射频传输芯片制造技术

技术编号:18722862 阅读:21 留言:0更新日期:2018-08-22 00:40
本申请涉及电子通信领域,特备涉及一种射频传输芯片。所述射频传输芯片包括:发射模块、整流模块、变频模块、控制模块、存储模块、资料编码模块和解调模块。所述发射模块、所述整流模块、所述控制模块、所述存储模块依次电连接。所述解调模块与所述变频模块并联,均电连接在所述发射模块和所述控制模块之间。所述资料编码模块分别与所述发射模块、所述控制模块和所述存储模块电连接。本申请提供的所述射频传输芯片不改变工作速率,且不特别多占芯片电路。所述射频传输芯片可以提供一种方便识别的、不同于一般射频输出的、非对称的编码方式。所述射频传输芯片还具有唤醒码机制,不主动送出内码,提高保密性。

RF transmission chip

The application relates to the field of electronic communication, and particularly relates to a radio frequency transmission chip. The RF transmission chip comprises a transmitting module, a rectifying module, a frequency conversion module, a control module, a storage module, a data encoding module and a demodulation module. The transmitting module, the rectifying module, the control module and the storage module are electrically connected in sequence. The demodulation module is in parallel with the frequency conversion module and is electrically connected between the transmitting module and the control module. The data encoding module is electrically connected with the transmitting module, the control module and the storage module respectively. The RF transmission chip provided in this application does not change the working speed, and does not occupy much of the chip circuit. The RF transmission chip can provide a convenient identification, different from the general RF output, asymmetric coding mode. The RF transmission chip also has a wake-up code mechanism, which does not automatically send out the internal code, so as to enhance the confidentiality.

