一种多频域的超声波接近传感器制造技术

本实用新型专利技术涉及超声波接近传感器技术领域，具体涉及一种多频域的超声波接近传感器，包括外壳，外壳内部镂空形成腔体，腔体底部通过引线与第五双压电陶瓷晶片连接，第五双压电陶瓷晶片正上方有一圆锥形振子，第五双压电陶瓷晶片左端为第一双压电陶瓷晶片，第五双压电陶瓷晶片右端为第二双压电陶瓷晶片，第五双压电陶瓷晶片后端为第三双压电陶瓷晶片，第五双压电陶瓷晶片前端为第四双压电陶瓷晶片，四个双压电陶瓷晶片在各自转杆的转动下改变第五双压电陶瓷晶片的厚度，本实用新型专利技术改善了传统超声波接近传感器频率固定的问题，通过改变双压电陶瓷晶片的厚度改变振子振动的频率，从而实现超声波接近传感器多频域的效果。

A multi frequency ultrasonic proximity sensor

The utility model relates to the technical field of ultrasonic proximity sensors, in particular to a multi-frequency domain ultrasonic proximity sensor, including a shell, a cavity formed by hollowing out the inner shell, a fifth pair of piezoelectric ceramic wafers connected with the bottom of the cavity through a lead, a conical oscillator directly above the fifth pair of piezoelectric ceramic wafers, and a fifth pair of piezoelectric ceramic wafers. The left end of the piezoelectric ceramic wafer is the first double piezoelectric ceramic wafer, the right end of the fifth double piezoelectric ceramic wafer is the second double piezoelectric ceramic wafer, the back end of the fifth double piezoelectric ceramic wafer is the third double piezoelectric ceramic wafer, the front end of the fifth double piezoelectric ceramic wafer is the fourth double piezoelectric ceramic wafer, and the four double piezoelectric ceramic wafers are The utility model improves the problem that the frequency of the traditional ultrasonic proximity sensor is fixed by changing the thickness of the fifth piezoelectric ceramic chip under rotation, and changes the vibration frequency of the oscillator by changing the thickness of the bipiezoelectric ceramic chip, thereby realizing the effect of the ultrasonic proximity sensor in the multi-frequency domain.

