将用于对晶圆表面进行腐蚀和/或提取的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中至步骤通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道，以使得所述腐蚀液腐蚀至所述晶圆表面预设深度。6.根据权利要求1所述的晶圆局部处理方法，其特征在于，所述晶圆局部处理方法还包括：重复步骤将用于对晶圆表面进行腐蚀和/或提取的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中至步骤通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道，以使得所述腐蚀液腐蚀至所述晶圆表面预设深度。7.根据权利要求5或6所述的晶圆局部处理方法，其特征在于，在重复步骤中通入所述第一通孔的预设量的腐蚀液为新的腐蚀液或上一次循环步骤中自所述凹槽道排出的所述腐蚀液。8.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：温子瑛，王致凯，
申请(专利权)人：无锡华瑛微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32