【技术实现步骤摘要】
射频传输芯片
本申请涉及电子通信领域,特别是涉及一种射频传输芯片。
技术介绍
传统的射频传输芯片采用逻辑加密的方法进行加密。传统的逻辑加密芯片自身的防护能力很弱,大多数的解密公司能够轻松的破解。智能卡芯片平台虽然安全性和稳定性较高,但是成本也很高,并且需要将加密数据放入安全芯片中运行。但是这种方法对要保护的数据进行验证时,需要在程序和数据存储模块中放入程序明文,会造成巨大的安全隐患。
技术实现思路
基于此,有必要针对传统的逻辑加密芯片自身的防护能力弱,智能卡芯片的安全隐患高的问题,提供一种射频传输芯片。一种射频传输芯片,包括:发射模块;整流模块,所述整流模块的输入端与所述发射模块的输出端电连接;控制模块,所述控制模块的输入端与所述整流模块的输出端电连接;变频模块,所述变频模块的输入端与所述发射模块的输出端电连接,所述变频模块的输出端与所述控制模块的输入端电连接;存储模块,所述存储模块的输入端与所述控制模块的输出端电连接,所述控制模块和所述存储模块之间实现双向数据传输;资料编码模块,所述资料编码模块分别与所述发射模块、所述控制模块和所述存储模块电连接;以及解调模块,所述解调模块的输入端与所述发射模块的输出端电连接,所述解调模块的输出端与所述控制模块的输入端电连接。在一个实施例中,所述解调模块包括:包络检波电路和电压位准比较放大电路;所述包络检波电路和所述电压位准比较放大电路串联连接;所述检波电路的输入端为所述解调模块的输入端;所述电压位准比较放大电路的输出端为所述解调模块的输出端。在一个实施例中,所述包络检波电路包括:二极管,串联于所述解调模块的输入端和所述解调模块的输出端之间;第一电阻,所述第一电阻的输入端与所述二极管的输出端电连接,所述第一电阻的输出端接地;以及第二电容,所述第二电容的输入端与所述二极管的输出端电连接,所述第二电容的输出端接地。在一个实施例中,所述电压位准比较放大电路包括:运算放大器,所述运算放大器包括第一输入端、第二输入端和输出端,所述运算放大器的第一输入端与所述包络检波电路的输出端电连接,所述运算放大器的输出端为所述解调模块的输出端;第二电阻,所述第二电阻的输入端电连接高电平,所述第二电阻的输出端与所述运算放大器的第二输入端电连接;以及第三电阻,所述第三电阻的输入端与所述运算放大器的第二输入端电连接,所述第三电阻的输出端接地。在一个实施例中,所述资料编码模块包括:数据选择器;所述数据选择器包括第一时钟输入端、第二时钟输入端、数据输入端和数据输出端;通过所述第一时钟输入端和所述第二时钟输入端输入不同的时钟信号,实现对原始数据的编码,将编码后的数据经过所述数据输出端完成数据的传输。在一个实施例中,所述存储模块包括:熔断单元,所述熔断单元具有熔断状态和非熔断状态;当所述熔断单元处于熔断状态,所述熔断单元触发所述资料编码模块向所述发射模块传输表示“0”的码元;当所述熔断单元处于非熔断状态,所述熔断单元触发所述资料编码模块向所述发射模块传输表示“1”的码元。在一个实施例中,所述熔断单元包括:第四电阻,所述第四电阻的输入端电连接高电平;熔丝,所述熔丝的输入端与所述第四电阻的输出端电连接,所述熔丝的输出端接地;以及逻辑非门,所述逻辑非门的输入端与所述第四电阻的输出端电连接,所述逻辑非门的输出端作为所述熔断单元的输出端。在一个实施例中,所述射频传输芯片中存储的数据结构包括:9位起始码;40位数据码;5位横行奇同位校验码,每4位所述数据码组成一行,每个奇数行包括一位所述横行奇同位校验码;5位横行偶同位校验码,每个偶数行包括一位所述横行偶同位校验码;2位纵列奇同位校验码,每10位所述数据码组成一列,每个奇数列包括一位所述纵列奇同位校验码;2位纵列偶同位校验码,每个偶数列包括一位所述纵列偶同位校验码;1位结束码。在一个实施例中,所述射频传输芯片输出的波形为非对称波形,所述非对称波形中代表“0”的码元和代表“1”的码元是非对称的。在一个实施例中,所述射频传输芯片输出的波形中,每一个码元调制为周期相等的4个电平,代表“0”的码元在周期相等的4个电平中间具有一次跳变,代表“1”的码元在周期相等的4个电平中具有三次跳变。在一个实施例中,所述一次跳变为从高到低的跳变。在一个实施例中,所述三次跳变中的第一次跳变为从低到高的跳变。本专利技术提供的一种射频传输芯片。所述射频传输芯片包括:发射模块、整流模块、变频模块、控制模块、存储模块、资料编码模块和解调模块。所述发射模块、所述整流模块、所述控制模块、所述存储模块依次电连接。所述解调模块与所述变频模块并联,均电连接在所述发射模块和所述控制模块之间。所述资料编码模块分别与所述发射模块、所述控制模块和所述存储模块电连接。本申请提供的所述射频传输芯片不改变工作速率,且不特别多占芯片电路。所述射频传输芯片可以提供一种方便识别的、不同于一般射频输出的、非对称的编码方式。所述射频传输芯片解决了芯片自身的防护能力弱,芯片的安全隐患高的技术问题。所述射频传输芯片还具有唤醒码机制,不主动送出内码,进一步提高了所述射频传输芯片的保密性。附图说明图1为一个实施例中,所述射频传输芯片电路结构框图;图2为一个实施例中,所述解调模块的电路图;图3为一个实施例中,所述数据选择器的结构示意图;图4为一个实施例中,所述熔断单元的电路原理图;图5为一个实施例中,所述熔断单元的电路原理图;图6为一个实施例中,所述熔断单元的结构图;图7为一个实施例中,所述射频传输芯片的数据结构图;图8为一个实施例中,所述射频传输芯片的数据结构图。附图标号说明:射频传输芯片10发射模块100整流模块200变频模块300控制模块400存储模块500熔断单元510第四电阻511熔丝512逻辑非门513第一层导线514第二层导线515资料编码模块600数据选择器610解调模块700包络检波电路710二极管711第一电阻712第二电容713电压位准比较放大电路720运算放大器721第二电阻722第三电阻723具体实施方式为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例对本申请的射频传输芯片进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。请参阅图1,提供一种射频传输芯片10。所述射频传输芯片10包括:发射模块100、整流模块200、变频模块300、控制模块400、存储模块500、资料编码模块600和解调模块700。所述发射模块100,用于将经过所述射频传输芯片10编码后的数据发射出去。在一个实施例中,可以在所述发射模块100的输入端连接外部LC并联谐振电路。所述外部LC并联谐振电路用于产生射频磁场。所述外部LC并联谐振电路可以包括线圈和电容,在线圈COIL1和COIL2的两端会产生交流电压。所述射频传输芯片10的能量与频率都可以来自与所述外部LC并联谐振电路。具体的,所述发射模块100可以为一场效应晶体管。所述发射模块100可以采用开关键控调变(OOK)的方式发射数据。所述发射模块100的一个输入端为所述资料编码模块600的输出端,将经过特殊编码的数据存储并发射出去。所述整流模块200的输入端与所述发射模块100的输出端电连接。所述整流模块200用于所述射频传输芯片10的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频传输芯片,其特征在于,包括:发射模块(100);整流模块(200),所述整流模块(200)的输入端与所述发射模块(100)的输出端电连接;控制模块(400),所述控制模块(400)的输入端与所述整流模块(200)的输出端电连接;变频模块(300),所述变频模块(300)的输入端与所述发射模块(100)的输出端电连接,所述变频模块(300)的输出端与所述控制模块(400)的输入端电连接;存储模块(500),所述存储模块(500)的输入端与所述控制模块(400)的输出端电连接,所述控制模块(400)和所述存储模块(500)之间实现双向数据传输;资料编码模块(600),所述资料编码模块(600)分别与所述发射模块(100)、所述控制模块(400)和所述存储模块(500)电连接;以及解调模块(700),所述解调模块(700)的输入端与所述发射模块(100)的输出端电连接,所述解调模块(700)的输出端与所述控制模块(400)的输入端电连接。

