The invention relates to the technical field of dielectric materials, in particular to a high tetragonal phase barium titanate powder and its preparation method, barium titanate thick film ceramics and its preparation method and application. The invention provides a high tetragonal phase barium titanate powder, the specific surface of the high tetragonal phase barium titanate powder is 7.5m2/g-9.5m2/g, the particle size of the high tetragonal phase barium titanate powder is 50-100 nm, the high tetragonal rate c/a of the high tetragonal phase barium titanate powder is 1.0072-1.0092, and the high tetragonal phase barium titanate powder is tetragonal phase. The content is 65% to 80%. The high square phase barium titanate powder has small particle size and high activity, and can be used for preparing ultra-thin thick film ceramics. The invention also provides a barium titanate thick film ceramics. The barium titanate thick film ceramics have higher dielectric constant, breakdown field strength and electric card effect. Compared with the barium titanate thin film ceramics, the barium titanate thick film ceramics have better electrical characteristics, the thickness reaches micron level, and can be used as a component of MLCC to improve the performance of MLCC.
【技术实现步骤摘要】
一种高四方相钛酸钡粉末及其制备方法、钛酸钡厚膜陶瓷及其制备方法和应用
本专利技术涉及介电材料
,具体涉及一种高四方相钛酸钡粉末及其制备方法、钛酸钡厚膜陶瓷及其制备方法和应用。
技术介绍
钛酸钡(BaTiO3)因具有优良的介电性能、压电性能以及铁电性能被广泛应用于多层陶瓷电容器、铁电存储器、传感器和电光器件等,被称作为“电子陶瓷的支柱”。随着电子元件尺寸的不断缩小,薄膜材料成为了研究者所关注的热点,但薄膜材料的电学性能远低于块体材料,且由于薄膜材料厚度低至纳米级,给器件的应用带来很大的不便。厚膜材料既解决了器件小型化的问题,又解决了器件性能及应用的要求。片式多层陶瓷电容器(Multi-layerCeramicCapacitors,MLCC)是常用的电子元件,其体积比块体陶瓷小,却包含数十乃至数百层电介质,单层厚膜介质材料应用于MLCC中,使其性能得到了显著的提升。厚膜材料的厚度一般为几个微米至几百微米,其制备的方法包括雾化成型法、带式成型法、丝网印刷法和流延法等。由于流延法具有工艺简单、厚膜成型质量好以及厚度能准确控制等优点,因此其逐渐发展为制备厚膜最为常用的方法。流延法一般使用固相法所制备的钛酸钡粉体作为原料,而固相法制备的钛酸钡粉料粒径较大,并且钛酸钡粉体团聚严重、活性低,无法制备超薄厚膜陶瓷。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种高四方相钛酸钡粉末及其制备方法、钛酸钡厚膜陶瓷及其制备方法和应用,用于解决固相法制备的钛酸钡粉料粒径较大,并且钛酸钡粉体团聚严重、活性低,无法制备超薄厚膜陶瓷的技术问题。本专利技术的具体技术方案如下:一种高四方相钛酸 ...
【技术保护点】
1.一种高四方相钛酸钡粉末,其特征在于,所述高四方相钛酸钡粉末的比表面为7.5m2/g~9.5m2/g;所述高四方相钛酸钡粉末的粒径为50nm~100nm;所述高四方相钛酸钡粉末的高四方相c/a为1.0072~1.0092;所述高四方相钛酸钡粉末的四方相含量为65%~80%。
【技术特征摘要】
1.一种高四方相钛酸钡粉末,其特征在于,所述高四方相钛酸钡粉末的比表面为7.5m2/g~9.5m2/g;所述高四方相钛酸钡粉末的粒径为50nm~100nm;所述高四方相钛酸钡粉末的高四方相c/a为1.0072~1.0092;所述高四方相钛酸钡粉末的四方相含量为65%~80%。2.权利要求1所述高四方相钛酸钡粉末的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将Ba(CH3COO)2和KOH的水溶液与Ti(C4H9O)4的乙醇溶液混合,加热搅拌后,进行水热反应,得到所述高四方相钛酸钡粉末。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述加热搅拌的温度为60℃~80℃;所述加热搅拌的搅拌速度为100rpm~1000rpm;所述水热反应的反应温度为先升温至80℃~100℃并保温10h~20h,再升温至160℃~240℃并保温60h~100h。4.一种钛酸钡厚膜陶瓷,其特征在于,所述钛酸钡厚膜陶瓷由权利要求1所述高四方相钛酸钡粉末或权利要求2或3所述制备方法制得的高四方相钛酸钡粉末制备而成;所述钛酸钡厚膜陶瓷的厚度为10μm~20μm。5.权利要求4所述钛酸钡厚膜陶瓷的制备方法,其特征在于,包括:a)将所述高四方相钛酸钡粉末与分散剂和第一溶剂混合,滚磨,得到预混物;b)将所述预混物与增塑剂、粘结剂和第二溶剂混合,滚...
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