【技术实现步骤摘要】
一种多频域的超声波接近传感器
本技术涉及超声波接近传感器
，具体涉及一种多频域的超声波接近传感器。
技术介绍
目前，公知的超声波接近传感器的频率都相当固定，市面上几乎不存在测量频率范围广的超声波接近传感器，一个超声波接近传感器只能用于一很小频率范围的工作环境中，不仅不便于复杂性的工作，而且还与目前测量仪器强调适用性的原则相背，这是超声波接近传感器的一大缺点，目前市面上缺乏一种制造简单又适用于多频域的超声波接近传感器。
技术实现思路
为解决上述存在的问题，本技术提供一种多频域的超声波接近传感器，通过改变双压电陶瓷晶片的厚度来改变振子振动的频率，从而实现超声波接近传感器多频域的效果。一种多频域的超声波接近传感器，包括外壳，所述外壳内部镂空形成腔体，所述腔体底部通过引线与第五双压电陶瓷晶片连接，所述第五双压电陶瓷晶片正上方有一圆锥形振子，所述圆锥形振子可在所述第五双压电陶瓷晶片上形成一定频率的振动，所述第五双压电陶瓷晶片左端为第一双压电陶瓷晶片，所述第五双压电陶瓷晶片右端为第二双压电陶瓷晶片，所述第五双压电陶瓷晶片后端为第三双压电陶瓷晶片，所述第五双压电陶瓷晶片前端为第四双压电陶瓷晶片，所述四个双压电陶瓷晶片在各自转杆的转动下可以改变所述第五双压电陶瓷晶片的厚度，所述外壳外缘有一旋钮，所述旋钮上有四个刻度，依次对应着除了所述第五双压电陶瓷晶片的四个双压电陶瓷晶片，用于调节所述圆锥形振子的高度，所述外壳顶端有一屏蔽栅，所述屏蔽栅可减少能量损失。优选地，所述五个双压电陶瓷晶片是金属振动板和双晶体片通过胶水粘结而成的。优选地，所述五个双压电陶瓷晶片的高度为第四双压电陶瓷晶片最高，第三双压电陶瓷晶片第二高，第二双压电陶瓷晶片第三高，第一双压电陶瓷晶片第四高，第五双压电陶瓷晶片最低。优选地，所述五个双压电陶瓷晶片在同一竖直面上时，其表面互相接触，没有空隙。优选地，所述旋钮和所述圆锥形振子通过绳子连接。优选地，所述四个转杆产生的运动为偏心运动。优选地，所述四个转杆分为固定端和自由端两部分。优选地，所述四个转杆的固定端将其对应的所述四个双压电陶瓷晶片与所述外壳底部连接。优选地，所述屏蔽栅通过胶水粘结在所述外壳的顶部。本技术的有益效果：通过调节旋钮改变圆锥形振子的高度，再配合四个旋杆带动各自双压电陶瓷晶片的转动，顺次叠放或倒序离开第五双压电陶瓷晶片表面，从而改变第五双压电陶瓷晶片的厚度，以此可以调节圆锥形振子在第五双压电陶瓷晶片上振动的频率，不仅操作方便，制作简单，与传统的超声波接近传感器相比，还能实现超声波接近传感器多频域的效果，超声波接近传感器的频率应用范围越广，便于生产工作。附图说明图1是本技术一种多频域的超声波接近传感器的双压电陶瓷晶片位置图。图2是本技术一种多频域的超声波接近传感器的外壳图。图3是本技术一种多频域的超声波接近传感器的屏蔽栅图。图中：1-第一双压电陶瓷晶片；2-第二双压电陶瓷晶片；3-第三双压电陶瓷晶片；4-第四双压电陶瓷晶片；5-第五双压电陶瓷晶片；6-圆锥形振子；7-第一转杆；8-第二转杆；9-第三转杆；10-第四转杆；11-旋钮；12-屏蔽栅；13-外壳。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例只用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图1、图2和图3所示，一种多频域的超声波接近传感器，包括外壳13，所述外壳13内部镂空形成腔体，所述腔体底部通过引线与第五双压电陶瓷晶片5连接，所述第五双压电陶瓷晶片5正上方有一圆锥形振子6，所述圆锥形振子6可在所述第五双压电陶瓷晶片5上形成一定频率的振动，所述第五双压电陶瓷晶片5左端为第一双压电陶瓷晶片1，所述第五双压电陶瓷晶片5右端为第二双压电陶瓷晶片2，所述第五双压电陶瓷晶片5后端为第三双压电陶瓷晶片3，所述第五双压电陶瓷晶片5前端为第四双压电陶瓷晶片4，所述四个双压电陶瓷晶片在各自转杆的转动下可以改变所述第五双压电陶瓷晶片5的厚度，所述外壳13外缘有一旋钮11，所述旋钮11上有四个刻度，依次对应着除了所述第五双压电陶瓷晶片5的四个双压电陶瓷晶片，用于调节所述圆锥形振子6的高度，所述外壳13顶端有一屏蔽栅12，所述屏蔽栅12可减少能量损失。如图1、图2和图3所示，所述五个双压电陶瓷晶片是金属振动板和双晶体片通过胶水粘结而成的，所述五个双压电陶瓷晶片的高度为第四双压电陶瓷晶片4最高，第三双压电陶瓷晶片3第二高，第二双压电陶瓷晶片2第三高，第一双压电陶瓷晶片1第四高，第五双压电陶瓷晶片5最低，所述五个双压电陶瓷晶片在同一竖直面上时，其表面互相接触，没有空隙，所述旋钮11和所述圆锥形振子6通过绳子连接，所述四个转杆产生的运动为偏心运动，所述四个转杆分为固定端和自由端两部分，所述四个转杆的固定端将其对应的所述四个双压电陶瓷晶片与所述外壳13底部连接，所述屏蔽栅12通过胶水粘结在所述外壳13的顶部，在实际运行过程中，旋钮11上的刻度与除了第五双压电陶瓷晶片5的四个双压电陶瓷晶片一一对应，把旋钮11调高到其第一刻度的高度上，然后转动第一转杆7将第一双压电陶瓷晶片1转到第五双压电陶瓷晶片5上，从而改变圆锥形振子振动的频率，若将旋钮11调高到其第二刻度的高度上，则需要转动第一转杆7和第二转杆8将第一双压电陶瓷晶片1和第二双压电陶瓷晶片2转到第五双压电陶瓷晶片5上，此时圆锥形振子6振动的频率又再次改变，以此类推，通过调节旋钮11与转动四个转杆的配合，达到超声波接近传感器多频域的效果。本技术通过调节旋钮11改变圆锥形振子6的高度，再配合四个旋杆带动各自双压电陶瓷晶片的转动，顺次叠放或倒序离开第五双压电陶瓷晶片5表面，从而改变第五双压电陶瓷晶片5的厚度，以此可以调节圆锥形振子6在第五双压电陶瓷晶片5上振动的频率，不仅操作方便，制作简单，与传统的超声波接近传感器相比，还能实现超声波接近传感器多频域的效果，超声波接近传感器的频率应用范围越广，便于生产工作。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多频域的超声波接近传感器，其特征在于，包括外壳，所述外壳内部镂空形成腔体，所述腔体底部通过引线与第五双压电陶瓷晶片连接，所述第五双压电陶瓷晶片正上方有一圆锥形振子，所述圆锥形振子上有四个刻度，可在所述第五双压电陶瓷晶片上形成一定频率的振动，所述第五双压电陶瓷晶片左端为第一双压电陶瓷晶片，所述第五双压电陶瓷晶片右端为第二双压电陶瓷晶片，所述第五双压电陶瓷晶片后端为第三双压电陶瓷晶片，所述第五双压电陶瓷晶片前端为第四双压电陶瓷晶片，所述四个双压电陶瓷晶片在各自转杆的转动下可以改变所述第五双压电陶瓷晶片的厚度，所述外壳外缘有一旋钮，所述旋钮上有四个刻度，依次对应着除了所述第五双压电陶瓷晶片的四个双压电陶瓷晶片，用于调节所述圆锥形振子的高度，所述外壳顶端有一屏蔽栅，所述屏蔽栅可减少能量损失。