【技术特征摘要】
1.一种射频传输芯片,其特征在于,包括:发射模块(100);整流模块(200),所述整流模块(200)的输入端与所述发射模块(100)的输出端电连接;控制模块(400),所述控制模块(400)的输入端与所述整流模块(200)的输出端电连接;变频模块(300),所述变频模块(300)的输入端与所述发射模块(100)的输出端电连接,所述变频模块(300)的输出端与所述控制模块(400)的输入端电连接;存储模块(500),所述存储模块(500)的输入端与所述控制模块(400)的输出端电连接,所述控制模块(400)和所述存储模块(500)之间实现双向数据传输;资料编码模块(600),所述资料编码模块(600)分别与所述发射模块(100)、所述控制模块(400)和所述存储模块(500)电连接;以及解调模块(700),所述解调模块(700)的输入端与所述发射模块(100)的输出端电连接,所述解调模块(700)的输出端与所述控制模块(400)的输入端电连接。2.如权利要求1所述的射频传输芯片,其特征在于,所述解调模块(700)包括:包络检波电路(710)和电压位准比较放大电路(720);所述包络检波电路(710)和所述电压位准比较放大电路(720)串联连接;所述检波电路(710)的输入端为所述解调模块(700)的输入端;所述电压位准比较放大电路(720)的输出端为所述解调模块(700)的输出端。3.如权利要求2所述的射频传输芯片,其特征在于,所述包络检波电路(710)包括:二极管(711),串联于所述解调模块(700)的输入端和所述解调模块(700)的输出端之间;第一电阻(712),所述第一电阻(712)的输入端与所述二极管(711)的输出端电连接,所述第一电阻(712)的输出端接地;以及第二电容(713),所述第二电容(713)的输入端与所述二极管(711)的输出端电连接,所述第二电容(713)的输出端接地。4.如权利要求2所述的射频传输芯片,其特征在于,所述电压位准比较放大电路(720)包括:运算放大器(721),所述运算放大器(721)包括第一输入端、第二输入端和输出端,所述运算放大器(721)的第一输入端与所述包络检波电路(710)的输出端电连接,所述运算放大器(721)的输出端为所述解调模块(700)的输出端;第二电阻(722),所述第二电阻(722)的输入端电连接高电平,所述第二电阻(722)的输出端与所述运算放大器(721)的第二输入端电连接;以及第三电阻(723),所述第三电阻(723)的输入端与所述运算放大器(721)的第二输入端电连接,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄建华赵鹏
申请(专利权)人:北京瑞芯谷科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1