【技术特征摘要】
1.一种多频域的超声波接近传感器，其特征在于，包括外壳，所述外壳内部镂空形成腔体，所述腔体底部通过引线与第五双压电陶瓷晶片连接，所述第五双压电陶瓷晶片正上方有一圆锥形振子，所述圆锥形振子上有四个刻度，可在所述第五双压电陶瓷晶片上形成一定频率的振动，所述第五双压电陶瓷晶片左端为第一双压电陶瓷晶片，所述第五双压电陶瓷晶片右端为第二双压电陶瓷晶片，所述第五双压电陶瓷晶片后端为第三双压电陶瓷晶片，所述第五双压电陶瓷晶片前端为第四双压电陶瓷晶片，所述四个双压电陶瓷晶片在各自转杆的转动下可以改变所述第五双压电陶瓷晶片的厚度，所述外壳外缘有一旋钮，所述旋钮上有四个刻度，依次对应着除了所述第五双压电陶瓷晶片的四个双压电陶瓷晶片，用于调节所述圆锥形振子的高度，所述外壳顶端有一屏蔽栅，所述屏蔽栅可减少能量损失。2.根据权利要求1所述的一种多频域的超声波接近传感器，其特征在于：所述五个双压电陶瓷晶片是金属振动板和双晶体片通过胶水粘结而成的。3.根据权利要求1所述的一种多频域的超...

【专利技术属性】
技术研发人员：田云飞，
申请(专利权)人：锐德热力设备东莞有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44